| Subject | English | Ukrainian |
| O&G, tradem. | A.P.-44 | лужна витяжка танінів (диспергатор глин) |
| O&G, tradem. | A.P.-25 | лужна витяжка танінів (знижувач водовіддачі бурових розчинів) |
| dipl. | adjourn the meeting until 3 p. m. | перервати збори до з години |
| O&G | alkalinity P | лужність (за фенолфталеїном) |
| gen. | at a speed of 70 m.p.h. | зі швидкістю 70 миль на годину |
| gen. | at 6.00 p.m. | о шостій годині пополудні |
| gen. | at 6.00 p.m. | о шостій годині після обіду |
| gen. | at 6 p. m. | потяг відходить о 6 годині ранку (о 6 годині вечора, in the evening) |
| econ. | four P's of marketing | чотири P маркетинга (чотири основних елементи маркетинга: продукт (Product), ціна (Price), місце (Place), просування (Promotion)) |
| law | free of particular F.P.A. | застрахований від окремої аварії |
| mil. | great a&p range controlling department | управління тихоокеанським і атлантичним ракетними випробними полігонами |
| gen. | he knows his P's and Q's | він добре знає свою справу |
| law | J. P. | мировий суддя |
| law | Jus. P. | мировий суддя |
| energ.ind. | l.p. gas | газ рідкий |
| microel. | lateral p-n-p construction | структура горизонтального р–n–р-транзистора |
| astronaut. | low delta p injector | форсунка з невеликим перепадом тисків |
| econ. | M. P. | парламентарій |
| microel. | merged vertical n-p-n load | вертикальний n–р–n-транзистор навантаження з функціонально суміщеними областями |
| microel. | mesa p-n diode array | діодна матриця з мезаструктурою |
| microel. | mesa p-n diode-array acoustic-surface-wave convolver | конвольвер, має діодну матрицю з мезаструктурою і лінію затримки на ПАХ |
| microel. | n+ isolated p well | р-кишеня, ізольована напівпровідником n-типу |
| microel. | n–p junction | n–р–перехід |
| microel. | n-p-n base window | вікно до базової області n–р–n-транзистора |
| microel. | n–p–n device | n–p–n-транзистор |
| microel. | n-p-n structure | n–p–n-структура |
| microel. | n-p-n transistor | n–p–n-транзистор |
| microel. | P/Be co-implantation | спільна імплантація іонів свинцю і берилію |
| chem. | p-bloc element | елемент р-блоку |
| chem. | p-block elements | p-елементи |
| microel. | p-channel MOS device | р-канальний МОН-прилад |
| microel. | p-channel FET | польовий транзистор з каналом р-типу |
| microel. | p-channel MOS | p-канальна МОН-структура |
| microel. | p-channel MOS array | р-канальна МОН-структура |
| microel. | p-channel MOS array | р-канальна МОН-матриця |
| microel. | p-channel MOS array | р-канальна МОН ІС |
| microel. | p-channel MOS construction | р-канальна МОН-структура |
| microel. | p-channel Si-gate technology | технологія р-МОН ІС з кремнієвими затворами |
| microel. | p-channel technology | технологія p-МОН ІС |
| microel. | p-channel technology | технологія p-канальних МОН ІС |
| microel. | p-channel MOS transistor | р-канальний МОН-транзистор |
| microel. | p-channel MOS transistor | МОН-транзистор з каналом р-типу |
| comp. | P-code | псевдокод |
| comp. | P-code | П-код |
| microel. | p-diffused tub | дифузійна кишеня з електропровідністю р-типу |
| microel. | p-doped | легований акцепторною домішкою |
| microel. | p+ doped polysilicon | полікристалічний кремній р+-типу |
| microel. | p-doped source | витік з електропровідністю р-типу |
| microel. | p-doped tub | дифузійна кишеня з електропровідністю р-типу |
| chem. | p-electron | p-електрон |
| microel. | p-epi | епітаксіальний шар з електропровідністю р-типу |
| O&G | p-f plastic | фенолформальдегідна пластмаса |
| microel. | p-gate | П-подібний затвор (польового транзистора) |
| microel. | p+ guard ring | охоронне кільце р+-типу |
| comp., MS | P2 header | заголовок P2 (A hidden section of an e-mail message. From the time a message is first created, information about it is added to the message header, including technical details, such as who created the message and the software used to compose it) |
| comp., MS | P1 header | заголовок P1 (" The information contained in an e-mail message that is required to send and deliver a message between messaging servers by using SMTP protocol commands. The message envelope contains the sender e-mail address and the recipient e-mail address information. Recipients never see the message envelope, because it is not part of the message content, and it is discarded when the message reaches its destination. The X.400 messaging standard equivalent to the message envelope is called the "P1 header." The message envelope is often referred to as the "P1 header.") |
| gen. | особа ч.p. himself | сам |
| mil. | P-hour | час "П" (при проведенні повітряно-десантних операцій – час, коли перший парашутний підрозділ досягає або має перебувати над місцем висадки для початку операції) |
| mil. | P hour | час викидання парашутного десанту |
| microel. | p-i-n isolation | ізоляція р–i–n–структурами |
| avia. | P-indicator | індикатор кругового огляду |
| microel. | p layer | шар р-типу |
| microel. | p layer | шар з дірковою електропровідністю |
| gen. | P.M. | пополудні (post meridiem) |
| gen. | P.M. | після полудня (post meridiem) |
| econ. | p.m. | годин дня (post meridiem, після полудня) |
| gen. | 6 p. m. | шоста година вечора |
| microel. | p MOS | p-канальна МОН-структура |
| microel. | p-n barrier | p–n-перехід |
| laser. | p n diode laser | діодний лазер на р-n переході |
| met. | p-n junction | p-n перехід |
| el. | p-n junction diode | площинний діод |
| microel. | p-n junction formation | формування виготовлення р–n-переходу |
| microel. | p-n junction interface | р–n-перехід |
| microel. | p-n junction isolated | з ізолюючими р–n-переходами |
| microel. | p-n junction isolated | ізольований р–n-переходами |
| microel. | p-n junction isolated integrated circuit | ІС з ізоляцією p-n-переходами |
| microel. | p-n junction isolation technique | метод ізоляції р–n-переходами |
| el. | p n junction light modulator | модулятор світла на р-n переході |
| microel. | p-n junction rectification | випрямлення на р–n-переході |
| mil. | p n junction semiconductor laser | напівпровідниковий лазер на р-n переході |
| el. | p-n junction transistor | площинний транзистор |
| microel. | p-n wafer | напівпровідникова пластина з р-n-переходами |
| microel. | p–n-junction FET | польовий транзистор з керівником р–n-переходом |
| microel. | p-n-p base window | вікно до базової області р–n–р-транзистора |
| microel. | p-n-p device | p–n–p-транзистор |
| microel. | p-n-p emitter follower | емітерний повторювач на р–n–р-транзисторі |
| microel. | p-n-p structure | р-n-р-структура |
| microel. | p-n-p transistor | p–n–p-транзистор |
| tech. | P.O. Box | від абонентська скринька |
| econ. | P.O.B. | поштова скринька (post-office box, якої-небудь установи або підприємства) |
| IT | P.O.D. | дані |
| comp. | P-operation | заняття (семафора) |
| comp. | P-operation | операція "зайняти" |
| chem. | p-orbital | р-орбіталь |
| chem. | p-orbital | p-орбіталь |
| microel. | p–p heterojunction | p–p-гетероперехід |
| microel. | p–p heterojunction | дірково-дірковий гетероперехід |
| microel. | p profile | профіль розподілу акцепторної домішки |
| econ. | P&R policy | політика управління персоналом (gov.ua bojana) |
| microel. | p region | область р-типу |
| microel. | p region | область дірчастої електропровідності |
| gen. | P.S. | постскриптум |
| microel. | p+ stratum | шар р+-типу |
| sport. | P.T. break | фізкультхвилинка (Yanamahan) |
| microel. | p-type | р-типу (про електропровідність) |
| gen. | p-type | дірковий |
| microel. | p-type conduction | електропровідність р-типу |
| microel. | p-type conduction | діркова електропровідність |
| microel. | p-type conductivity | діркова питома провідність |
| microel. | p-type conductivity | питома провідність р-типу |
| microel. | p-type diffusion | дифузія акцепторної домішки |
| microel. | p-type diffusion | дифузійна область р-типу |
| microel. | p-type dopant | акцепторна домішка |
| microel. | p-type dopant atom | акцепторний атом |
| microel. | p-type impurity | акцепторна домішка |
| microel. | p-type impurity ion | іон акцепторної домішки |
| microel. | p-type ion implantation | імплантація іонів акцепторної домішки |
| microel. | p-type island | острівець з електропровідністю р-типу |
| microel. | p-type reach-through | наскрізна область з електропровідністю р-типу |
| microel. | p-type semiconductor | напівпровідник з електропровідністю р-типу |
| met. | p-type semiconductor | напівпровідник p-типу |
| microel. | p-type semiconductor | дірковий напівпровідник |
| microel. | p-type substrate | підкладка з електропровідністю р-типу |
| microel. | p-type surface | поверхня з електропровідністю р-типу |
| microel. | p-type well | кишеня з електропровідністю р-типу |
| IT | p-valent | p-листий |
| IT | p-valent | p-значний |
| microel. | p-well guard ring | охоронне кільце кишені р-типу |
| microel. | p-well mask | шаблон для формування кишень р-типу |
| law | per p. | за дорученням |
| environ. | polychlordibenzo-p-dioxin | поліхлордібензо-пара-діоксин (Ці речовини (і їх варіації, включно фуран) утворюються під час згоряння хлорвмісних сполук при низьких температурах, у неправильно обладнаних/сконструйованих установках для спалювання побутового чи промислового сміття. Присутні у відпрацьованому газі, золі) |
| chem. | polychlorinated dibenzo-p-dioxin | поліхлорований дибензодіоксин |
| cinema | sound camera p | синхронна кінокамера |
| O&G, tradem. | Speeder-P | мастило і зм'якшувальний реагент для бурових розчинів в умовах високого тиску |
| gen. | the loan carries 5 p. c. interest | позика приносить 5% (процентів) |
| microel. | vertical p-n-p construction | структура вертикального p-n-p –транзистора |
| gen. | V.I.P. very important person room | кімната для почесних гостей |