Subject | English | Russian |
el. | advanced polysilicon self-aligned | технология изготовления ИС с самосовмещённым затвором из поликристаллического кремния |
el. | advanced polysilicon self-aligned process | усовершенствованная технология МОП ИС с поликремниевыми затворами |
tech. | advanced polysilicon self-aligned process | усовершенствованная технология МОП-ИС с самосовмещёнными поликремнёвыми затворами |
media. | advanced single polysilicon emitter-coupled technology | усовершенствованная технология схем эмиттерно-связанной логики с одним слоем поликремния (технология Aspect фирмы Fairchild, США) |
tech. | dioxide-polysilicon isolation | изоляция диоксидом кремния и поликристаллическим кремнием |
el. | dioxide-polysilicon isolation | изоляция элементов ИС двуокисью кремния и поликристаллическим кремнием |
Makarov. | dioxide-polysilicon isolation | изоляция диоксидом кремния и полукристаллическим кремнием |
Makarov. | dioxide-polysilicon isolation | изоляция диоксидом кремния и поликремнием |
el. | doped-polysilicon diffusion | диффузия из легированного поликристаллического кремния |
microel. | doped-polysilicon diffusion | диффузия из легированного поликристаллического покрытия |
microel. | doped polysilicon gate | затвор из легированного поликремния |
Makarov. | double polysilicon | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
tech. | double-polysilicon complementary metal-oxide semiconductor | КМОП-структура с двойным слоем поликристаллического кремния |
tech. | double-polysilicon complementary metal-oxide semiconductor technology | технология производства интегральных схем по комплементарной МОП-технологии с двумя слоями поликристаллического кремния |
el. | double-polysilicon complementary metal-oxide-semiconductor | КМОП-структура с двойным слоем поликристаллического кремния |
tech. | double-polysilicon MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
tech. | double polysilicon MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
tech. | double-polysilicon MOS transistor | МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором |
tech. | double-polysilicon structure | структура с двумя слоями поликремния |
tech. | double-polysilicon technology | технология изготовления ИС с двумя слоями поликремния |
tech. | double-polysilicon technology | технология ИС с двумя слоями поликремния (изготовления) |
tech. | double-layer polysilicon | двухслойный поликристаллический кремний |
microel. | double-layer polysilicon gate portion | технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами |
tech. | double-layer polysilicon technique | технология МОП-структур с двумя слоями поликристаллического кремния |
microel. | double-level polysilicon process | двухуровневый поликремниевый процесс (bobpacino) |
microel. | double-level polysilicon process | ДУП-процесс (bobpacino) |
comp. | double-level polysilicon technique | двухуровневая технология интегральных схем на поликристаллическом кремнии |
el. | emitter with polysilicon balanced resistor | структура мощного транзистора фирмы Toshiba |
el. | isolated oxide polysilicon gate CMOS | вариант комплементарной МОП структуры с поликремниевым затвором и окисной изоляцией |
el. | isolation through oxide and polysilicon | изоляция глубокой V-образной канавкой через слои окисла и поликремния в ЗУ, изготовленных по методу DEAP |
microel. | laser crystallized polysilicon | поликристаллический кремний, рекристаллизированный лазерным лучом |
chem.comp. | Low Temperature PolySilicon | низкотемпературный поликристаллический кремний (Himera) |
comp. | Low Temperature PolySilicon | низкотемпературный поликристаллический кремний (НТПК; LTPS (Low Temperature PolySilicon) – современная технология изготовления LCD TFT-дисплеев на основе нескольких методов. Наиболее распространённый из них – это лазерный отжиг. Его суть заключается в том, что на стекло наносится аморфный кремний, который вначале расплавляют при помощи эксимерного лазера, а затем кристаллизуют при температуре около 300°C. После того, как на стеклянной подложке образуется слой из LTPS, начинается формирование прозрачных транзисторов из окисла индия. Так как подвижность электронов в кристаллическом кремнии во много раз выше, чем в аморфном, то значительно уменьшается размер самого транзистора. Кроме того, кристаллическая форма кремния позволяет разместить здесь же логику драйвера панели. В результате, на свет появляются панели, system of panels. Oни значительно легче традиционных, благодаря снижению количества контактов их проще интегрировать в монитор, они потребляют намного меньше электричества. На данный момент, технология LTPS ещё далека от широкого распространения. Основные причины этого – дороговизна и сложность производства. Источник smartphone.ua Oleksandr Spirin) |
tech. | oxygen doped polysilicon | поликремний, легированный кислородом |
microel. | p+ doped polysilicon | поликристаллический кремний p+ типа |
microel. | polysilicon boat | лодочка из поликристаллического кремния |
microel. | polysilicon bus | шина из поликристаллического кремния |
el. | polysilicon CCD | ПЗС с электродами из поликристаллического кремния |
tech. | polysilicon charge-coupled device | прибор с зарядовой связью с электродами из поликристаллического кремния |
microel. | polysilicon diffusion equipment | диффузионные печи с трубами из поликремния |
el. | polysilicon FET | полевой транзистор на основе поликристаллического кремния |
tech. | polysilicon FET | полевой транзистор с поликремниевым затвором |
tech. | polysilicon field-effect transistor | поликремнёвый полевой транзистор |
tech. | polysilicon field-effect transistor | полевой транзистор на основе поликристаллического кремния |
tech. | polysilicon field-effect transistor | полевой транзистор с поликремниевым затвором |
microel. | polysilicon fuse | плавкая перемычка из поликристаллического кремния |
tech. | polysilicon fuse | поликремниевая плавкая перемычка |
tech. | polysilicon gate | поликремниевый затвор |
el. | polysilicon gate | полукристаллический кремниевый затвор |
Makarov. | polysilicon gate | поликристаллический кремниевый затвор |
el. | polysilicon-gate CCD | ПЗС с поликристаллическими кремниевыми затворами |
microel. | polysilicon-gate CCD | ПЗС с поликремниевыми затворами |
transp. | polysilicon-gate isolation technology | технология изготовления МОП ИС с поликремниевыми затворами |
tech. | polysilicon-gate isolation technology | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами (изготовления) |
microel. | polysilicon-gate process | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами |
tech. | polysilicon-gate technology | технология изготовления МОП ИС с поликремниевыми затворами |
microel. | polysilicon-gate technology | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами |
Makarov. | polysilicon-gate technology | технология изготовления ИС на полевых транзисторах с поликристаллическими затворами |
Makarov. | polysilicon-gate technology | технология ИС на полевых транзисторах с поликристаллическими затворами |
el. | polysilicon getter | геттерирующий слой из поликристаллического кремния |
el. | polysilicon getter | геттер из поликристаллического кремния |
el. | polysilicon gettering | геттерирование с помощью слоя из поликристаллического кремния |
el. | polysilicon interconnection | межсоединение из поликристаллического кремния |
microel. | polysilicon jumper | поликремниевая перемычка |
el. | polysilicon layer | слой из поликристаллического кремния |
microel. | polysilicon layer | слой поликристаллического кремния |
el. | polysilicon layer | слой из поликремния |
tech. | polysilicon layer | слой поликремния |
microel. | polysilicon line conductor | проводник из поликристаллического кремния |
microel. | polysilicon load | поликремниевый нагрузочный резистор |
microel. | polysilicon-load cell | элемент с поликремниевыми нагрузочными резисторами |
microel. | polysilicon-load technology | технология МОП ИС с нагрузочными резисторами поликристаллического |
automat. | polysilicon micromotor | полисиликоновый микродвигатель |
microel. | polysilicon-on-oxide region | область поликристаллического кремния на оксидном слое |
microel. | polysilicon resistor | резистор из поликристаллического кремния |
HF.electr. | polysilicon self-aligned | поликремниевый |
HF.electr. | polysilicon self-aligned | с самосовмещённым затвором (биполярный транзистор) |
el. | polysilicon self-aligned | технология изготовления ИС с применением полукристаллического кремния и самосовмещением |
tech. | polysilicon self-aligned MOS | МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
tech. | polysilicon self-aligned process | технология изготовления интегральной схемы с самосовмещёнными поликремнёвыми затворами |
Makarov. | polysilicon self-aligned process | технология изготовления ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами (PSA) |
media. | polysilicon self-aligned technology | технология структур с самосовмещением затвора из поликремния |
microel. | polysilicon self-aligned technology | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами поликристаллического кремния |
tech. | polysilicon self-aligned technology | технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
tech. | polysilicon self-aligned technology | технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами (изготовления) |
el. | polysilicon source and drain MOS transistor | МОП транзистор, в котором области истока и стока выполнены из поликремния |
microel. | polysilicon strip | токопроводящая дорожка из поликристаллического кремния |
microel. | polysilicon TFT | поликремниевый тонкоплёночный транзистор |
microel. | polysilicon thin-film transistor | поликремниевый тонкоплёночный транзистор |
microel. | polysilicon-to-diffusion contact | контакт поликремниевого слоя и диффузионной области |
microel. | polysilicon track | токопроводящая дорожка из поликристаллического кремния |
el. | polysilicon word line | поликремниевая числовая шина (ssn) |
tech. | self-aligned, polysilicon interconnect N-channel process | технология n-МОП-БИС с металлическими самосовмещёнными затворами и поликремнёвыми соединениями |
microel. | self-aligned polysilicons | самосовмещённые поликристаллические затворы |
microel. | silicided polysilicon | поликристаллический кремний со слоем силицида |
microel. | silicide-on-polysilicon structure | структура типа силицид на поликремнии |
el. | silicon dioxide-polysilicon dielectric isolation | диэлектрическая изоляция диоксидом кремния и поликристаллическим кремнием |
chem. | solar-grade polysilicon | полукристаллический кремний солнечного качества (xeniya123) |
chem. | solar-grade polysilicon plant | полукристаллический кремний солнечного качества (xeniya123) |
tech. | triple-polysilicon MOS | МОП-структура с тремя слоями поликремния |
microel. | two-polysilicon approach | метод изготовления ИС с двумя уровнями поликристаллического кремния |
el. | two-level polysilicon gate technology | метод двукратного наращивания поликристаллического кремния |
media. | two-level polysilicon gate technology | метод двухкратного наращивания поликристаллического кремния |