| |||
| технология биполярных ИС, использующая принцип самосовмещения при формировании транзисторных структур (усовершенствованный вариант технологии с использованием принципа самосовмещения при формировании полупроводниковых слоёв транзисторных структур) | |||
| |||
| технология биполярных ИС, использующая принцип самосовмещения при формировании транзисторных структур (усовершенствованный вариант технологии с использованием принципа самосовмещения при формировании полупроводниковых слоёв транзисторных структур) | |||
