Subject | German | French |
el. | Belastungs-MOS-Transistor | transistor MOS de charge |
comp. | D-MOS | technologie MOS à diffusion double |
comp. | D-MOS | D-MOS |
comp. | Doppeldiffusions-MOS-Technologie | technologie MOS à diffusion double |
comp. | Doppeldiffusions-MOS-Technologie | D-MOS |
el. | doppelt diffundierter MOS-Transistor | technique de double diffusion |
el. | doppelt diffundierter MOS-Transistor | procédé de double diffusion |
el. | dynamische MOS-Logikschaltung | circuit logique dynamique à MOS |
comp. | dynamische MOS-Schaltung | circuit MOS dynamique |
comp. | ED-MOS | technologie ED-MOS |
comp. | ED-MOS-Technik | technologie ED-MOS (MOSÉET-Schaltungstechnik mit Anreicherungstyp-Schalttransistor und Verarmungstyp-Lasttransistor) |
el. | Ersatzschaltung eines MOS-Kondensators | circuit équivalent de la capacité MOS |
IT, nat.sc. | Feldeffekttransistor in MOS-Technik | transistor à effet de champ, réalisé en technologie MOS |
el. | floating-gate avalanche-injection MOS | transistor FAMOS |
el. | Geometrieverhältnis von MOS-Transistoren | rapport géométrique |
comp., MS | Gesprächs-MOS | note MOS qualité conversation |
comp. | hochdichte n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie | technologie MOS canal à gate au silicium de densité élevée |
comp. | hochdichte n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie | technologie HMOS |
comp. | Hochleistungs-MOS | technologie MOS canal de haute performance |
comp. | Hochleistungs-MOS | HMOS |
comp. | Hochleistungs-MOS-Feldeffekttransistor | MOSFET de performance élevée |
comp. | Hochleistungsn-Kanal-MOS-Technologie | technologie MOS canal de haute performance |
comp. | Hochleistungsn-Kanal-MOS-Technologie | HMOS |
el. | hybride integrierte Schaltung mit MOS und bipolaren Transistoren | circuit intégré à transistors MOS et bipolaires |
comp., MS | Hör-MOS | note MOS qualité écoute |
el. | Instabilität von Anreicherungs-MOS-Transistoren | instabilité des MOS à accumulation |
el. | Instabilität von MOS-Bauelementen | instabilité du MOS |
el. | Kettenanordnung von MOS-Transistoren | circuit en échelle à transistors MOS |
comp. | Komplementär-MOS-Technik | technique MOS complémentaire |
comp. | Komplementär-MOS-Technik | technologie CMOS |
IT | komplementäre MOS-Technik | technologie de type CMOS |
IT | komplementäre MOS-Technik | technologie de type MOS complémentaire |
comp. | maßstäblich verkleinerter MOS-Schaltkreis | circuit MOS réduit |
el. | MOS-Aufbau | structure MOS |
comp. | MOS-Bauelement | module MOS |
el. | MOS-Bauelement mit dicker Oxidschicht | dispositif MOS à oxyde épais |
el. | MOS-Durchgreifspannung | tension de perçage du MOS |
comp. | MOS-Feldeffekt-Leistungstransistor | transistor MOS de puissance à effet de champ |
comp. | MOS-Feldeffekttransistor | transistor MOS à effet de champ |
comp. | MOS-Feldeffekttransistor | MOSFET |
el. | MOS-Feldeffekttransistor mit zwei Gate-Elektroden | porte double à transistor à effet de champ à grille isolée par oxydeMOS |
el. | MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp | transistor MOS à effet de champ et à zone d'épuisement |
el. | MOS-Feldeffekttransitor vom Anreicherungstyp | transistor MOS à effet de champ à accumulation |
comp., MS | MOS für Gesprächsqualität | MOS de qualité de conversation |
comp., MS | MOS für Hörqualität | MOS de qualité d'écoute |
el. | MOS-Kondensator | capacité MOS |
el. | MOS-NAND-Verknüpfungsglied | porte NON-ET à MOS |
el. | MOS-NOR-Verknüpfungsglied | porte NON-OU à MOS |
el. | MOS-Prozess | procédé métal-oxyde-semiconducteur |
comp. | MOS-RAM | RAM unipolaire |
comp. | MOS-RAM | RAM en MOS |
comp. | MOS-Schaltkreis | circuit unipolaire |
comp. | MOS-Schaltkreis | circuit MOS |
el. | MOS-Schalttransistor | transistor MOS de commutation |
comp. | MOS-Schaltung in dynamischer Technik | circuit MOS dynamique |
comp. | MOS-Schaltung mit linear reduzierten Dimensionen | circuit MOS réduit |
el. | MOS-Siliziumtransistor | transistor MOS au silicium |
IT, dat.proc. | Mos-Speicher | mémoire MOS |
comp. | MOS-Speicher | mémoire unipolaire |
comp. | MOS-Speicherelektrodentechnik mit schwimmendem Gate | MOS à électrode à injection (z. B. für RePROM) |
comp. | MOS-Speicherelektrodentechnik mit schwimmendem Gate | technique FAMOS (z. B. für RePROM) |
comp. | MOS-Speicherelektrodentechnik mit Stabelgate | SIMOS (für RePROM, EAROM) |
comp. | MOS-Speicherelektrodentechnik mit Stabelgate | technologie MOS à injection de gate empilé (für RePROM, EAROM) |
comp. | MOS-Speicherelektrodentechnik mit Stapelgate | SAMOS (für FROM, EAROM, RePROM) |
comp. | MOS-Speicherelektrodentechnik mit Stapelgate | technique de semi-conducteurs M.O.S. à injection d’électrons par gate (für FROM, EAROM, RePROM) |
el. | MOS-Substrat | support pour MOS |
el. | MOS-Substrat | substrat pour MOS |
comp. | MOS-Technik | technologie métal-oxyde-semi-conducteur |
comp. | MOS-Technik | technologie MOS |
comp. | MOS-Technik mit einstellbarem Transistorschwellwert | technique MOS à valeur de seuil ajustable (Isolierschicht-FET für Speicherzelle) |
comp. | MOS-Technik mit einstellbarem Transistorschwellwert | ATMOS (Isolierschicht-FET für Speicherzelle) |
comp. | MOS-Technik mit selbstjustierendem Transistorgate | technique MOS à gate autoajusté |
comp. | MOS-Technik mit selbstjustierendem Transistorgate | SAGMOS |
comp. | MOS-Technologie | technologie métal-oxyde-semi-conducteur |
IT | MOS-Technologie | technologie MOS métal - oxyde - silicium |
IT, el. | MOS-Technologie | technologie de type MOS |
comp. | MOS-Technologie | technologie MOS |
el. | MOS-Transistor | transistor MOS |
el. | MOS-Transistor mit Labyrinthgeometrie | transistor MOS en labyrinthe |
el. | MOS-Träger | substrat pour MOS |
el. | MOS-Träger | support pour MOS |
el. | MOS-Verstärkertransistor | transistor amplificateur MOS |
el. | MOS-Widerstand | résistance à MOS |
comp., MS | Netzwerk-MOS | note MOS qualité réseau |
comp. | n-Kanal-MOS | technologie MOS canal |
comp. | n-Kanal-MOS | technologie métal-oxyde-semi-conducteur canal |
comp. | n-Kanal-MOS-Schaltkreis | circuit MOS canal |
comp. | n-Kanal-MOS-Technologie | technologie MOS canal |
comp. | n-Kanal-MOS-Technologie | technologie métal-oxyde-semi-conducteur canal |
el. | N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor | transistor MOS à effet de champ à canal n par effet d'enrichissement |
comp. | n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie | technologie MOS à gate au silicium canal |
el. | N-Kanal-Verarmungs-MOS-Feldeffekttransistor | transistor à effet de champ MOS à canal n par effet d'appauvrissement |
comp. | n-SG-MOS | technologie MOS à gate au silicium canal |
comp. | p-AlG-MOS | technologie MOS à gate à l’aluminium canal p |
el. | parasitärer MOS-Transistor | transistor MOS parasite |
IT | p-Kanal-MOS | technologie de type PMOS |
IT | p-Kanal-MOS | technologie MOS à canal P |
comp. | p-Kanal-MOS | technologie métal-oxyde-semi-conducteur canal p |
el. | P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp | transistor MOS à effet de champ à canal p par zone d'enrichissement |
el. | P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp | transistor MOS à effet de champ à canal p par zone d'appauvrissement |
comp. | p-Kanal-MOS-Schaltkreis | circuit MOS canal p |
comp. | p-Kanal-MOS-Technologie | technologie métal-oxyde-semi-conducteur canal p |
comp. | p-Kanal-Aluminiumgate-MOS-Technologie | technologie MOS à gate à l’aluminium canal p |
comp. | p-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie | technologie MOS à gate au silicium canal p |
comp. | Planar-MOS-Feldeffekttransistor | FET MOS planaire |
comp. | p-SG-MOS | technologie MOS à gate au silicium canal p |
comp., MS | Sende-MOS | note MOS qualité expédition |
comp. | skalierter MOS-Schaltkreis | circuit MOS réduit |
IT, el. | statische MOS-Schaltungen | circuit MOS statiques |
comp. | U-Gruben-MOS-Transistor | transistor UMOS (Modifikation des VMOS-FET) |
comp. | Vertikal-MOS | technologie MOS à fosse en V |
IT, el. | Vertikal MOS | MOS vertical |
IT, el. | Vertikal MOS | MOS à canal vertical |
comp. | Vertikal-MOS | technologie VMOS |
comp. | V-Graben-MOS-Technologie | technologie MOS à fosse en V |
comp. | V-Graben-MOS-Technologie | technologie VMOS |