| Subject | English | Ukrainian |
| microel. | adjustable-threshold MOS | МОН-структура з регульованою пороговою напругою |
| microel. | avalanche stacked gate MOS | лавинно-інжекційна МОН-структура з багаторівневими затворами |
| microel. | avalanche-injection stacked gate MOS | лавинно-інжекційна МОН-структура з багаторівневими затворами |
| microel. | avalanche-injector MOS transistor | лавинно-інжекційний МОН-транзистор |
| microel. | back-gate MOS | МОН-структура з нижнім затвором |
| microel. | bi-MOS technology | комбінована технологія ІС на біполярних і МОН-транзисторах |
| microel. | bipolar logic/complementary MOS combination | комбінація об'єднання біполярних логічних ІС і КМОН ІС на одному кристалі |
| microel. | bipolar-MOS device | ІС на біполярних і МОН-транзисторах |
| microel. | bulk complementary MOS | об'ємна КМОН-структура |
| microel. | buried-channel MOS | МОН-структура з прихованим каналом |
| microel. | buried-oxide MOS | МОН-структура з поглибленим оксидним шаром |
| microel. | buried-oxide MOS transistor | МОН-транзистор з заглибленим оксидним шаром |
| microel. | clocked complementary MOS | тактована МОН-структура |
| microel. | closed-gate MOS transistor | МОН-транзистор із замкнутим затвором |
| microel. | complementary symmetry MOS | комплементарна МОН-структура |
| microel. | complementary MOS microcomputer | мікроЕОМ з КМОН-структурою |
| microel. | complementary MOS microprocessor | мікропроцесор з комплементарною МОН-структурою |
| microel. | complementary MOS microprocessor | КМОН-мікропроцесор |
| microel. | composite-gate MOS | МОН-структура з багаторівневими затворами |
| microel. | depletion MOS | МОН-транзистор, що працює в режимі збіднення |
| microel. | depletion MOS transistor | МОН-транзистор, що працює в режимі збіднення |
| microel. | depletion-mode MOS transistor | МОН-транзистор, що працює в режимі збіднення |
| microel. | dielectric-insulated MOS | МОН-структура з діелектричною ізоляцією |
| microel. | dielectric-isolated MOS | МОН-структура з діелектричною ізоляцією |
| microel. | double-diffused MOS | МОН-структура, виготовлена методом подвійної дифузії |
| microel. | double-diffused MOS | ДМОН-структура |
| microel. | double-diffused MOS device | МОН ІС, виготовлена подвійною дифузією |
| microel. | double-diffused MOS transistor | двохдифузійний МОН-транзистор |
| microel. | double-diffused MOS transistor | МОН-транзистор, виготовлений методом подвійної дифузії |
| microel. | double-implanted MOS | МОН-структура, виготовлена методом подвійної іонної імплантації |
| microel. | double-implanted MOS transistor | МОН-транзистор, виготовлений методом подвійної іонної імплантації |
| microel. | double-level polysilicon MOS | МОН-структура з двома рівнями полікристалічного кремнію |
| microel. | downward-scaled MOS transistor | МОН-транзистор з пропорційно зменшеними розмірами елементів |
| microel. | elevated-electrode MOS | МОН-структура з виступаючими електродами |
| microel. | enhancement MOS | МОН-транзистор, що працює в режимі збагачення |
| microel. | enhancement MOS transistor | МОН-транзистор, що працює в режимі збагачення |
| microel. | enhancement-mode MOS transistor | МОН-транзистор, що працює в режимі збагачення |
| microel. | floating-gate MOS | МОН-структура з плаваючим затвором |
| microel. | floating-gate MOS transistor | МОН-транзистор з плаваючим затвором |
| microel. | grooved-gate MOS | МОН-структура з V-подібним затвором |
| microel. | grooved-gate MOS transistor | МОН-транзистор з V-подібною канавкою |
| microel. | H-MOS transistor | високоякісний МОН-транзистор |
| microel. | high-threshold MOS | високопорогова МОН-структура |
| microel. | high-threshold MOS | МОН-структура з високою пороговою напругою |
| microel. | high-voltage MOS | високовольтна МОН-структура |
| microel. | industry-standard MOS technology | базова промислова МОН-технологія |
| microel. | ion-implanted MOS | МОН-структура, виготовлена методом іонної імплантації |
| microel. | ion-implanted MOS | іонно-імплантована МОН-структура |
| microel. | lateral-merged bipolar MOS | комбіновані горизонтальні біполярний і МОН-транзистори |
| microel. | low-threshold MOS | низькопорогова МОН-структура |
| microel. | low-threshold MOS | МОН-структура з низькою пороговою напругою |
| microel. | master MOS approach | метод базового матричного кристала з МОН-комірками |
| microel. | merged MOS | МОН-структура з функціонально суміщеними областями |
| microel. | metal-gate MOS transistor | МОН-транзистор з металевим затвором |
| microel. | Mo-gate MOS process | технологія МОН ІС з молібденовими затворами |
| microel. | MOS aluminum-gate configuration | МОН-структура з алюмінієвим затвором |
| microel. | MOS capacitor | МОН-конденсатор |
| microel. | MOS capacity | ємність МОН-структури |
| microel. | MOS capacity | функціональна здатність МОН-структури |
| microel. | MOS circuit | МОН ІС |
| microel. | MOS circuit | ІС на МОН-транзисторах |
| microel. | MOS device | МОН-транзистор |
| microel. | MOS device | МОН ІС |
| microel. | MOS device | ІС на МОН-транзисторах |
| el. | MOS diode | діод зі структурою метал-оксид-напівпроводник |
| microel. | MOS gate | логічний елемент на МОН-транзисторах |
| microel. | MOS machine | мікропроцесор з МОН-структурою |
| microel. | MOS machine | мікроЕОМ з МОН-структурою |
| microel. | MOS memory cell | елемент пам'яті на МОН-транзисторах |
| microel. | MOS oxide | тонкий шар оксиду в МОН-структурі |
| microel. | MOS-process characterization | визначення параметрів МОН-технології |
| microel. | MOS-process characterization | параметри характеристики МОН-технології |
| microel. | MOS processing | технологія МОН-структур |
| microel. | MOS saver | пристрій для захисту МОН ІС від пошкодження статичною електрикою |
| microel. | MOS structure | МОН-структура |
| microel. | MOS structure | структура метал–оксид–напівпровідник |
| microel. | MOS-stuck fault | несправність типу "плаваючий затвор" (в МОН ІС) |
| microel. | MOS technology | МОН-технологія |
| microel. | MOS technology | технологія МОН-структур |
| microel. | MOS-transistor circuit | МОН ІС |
| microel. | MOS-transistor circuit | ІС на МОН-транзисторах |
| microel. | MOS wafer | напівпровідникова пластина з МОН-структурами |
| microel. | multigate MOS | МОН-структура багатозатвора |
| microel. | n MOS | n-канальна МОН-структура |
| microel. | n-channel MOS | n-канальна МОН-структура |
| microel. | n-channel MOS array | матрична n-канальна МОН ІС |
| microel. | n-channel MOS array | n-канальна МОН-структура |
| microel. | n-channel MOS array | n-канальна МОН-матриця |
| microel. | n-channel MOS construction | n-канальна МОН-структура |
| microel. | n-channel MOS transistor | n-МОН-транзистор |
| microel. | n-channel MOS transistor | n-канальний МОН-транзистор |
| microel. | n-channel MOS transistor | МОН-транзистор з каналом n-типу |
| microel. | negative MOS array | n-канальна МОН-структура |
| microel. | negative MOS array | матрична n-канальна МОН ІС |
| microel. | negative MOS array | n-канальна МОН-матриця |
| microel. | p MOS | p-канальна МОН-структура |
| microel. | p-channel MOS | p-канальна МОН-структура |
| microel. | p-channel MOS array | р-канальна МОН-структура |
| microel. | p-channel MOS array | р-канальна МОН-матриця |
| microel. | p-channel MOS array | р-канальна МОН ІС |
| microel. | p-channel MOS construction | р-канальна МОН-структура |
| microel. | polycrystalline silicon-gate MOS | МОН-структура з полікремнієвим затвором |
| microel. | poly-squared MOS process | технологія МОН ІС з двома шарами полікристалічного кремнію |
| microel. | quadruply self-aligned MOS | МОН-структура, виготовлена за технологією з чотирикратним самосуміщенням |
| microel. | refractory MOS | МОН-структура із затвором з тугоплавкого металу |
| microel. | resistive-gate MOS | МОН-структура із затвором резистора |
| microel. | scaled MOS | МОН-структура з пропорційно зменшеними розмірами елементів |
| microel. | scaled MOS | масштабована МОН-структура |
| microel. | Schottky-barrier MOS | МОН-структура з бар'єром затвором Шоткі |
| microel. | self-aligned MOS | самосуміщена МОН-структура |
| microel. | silicon-gate MOS | МОН-структура з кремнієвим затвором |
| microel. | single-channel MOS | МОН-структура з однотипними каналами |
| microel. | single-poly gate MOS | МОН-структура із затворами з монокристалічного і полікристалічного кремнію |
| microel. | SOS/MOS device | МОН ІС з КНС-структурою |
| microel. | SOS/MOS device | МОН-транзистор з КНС-структурою |
| microel. | SOS/MOS device | ІС на МОН-транзисторах з КНС-структурою |
| microel. | submicron-scale MOS device | МОН-транзистор з субмікронними розмірами |
| microel. | substrate-fed MOS | МОН-структура з живленням через підкладку |
| microel. | T-MOS transistor | МОН-транзистор з щілистою вертикальної структурою |
| microel. | two-level polysilicon MOS device | МОН ІС з двома шарами полікристалічного кремнію |
| microel. | vertical MOS | МОН-структура з вертикальними транзисторами |
| microel. | V-groove MOS | VMOH-структура |
| microel. | V-groove MOS | МОН-структура з V-подібною канавкою |
| microel. | V-groove MOS gate | логічний елемент на VMOH-транзисторах |
| microel. | V-notch MOS | VMOH-структура |
| microel. | V-notch MOS | МОН-структура з V-подібною канавкою |