Subject | French | German |
met. | acier amélioré au cr- ni- mo avec une température de transition relativement basse | vergueteter Cr- Ni- Mo- Stahl mit einer verhaeltnissmaessig niedrigen Uebergangstemperatur |
el. | capacité MOS | MOS-Kondensator |
el. | circuit en échelle à transistors MOS | Kettenanordnung von MOS-Transistoren |
el. | circuit intégré à transistors MOS et bipolaires | hybride integrierte Schaltung mit MOS und bipolaren Transistoren |
el. | circuit logique dynamique à MOS | dynamische MOS-Logikschaltung |
comp. | circuit MOS | unipolarer Schaltkreis |
comp. | circuit MOS | MOS-Schaltkreis |
comp. | circuit MOS canal | nMOS-Schaltkreis |
comp. | circuit MOS canal | n-Kanal-MOS-Schaltkreis |
comp. | circuit MOS canal p | pMOS-Schaltkreis |
comp. | circuit MOS canal p | p-Kanal-MOS-Schaltkreis |
el. | circuit MOS complémentaire | CMOS Schaltkreis |
comp. | circuit MOS dynamique | MOS-Schaltung in dynamischer Technik |
comp. | circuit MOS dynamique | dynamische MOS-Schaltung |
comp. | circuit MOS réduit | maßstäblich verkleinerter MOS-Schaltkreis |
comp. | circuit MOS réduit | MOS-Schaltung mit linear reduzierten Dimensionen |
comp. | circuit MOS réduit | skalierter MOS-Schaltkreis |
IT, el. | circuit MOS statiques | statische MOS-Schaltungen |
el. | circuit équivalent de la capacité MOS | Ersatzschaltung eines MOS-Kondensators |
comp. | D-MOS | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
comp. | D-MOS | D-MOS |
el. | dispositif MOS à oxyde épais | MOS-Bauelement mit dicker Oxidschicht |
comp. | FET MOS planaire | Planar-MOS-Feldeffekttransistor |
comp. | FET MOS planaire | MOSFET mit Oberflächenstruktur |
comp. | FET MOS planaire | Planar-MOSFET |
el. | instabilité des MOS à accumulation | Instabilität von Anreicherungs-MOS-Transistoren |
el. | instabilité du MOS | Instabilität von MOS-Bauelementen |
comp. | module de mémoire en MOS dynamique | Speicherbaustein in dynamischer MOS-Technik |
comp. | module de mémoire en MOS dynamique | dynamischer Speicherbaustein |
comp. | module MOS | Bauelement auf Basis einer Metallgate-Oxidisolator-Halbleiterschicht-Kombination |
comp. | module MOS | MOS-Bauelement |
chem. | MoS2 | Molybdaendisulfid |
chem. | MoS2 | Molybdaensulfid |
IT, el. | MOS bipolaire | BiMOS |
comp., MS | MOS de qualité de conversation | MOS für Gesprächsqualität |
comp., MS | MOS de qualité d'écoute | MOS für Hörqualität |
el. | MOS vertical | vertical-metal-oxide-semsiconductor |
IT, el. | MOS vertical | Vertikal MOS |
el. | MOS vertical | V-MOSFET |
IT, el. | MOS à canal vertical | Vertikal MOS |
el. | MOS à double diffusion latérale | lateraler DMOS-Transistor |
el. | MOS à double diffusion latérale | laterale DMOS-Technik |
comp. | MOS à électrode à injection | MOS-Speicherelektrodentechnik mit schwimmendem Gate (z. B. für RePROM) |
comp. | MOS à électrode à injection | FAMOS |
IT, dat.proc. | mémoire MOS | Mos-Speicher |
comp. | mémoire MOS | unipolarer Speicher |
comp., MS | note MOS qualité conversation | Gesprächs-MOS |
comp., MS | note MOS qualité expédition | Sende-MOS |
comp., MS | note MOS qualité réseau | Netzwerk-MOS |
comp., MS | note MOS qualité écoute | Hör-MOS |
el. | porte NON-ET à MOS | MOS-NAND-Verknüpfungsglied |
el. | porte NON-OU à MOS | MOS-NOR-Verknüpfungsglied |
comp. | procédé n-MOS | nMOS-Herstellungsverfahren |
comp. | procédé n-MOS | nMOS-Prozeß |
comp. | RAM en MOS | unipolarer RAM |
comp. | RAM en MOS | Lese-SchreibSpeicher in unipolarer Metalloxidhalbleitertechnik |
comp. | RAM en MOS | MOS-RAM |
el. | résistance à MOS | MOS-Widerstand |
el. | semiconducteur MOS | Metall-Oxid-Halbleiter |
el. | structure MOS | MOS-Aufbau |
el. | substrat pour MOS | MOS-Substrat |
el. | substrat pour MOS | MOS-Träger |
el. | support pour MOS | MOS-Träger |
el. | support pour MOS | MOS-Substrat |
comp. | technique MOS complémentaire | Komplementär-MOS-Technik |
comp. | technique MOS complémentaire | CMOS CMOS-Technik |
comp. | technique MOS à gate autoajusté | MOS-Technik mit selbstjustierendem Transistorgate |
comp. | technique MOS à gate autoajusté | SAGMOS |
comp. | technique MOS à valeur de seuil ajustable | MOS-Technik mit einstellbarem Transistorschwellwert (Isolierschicht-FET für Speicherzelle) |
comp. | technique MOS à valeur de seuil ajustable | ATMOS |
IT, el. | technologie de type MOS | MOS-Technologie |
IT | technologie de type MOS complémentaire | komplementäre MOS-Technik |
IT | technologie de type MOS complémentaire | CMOS-Technologie |
IT, el. | technologie de type MOS à canal N | NMOS-Technologie |
comp. | technologie ED-MOS | ED-MOS-Technik (MOSÉET-Schaltungstechnik mit Anreicherungstyp-Schalttransistor und Verarmungstyp-Lasttransistor) |
comp. | technologie ED-MOS | ED-MOS |
comp. | technologie MOS | Metalloxidhalbleitertechnologie |
IT | technologie MOS métal - oxyde - silicium | MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS | MOS-Technik |
comp. | technologie MOS | MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS | MOS |
comp. | technologie MOS canal | n-Kanal-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS canal | nMOS-Technologie |
comp. | technologie MOS canal | nMOS |
comp. | technologie MOS canal | n-Kanal-MOS |
comp. | technologie MOS canal | n-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
comp. | technologie MOS canal de haute performance | Hochleistungs-MOS |
comp. | technologie MOS canal de haute performance | Hochleistungsn-Kanal-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS canal de haute performance | HMOS |
comp. | technologie MOS canal à gate au silicium de densité élevée | hochdichte n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS canal à gate au silicium de densité élevée | HMOS-Technologie |
IT | technologie MOS à canal P | PMOS-Technologie |
IT | technologie MOS à canal P | p-Kanal-MOS |
comp. | technologie MOS à diffusion double | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS à diffusion double | D-MOS |
comp. | technologie MOS à fosse en V | Vertikal-MOS |
comp. | technologie MOS à fosse en V | V-Graben-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS à fosse en V | VMOS |
comp. | technologie MOS à gate au silicium canal | n-SG-MOS |
comp. | technologie MOS à gate au silicium canal | n-SGT |
comp. | technologie MOS à gate au silicium canal | n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS à gate au silicium canal p | p-SG-MOS |
comp. | technologie MOS à gate au silicium canal p | p-SGT |
comp. | technologie MOS à gate au silicium canal p | p-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS à gate à l’aluminium canal p | p-AlG-MOS |
comp. | technologie MOS à gate à l’aluminium canal p | p-Kanal-Aluminiumgate-MOS-Technologie |
comp. | technologie MOS à injection de gate empilé | MOS-Speicherelektrodentechnik mit Stabelgate (für RePROM, EAROM) |
comp. | technologie MOS à injection de gate empilé | SIMOS |
el. | tension de perçage du MOS | MOS-Durchgreifspannung |
el. | transistor amplificateur MOS | MOS-Verstärkertransistor |
el. | transistor MOS | MOS-Transistor |
el. | transistor MOS au silicium | MOS-Siliziumtransistor |
el. | transistor MOS de charge | Belastungs-MOS-Transistor |
el. | transistor MOS de commutation | MOS-Schalttransistor |
comp. | transistor MOS de puissance à effet de champ | MOS-Feldeffekt-Leistungstransistor |
el. | transistor MOS en labyrinthe | MOS-Transistor mit Labyrinthgeometrie |
el. | transistor MOS parasite | parasitärer MOS-Transistor |
comp. | transistor MOS à effet de champ | Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor (MISFET mit SiO2-Gateisolierung) |
comp. | transistor MOS à effet de champ | MOS-Feldeffekttransistor |
comp. | transistor MOS à effet de champ | MOSFET M |
el. | transistor MOS à effet de champ et à zone d'épuisement | MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp |
el. | transistor MOS à effet de champ à accumulation | MOS-Feldeffekttransitor vom Anreicherungstyp |
el. | transistor MOS à effet de champ à canal n par effet d'enrichissement | N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor |
el. | transistor MOS à effet de champ à canal p par zone d'appauvrissement | P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp |
el. | transistor MOS à effet de champ à canal p par zone d'enrichissement | P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp |
el. | transistor à effet de champ MOS à canal n par effet d'appauvrissement | N-Kanal-Verarmungs-MOS-Feldeffekttransistor |
IT, nat.sc. | transistor à effet de champ, réalisé en technologie MOS | Feldeffekttransistor in MOS-Technik |