Вход | Russian | Соглашение пользователя

Google | Forvo | +

T-MOS-Transistor

m

ударения

микроэл.

МОП-транзистор с вертикальной щелевой структурой (для формирования ячеек динамических ЗУПВ)

Добавить | Сообщить об ошибке | Короткая ссылка