| Subject | English | Russian |
| tech. | adjustable threshold MOS | МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением |
| tech. | adjustable threshold MOS | МОП-структура с регулируемым порогом |
| media. | adjustable threshold MOS-FET | МОП-полевой транзистор с регулируемым пороговым напряжением |
| tech. | adjustable-threshold MOS | МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением |
| el. | aluminium-gate MOS IC | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| el. | aluminium-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
| tech. | aluminum-gate MOS | МОП-структура с алюминиевыми затворами |
| Makarov. | aluminum-gate MOS device | МОП-транзистор с алюминиевым затвором |
| el. | aluminum-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
| tech. | anodized MOS | МОП-структура, образованная анодированием металла |
| mil., avia. | anodized MOS | МОП-структура с анодно-оксидированным изолирующим слоем |
| mil. | armor basic MOS code | перечень основных специальностей ЛС бронетанковых войск |
| el. | array of MOS capacitors | матрица МОП-конденсаторов |
| mil. | audio-visual MOS lesson | занятие по специальной подготовке с использованием аудиовизуальных средств |
| microel. | avalanche-injector MOS transistor | лабораторно-инжекционный МОП-транзистор |
| tech. | back gate MOS | МОП-структура с нижним затвором |
| tech. | back-gate MOS | МОП-структура с нижними затворами |
| tech. | beam addressable MOS memory | МОП запоминающее устройство с адресацией по лучу |
| tech. | beam addressable MOS memory | прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией |
| tech. | beam addressable MOS memory | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией |
| tech. | beam addressable MOS memory | ЗУ на запоминающей ЭЛТ с полупроводниковой мишенью и электронной адресацией |
| tech. | beam addressed MOS | МОП запоминающее устройство с адресацией по лучу |
| tech. | beam addressed MOS | прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией |
| tech. | beam addressed MOS | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией |
| tech. | beam addressed MOS | ЗУ на запоминающей ЭЛТ с полупроводниковой мишенью и электронной адресацией |
| tech. | beam-addressed MOS | МОП-структура с электронно-лучевой адресацией |
| el. | bi-MOS | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| el. | bi-MOS | прибор на биполярных и МОП-транзисторах |
| Makarov. | bi-MOS technology | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| microel. | bi-mos technology | технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| Makarov. | bi-MOS technology | би-МОП-технология |
| tech. | bipolar MOS | биполярная МОП-структура |
| tech. | bipolar MOS FET | МОП ИС на биполярных и полевых транзисторах |
| tech. | bipolar MOS field-effect transistor | МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом |
| tech. | bipolar MOS-field-effect transistor | МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом |
| tech. | bipolar MOS-field-effect transistor | биполярно-полевой МОП-транзистор |
| tech. | bipolar-MOS process | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| tech. | bipolar-MOS process | комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| house. | bipolar-enhanced MOS | МОП технология с биполярными структурами |
| tech. | bulk complementary MOS | КМОП-структура с монолитной подложкой |
| tech. | buried channel MOS | структура металл-оксид-полупроводник со скрытым каналом |
| tech. | buried channel MOS | МОП-структура со скрытым каналом |
| tech. | buried channel MOS technology | технология МОП-транзисторов со скрытым каналом (изготовления) |
| tech. | buried load logic MOS | логическая МОП-структура со скрытой нагрузкой |
| tech. | buried oxide MOS | МОП-структура с углублённым оксидным слоем |
| tech. | buried oxide MOS | МОП-структура с углублённой оксидной изоляцией |
| tech. | buried-channel MOS technology | технология изготовления МОП-транзисторов со скрытым каналом |
| microel. | buried-channel MOS transistor | МОП-транзистор со скрытым каналом |
| tech. | buried-oxide MOS | МОП-структура со скрытым оксидом |
| tech. | buried-oxide MOS | МОП-структура с углублённым оксидным слоем |
| tech. | buried-oxide MOS structure | МОП-структура со скрытым оксидом |
| microel. | buried-oxide MOS transistor | МОП-транзистор с углублённым оксидным слоем |
| tech. | buried-oxide MOS transistor | МОП-транзистор с углублённым оксидом |
| Makarov. | C-MOS technology | технология изготовления КМОП ИС (complementary MOS technology) |
| Makarov. | C-MOS technology | технология изготовления ИС на КМОП-структурах (complementary MOS technology) |
| Makarov. | C-MOS technology | технология КМОП ИС (complementary MOS technology) |
| Makarov. | C-MOS technology | технология ИС на КМОП-структурах (complementary MOS technology) |
| tech. | clocked complementary MOS | синхронизированная ИС на комплементарных МОП-транзисторах |
| tech. | clocked complementary MOS | тактируемая ИС на КМОП-транзисторах |
| tech. | clocked complementary MOS | тактируемая интегральная схема на КМОП-транзисторах |
| tech. | clocked complementary MOS | тактируемая КМОП интегральная схема |
| tech. | clocked complementary MOS | тактируемая КМОП ИС |
| tech. | clocked complementary MOS | тактируемая КМОП-структура |
| tech. | closed C-MOS logic | логические схемы на транзисторах с кольцевой структурой |
| tech. | closed C-MOS logic | кольцевые логические схемы на КМОП-транзисторах |
| microel. | closed-gate MOS transistor | МОП-транзистор с замкнутым затвором |
| tech. | complementary MOS | дополняющая МОП-структура |
| el. | complementary MOS | комплементарная дополняющая МОП-структура |
| tech. | complementary MOS | комплементарная МОП-структура |
| tech. | complementary MOS | КМОП-структура |
| tech. | complementary MOS device | КМОП-прибор |
| el. | complementary MOS IC | КМОП ИС |
| el. | complementary MOS IC | ИС на КМОП-структурах |
| el. | complementary MOS IC | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| el. | complementary MOS integrated circuit | ИС на КМОП-структурах |
| el. | complementary MOS integrated circuit | ИС на комплементарных структурах металл-оксид-полупроводник |
| el. | complementary MOS integrated circuit | ИС на дополняющих структурах металл-оксид-полупроводник |
| el. | complementary MOS integrated circuit | КМОП ИС |
| el. | complementary MOS integrated circuit | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| el. | complementary MOS integrated-circuit device | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| tech. | complementary MOS logic | комплементарная МОП-логика |
| tech. | complementary MOS logic | КМОП-логика |
| tech. | complementary MOS logic | логические схемы на комплементарных МОП-транзисторах |
| microel. | complementary MOS memory | память на комплементарных МОП-транзисторах (ssn) |
| Makarov. | complementary MOS memory | КМОП ЗУ ЗУ на комплементарных (МОП-приборах) |
| tech. | complementary MOS memory | запоминающее устройство на комплементарных МОП-приборах |
| tech. | complementary MOS memory | КМОП ЗУ |
| tech. | complementary MOS memory | ЗУ на комплементарных МОП-приборах |
| Makarov. | complementary MOS memory | ЗУ на комплементарных МОП-приборах (КМОП ЗУ) |
| tech. | complementary MOS structure | КМОП-структура |
| tech. | complementary MOS structure | дополняющая МОП-структура |
| tech. | complementary MOS structure | комплементарная МОП-структура |
| Makarov. | complementary MOS structure | комплементарная МОП-структура (КМОП-структура) |
| comp. | complementary MOS technique | комплементарная МОП-технология |
| tech. | complementary MOS technology | технология производства интегральных схем на комплементарных МОП-транзисторах |
| Makarov. | complementary MOS technology | технология изготовления КМОП ИС (complementary MOS technology) |
| Makarov. | complementary MOS technology | технология ИС на КМОП-структурах (complementary MOS technology) |
| tech. | complementary symmetric MOS | комплементарная МОП-структура |
| tech. | complementary symmetric MOS | комплементарная симметричная МОП-структура |
| tech. | complementary symmetric MOS | КМОП-структура |
| el. | complementary symmetry MOS | симметричный вариант структуры CMOS |
| el. | complementary symmetry MOS IC | ИС на КМОП-структурах |
| el. | complementary symmetry MOS IC | КМОП ИС |
| el. | complementary symmetry MOS IC | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| el. | complementary symmetry MOS integrated circuit | ИС на КМОП-структурах |
| el. | complementary symmetry MOS integrated circuit | КМОП ИС |
| el. | complementary symmetry MOS integrated circuit | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| tech. | computer analysis and simulation MOS circuits | автоматизированная моделирующая установка для проектирования МОП ПС (CAS MOS) |
| mil. | cross-MOS training | обучение взаимозаменяемости по нескольким ВУС |
| media. | cross-MOS-transistor | ПТ с двумя затворами с дополняющими каналами на каждой поверхности рекристаллизованного слоя поликремния (для снижения эффекта короткого канала) |
| tech. | customer organized MOS integrated circuit | заказная интегральная схема металл-оксид-полупроводник |
| tech. | customer organized MOS integrated circuit | заказная МОП ИС |
| Makarov. | D-MOS device | МОП-прибор, изготовленный методом двойной диффузии |
| house. | D-MOS structure | сформированная двойной диффузией МОП структура |
| Makarov. | D-MOS technology | технология изготовления ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии (double-diffused MOS technology) |
| Makarov. | D-MOS technology | технология МОП ИС методом двойной диффузии (double-diffused MOS technology) |
| Makarov. | D-MOS technology | технология изготовления МОП ИС методом двойной диффузии (double-diffused MOS technology) |
| Makarov. | D-MOS technology | технология ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии (double-diffused MOS technology) |
| el. | D-MOS transistor | двухдиффузионный МОП-транзистор (ssn) |
| Makarov. | defects in MOS system | дефекты МОП-структур |
| tech. | depletion MOS | МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения |
| tech. | depletion MOS | обедненный МОП-транзистор |
| microel. | depletion MOS transistor | МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения |
| tech. | depletion MOS transistor | обеднённый МОП-транзистор |
| microel. | depletion-mode MOS transistor | МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения |
| tech. | dielectric insulated MOS | МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| tech. | dielectric isolated MOS | МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| tech. | dielectric-insulated MOS | МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| tech. | dielectric-isolated complementary MOS | комплементарная МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| tech. | diffusion self-aligned MOS | диффузионная МОП-структура с самосовмещением |
| comp. | double diffusion MOS technology | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии |
| tech. | double poly MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
| tech. | double polysilicon MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
| tech. | double-diffused MOS | МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии |
| tech. | double-diffused MOS | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии |
| microel. | double-diffused MOS | ДМОП-структура |
| tech. | double-diffused MOS | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| tech. | double-diffused MOS | двухдиффузионный МОП-транзистор |
| tech. | double-diffused MOS | двухдиффузионная МОП-структура |
| microel. | double-diffused MOS device | МОП ИС, изготовленная двойной диффузией |
| tech. | double-diffused MOS structure | МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии |
| Makarov. | double-diffused MOS technology | технология изготовления МОП ИС методом двойной диффузии (D-MOS technology) |
| tech. | double-diffused MOS technology | технология двухдиффузионных МОП-структур |
| tech. | double-diffused MOS technology | ДМОП-технология |
| Makarov. | double-diffused MOS technology | технология изготовления ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии (D-MOS technology) |
| Makarov. | double-diffused MOS technology | технология МОП ИС методом двойной диффузии (D-MOS technology) |
| tech. | double-diffused MOS technology | технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией |
| tech. | double-diffused MOS technology | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии |
| Makarov. | double-diffused MOS technology | технология ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии (D-MOS technology) |
| tech. | double-diffused MOS transistor | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| tech. | double-diffused MOS transistor | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии |
| microel. | double-diffused MOS transistor | ДМОП-транзистор |
| tech. | double-diffused MOS transistor | двухдиффузионная МОП-структура |
| tech. | double-diffused MOS transistor | двухдиффузионный МОП-транзистор |
| tech. | double-diffused MOS transistor | ДМОП-структура |
| el. | double-diffusion MOS | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| tech. | double-implanted MOS | МОП-структура, изготовленная методом двойной ионной имплантации |
| tech. | double-implanted MOS | МОП-структура, формируемая методом двойной ионной имплантации |
| microel. | double-implanted MOS transistor | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации |
| tech. | double-poly MOS transistor | МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором |
| tech. | double-polysilicon MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
| tech. | double-polysilicon MOS transistor | МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором |
| microel. | downward-scaled MOS transistor | МОП-транзистор с пропорционально уменьшенными размерами элементов |
| tech. | dual-injection floating-gate MOS | МОП-приборы с плавающими затвором и двумя инжекторами (DIF MOS) |
| tech. | dynamic complementary MOS | динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах |
| tech. | dynamic complementary MOS | динамическая КМОП-структура |
| microel. | dynamic complementary MOS integrated circuit | динамическая интегральная микросхема на комплементарных МОП-транзисторах |
| comp. | dynamic MOS circuit | динамическая МОП-схема |
| comp. | ED-MOS | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок |
| tech. | electrically erasable floating-gate avalanche injection MOS structure | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием информации |
| Makarov. | elementary MOS device | элементарный МОП-прибор (напр., МОП-конденсатор) |
| comp. | enhancement depletion-load MOS technology | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок |
| tech. | enhancement MOS | МОП-структура, работающая в режиме обогащения |
| tech. | enhancement MOS | обогащённый МОП-транзистор |
| tech. | enhancement MOS | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| tech. | enhancement MOS FET | полевой МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| tech. | enhancement MOS FET | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| microel. | enhancement MOS transistor | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| tech. | enhancement MOS transistor | обогащённый МОП-транзистор |
| Makarov. | enhancement/depletion MOS | схема на МОП-транзисторах с обедненными нагрузками |
| tech. | enhancement/depletion MOS | МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения и обеднения |
| tech. | enhancement-depletion MOS | схема на МОП-транзисторах с обедненными нагрузками (обогащённых) |
| Makarov. | enhancement/depletion MOS | схема на обогащённых МОП-транзисторах с обедненными нагрузками |
| microel. | enhancement-mode MOS transistor | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| el. | FA MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором |
| comp. | floating gate avalanche injection MOS | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором |
| tech. | floating gate MOS structure | МОП-структура с плавающим затвором |
| tech. | floating-gate avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающими затворами |
| el. | floating-gate avalanche-injection MOS structure | МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
| el. | floating-gate avalanche-injection MOS structure | структура металл-оксид-полупроводник с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
| el. | floating-gate avalanche-injection MOS transistor | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором |
| tech. | floating-gate MOS | МОП-структура с плавающими затворами |
| microel. | floating-gate MOS transistor | МОП-транзистор с плавающим затвором |
| microel. | grooved-gate MOS transistor | МОП-транзистор с и-образной канавкой |
| el. | high density complementary MOS | комплементарная МОП-схема с высокой плотностью размещения элементов |
| el. | high performance MOS | МОП структура с улучшенными характеристиками |
| tech. | high-density complementary MOS | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов |
| tech. | high-density complementary MOS | КМОП интегральная схема с высокой плотностью упаковки |
| tech. | high-density complementary MOS | КМОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов |
| tech. | high-density complementary MOS | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки |
| tech. | high-density complementary MOS | технология изготовления КМОП ИС с высокой плотностью упаковки элементов |
| el. | high-density MOS | МОП-структура с высокой плотностью упаковки |
| tech. | high-density MOS | МОП-структура с высокой степенью интеграции |
| tech. | high-density MOS technology | технология изготовления МОП-структур с высокой плотностью упаковки |
| comp. | high-density n-channel silicon-gate MOS technology | технология n-МОП схем с кремниевыми затворами и высокой плотностью упаковки |
| tech. | high-performance complementary MOS | высококачественная КМОП-структура |
| tech. | high-performance MOS | технология изготовления высококачественных МОП ИС |
| tech. | high-performance MOS | высококачественная МОП-структура |
| tech. | high-performance MOS | МОП-структура с улучшенными характеристиками |
| el. | high-performance MOS | МОП структура с высокими эксплуатационными характеристиками |
| tech. | high-performance MOS | МОП ИС с высокими эксплуатационными характеристиками |
| comp. | high-performance MOS | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем |
| tech. | high-performance MOS structure | выскокачественная МОП-структура |
| Makarov. | high-performance MOS HMOS structure | высококачественная МОП-структура |
| el. | high-performance MOS technology | технология производства высококачественных МОП-транзисторов |
| comp. | high-performance n-channel MOS technology | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем |
| el. | high-speed MOS | быстродействующая МОП-структура |
| tech. | high-threshold MOS | высокопороговая МОП-структура |
| tech. | high-voltage MOS | высоковольтная МОП-структура |
| tech. | Hitachi complementary MOS | комплементарная МОП-структура фирмы "Хитачи" |
| tech. | horizontal switching MOS | МОП-структура с горизонтальным переключением |
| microel. | industrystandard MOS technology | МОП-технология по промышленному стандарту (ssn) |
| microel. | industry-standard MOS technology | базовая промышленная МОП-технология |
| tech. | insulated gate MOS | МОП-структура с изолированным затвором |
| tech. | insulated gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| tech. | insulated-gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| tech. | ion implanted MOS | МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации |
| tech. | ion implanted MOS | МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации |
| tech. | ion implanted MOS | МОП-структура с ионной имплантацией |
| tech. | ion-implanted MOS | МОП-структура, формируемая методом ионной имплантации |
| tech. | ion-implanted n-type MOS | n-МОП интегральная схема, выполненная методом ионной имплантации (IIN MOS) |
| tech. | ion-implanted p-type MOS | p-МОП ИС, выполненная методом ионной имплантации (IIP MOS) |
| tech. | isolated gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| tech. | isolated-gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| tech. | junction gate MOS | МОП-структура с управляющим p-n переходом |
| tech. | junction-gate MOS | МОП-структура с управляющим p-n- переходом |
| tech. | lateral double-diffused MOS transistor | горизонтальный МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии |
| tech. | lateral-planar MOS | планарная МОП-структура с горизонтальным каналом |
| mil., avia. | local AFOS MOS program | локальная программа автоматизации оперативных адвентивных прогнозов |
| tech. | local oxidation MOS | МОП-структура с локальным окислением |
| tech. | local oxidation MOS | комплементарная МОП интегральная схема с местной оксидной изоляцией |
| tech. | local-oxidation complementary MOS | МОП-структура с использованием локального окисления |
| tech. | local-oxidation complementary MOS | комплементарная МОП интегральная схема с местной оксидной изоляцией |
| tech. | local-oxidation MOS | МОП-структура с локальным окислением |
| el. | logic device in the MOS technology | логическое устройство, реализованное по МОП-технологии (ssn) |
| el. | logic devices in the MOS technology | логические устройства, реализованные по МОП-технологии (ssn) |
| tech. | long MOS | МОП-транзистор с длинным каналом |
| tech. | long MOS | МОП-структура с удлинённым каналом |
| tech. | low-threshold MOS | низкопороговая МОП-структура |
| tech. | LSI MOS technology | технология изготовления БИС на МОП-транзисторах |
| microel. | master MOS approach | метод базового матричного кристалла с МОП-ячейками |
| tech. | maximum complementary MOS | серия комплементарных больших интегральных схем типа МОП |
| tech. | maze-geometry MOS transistor | МОП-транзистор со сложной геометрией |
| media. | merged MOS | технология погружённых МОП-транзисторов |
| tech. | metal-gate MOS | МОП-структура с металлическими затворами |
| microel. | metal-gate MOS transistor | МОП-транзистор с металлическим затвором |
| tech. | micrometer MOS | МОП-структура с микронными размерами элементов |
| tech. | micrometer MOS | МОП-схемы с микронными размерами элементов |
| tech. | micron MOS | МОП-структура с микронными размерами элементов |
| tech. | micron MOS | МОП-схемы с микронными размерами элементов |
| microel. | MOS aluminium-gate configuration | МОП-структура с алюминиевым затвором |
| mil. | MOS area | категория ВУС |
| tech. | MOS array | МОП-матрица |
| tech. | MOS array | матричная МОП ИС |
| tech. | MOS array integrated circuit | матричная МОП БИС |
| tech. | MOS array integrated circuit | матричная интегральная схема со структурой "металл-оксид-полупроводник" |
| tech. | MOS array integrated circuit | матричная БИС на МОП-транзисторах |
| Makarov. | MOS bucket brigade | ПЗС типа "пожарная цепочка" на МОП-структурах |
| microel. | MOS capacitor | МОП-конденсатор |
| nano | MOS capacitor | конденсатор с МОП-структурой |
| tech. | MOS-capacitor | МОП-конденсатор |
| microel. | MOS capacity | ёмкость МОП-структуры |
| mil. | MOS certification | присвоение квалификационной категории по ВУС |
| microel. | MOS circuit | ИС на МОП-транзисторах |
| mil. | MOS code | код военно-учётной специальности (вус Val_Ships) |
| mil. | MOS code | код ВУС (Val_Ships) |
| mil. | MOS code | кодовое обозначение ВУС |
| Makarov. | MOS color imaging device | формирователь сигналов цветного изображения на МОП-структуре |
| house. | MOS-controlled | МОП-управляемый |
| inf. | mos def | непременно (Taras) |
| gen. | mos def | однозначно (slang Tanya Gesse) |
| Makarov. | MOS device | прибор с переходом металл-оксид-полупроводник (МОП-транзистор) |
| tech. | MOS device | МОП-прибор |
| tech. | MOS device | прибор на структурах "металл-оксид-полупроводник" |
| nano | MOS device | прибор на МОК-структуре |
| tech. | MOS device | прибор с переходом "металл-оксид-полупроводник" |
| tech. | MOS device | МОП-транзистор |
| Makarov. | MOS device | прибор на структуре металл-оксид-полупроводник (МОП-прибор) |
| Makarov. | MOS diode | МОП-диод (диод со структурой металл-оксид-кремний) |
| mil. | MOS evaluation score | квалификационный балл по ВУС |
| mil. | MOS evaluation test | испытание для определения ВУС |
| mil. | MOS evaluation test aid | пособие для подготовки к испытаниям для определения ВУС |
| mil. | MOS familiarization course | ознакомительный учебный курс по соответствующей категории ВУС |
| tech. | MOS FET integrated circuit | интегральная схема на полевых транзисторах со структурой "металл-оксид-полупроводник" |
| tech. | MOS FET integrated circuit | ИС на полевых МОП-транзисторах |
| telecom. | MOS field effect transistor | полевой транзистор с МОП структурой затвора |
| house. | MOS field effect transistor | полевой транзистор с МОП-структурой затвора |
| tech. | MOS field-effect transistor | металлоксидный полевой полупроводниковый транзистор |
| tech. | MOS field-effect transistor | полевой транзистор с МОП структурой затвора |
| nano | MOS field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором |
| tech. | MOS field-effect transistor | полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник |
| tech. | MOS field-effect transistor | полевой МОП-транзистор |
| tech. | MOS field-effect transistor | канальный полевой униполярный МОП-транзистор |
| microel. | MOS gate | логический элемент на МОП-транзисторах |
| Makarov. | MOS gate | затвор МОП-структуры (metal-oxide-semiconductor gate) |
| house. | MOS-gated | МОП-запираемый |
| nano | MOS-hydride epitaxy | МОП-гидридная эпитаксия |
| Makarov. | MOS hydride epitaxy | МОС-гидридная эпитаксия |
| mil. | MOS incompatibility | несоответствие гражданской специальности для зачисления на военную службу |
| nano | MOS ion implantation | ионная имплантация для формирования МОП-структур |
| tech. | MOS large-scale integrated circuit | БИС со структурой "металл-оксид-полупроводник" (MOS LSI) |
| tech. | MOS large-scale integrated circuit | БИС на МОП-транзисторах |
| microel. | MOS load | нагрузочный МОП-транзистор |
| tech. | MOS logic | логическая схема на структуре "металл-оксид-полупроводник" |
| tech. | MOS logic | МОП-логика |
| microel. | MOS machine | микропроцессор с МОП-структурой |
| microel. | MOS memory cell | ячейка памяти на МОП-транзисторах |
| Makarov. | MOS memory device | ЗУ на МОП-структуре |
| tech. | MOS metal-insulator-silicon switch | переключатель на МОП-и "металл-диэлектрик-полупроводник" структурах |
| tech. | MOS microprocessor | микропроцессор на МОП-структурах |
| mil. | MOS mismatch | назначение на должность без учёта ВУС назначаемого |
| mil. | MOS-oriented education | общеобразовательная подготовка с учётом требований ВУС |
| mil. | MOS-oriented skill | целенаправленная подготовка по ВУС |
| mil. | MOS overstrength | избыточная численность специалистов по данной ВУС |
| microel. | MOS oxide | тонкий слой оксида в МОП-структуре |
| mil. | MOS population | ЛС по категориям ВУС |
| tech. | MOS process | МОП-технология |
| microel. | MOS processing | технология МОП-структур |
| mil. | MOS-producing course | курс подготовки с определением категории ВУС |
| mil. | MOS proficiency | подготовка по ВУС |
| mil. | MOS qualification course | квалификационный учебный курс по соответствующей категории ВУС |
| comp. | MOS RAM | оперативное запоминающее устройство на МОП-структурах |
| mil. | MOS reclassification | изменение категории ВУС |
| mil. | MOS required security clearance | допуск к секретной работе с учётом ВУС |
| mil. | MOS roster | список по категориям ВУС |
| microel. | MOS saver | устройство для защиты МОП от статического электричества |
| tech. | MOS silicon-on-sapphire | МОП-структура на сапфире |
| tech. | MOS silicon-on-sapphire | МОП-структура типа "кремний на сапфире" |
| tech. | MOS silicon-on-sapphire | МОП структура "кремний на сапфире" |
| nano | MOS structure | структура металл-оксид-кремний |
| Makarov. | MOS structure | МОП-структура (metal-oxide-semiconductor structure) (MOS structure; структура металл-оксид-полупроводник) |
| tech. | MOS structure | структура металл-окисел-полупроводник |
| Makarov. | MOS structure | структура металл-оксид-полупроводник (metal-oxide-semiconductor structure; МОП-структура) |
| mil. | MOS training | подготовка по ВУС |
| nano | MOS transistor | транзистор со структурой "металл-оксид-кремний" |
| tech. | MOS transistor | МОП-транзистор |
| house. | MOS transistor | полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник |
| tech. | MOS transistor | транзистор со структурой "металл оксид полупроводник" |
| nano | MOS transistor | МОК-транзистор |
| tech. | MOS transistor | транзистор с МОП-структурой |
| quant.el. | MOS transistor | МДП-транзистор |
| microel. | MOS transistor load | нагрузочный МОП-транзистор |
| tech. | MOS transistor logic | логические МОП ИС |
| tech. | MOS transistor logic | логические схемы на МОП-транзисторах |
| tech. | MOS transistor logic | логические ИС на МОП-транзисторах |
| microel. | MOS wafer | полупроводниковая пластина с МОП-структурами |
| mil. | multi-MOS proficiency | овладение несколькими ВУС |
| el. | multi-drain MOS | многостоковые МОП структуры |
| tech. | multidrain MOS | многостоковая МОП-структура |
| mil. | multiple-choice MOS test | испытание по специальной подготовке в рамках данной ВУС |
| media. | multiwire MOS structure | МОП- структура с М-областью в виде проволок |
| el. | n MOS | МОП-структура с каналом n-типа |
| el. | n MOS | n-канальная МОП-структура |
| tech. | n-MOS structure | n-канальная МОП-структура |
| Makarov. | n-MOS structure | n-МОП-структура |
| nano | nanoscale MOS field-effect transistor | полевой нанотранзистор с изолированным затвором |
| nano | nanoscale MOS field-effect transistor | полевой МОП-нанотранзистор |
| el. | n-channel logic MOS IC | логическая МОП ИС с каналами n-типа |
| el. | n-channel logic MOS integrated circuit | логическая МОП ИС с каналами n-типа |
| tech. | n-channel MOS | n-канальная МОП-структура |
| el. | n-channel MOS | n-канальная МОП структура |
| Gruzovik, el. | n-channel MOS | МОП-структура с каналом n-типа (abbr. NMOS) |
| Makarov. | n-channel MOS | n-МОП-структура |
| house. | N-channel MOS | МОП-структура с N-каналом |
| tech. | n-channel MOS | n-МОП-структура (канальная) |
| comp. | n-channel MOS | n-МОП технология |
| comp. | n-channel MOS | n-канальная МОП-технология |
| microel. | n-channel MOS array | n-канальная МОП-матрица |
| comp. | n-channel MOS circuit | n-МОП схема |
| comp. | n-channel MOS circuit | n-канальная МОП-схема |
| microel. | n-channel MOS construction | n-канальная МОП-структура |
| comp. | n-channel MOS technology | n-МОП технология |
| comp. | n-channel MOS technology | n-канальная МОП-технология |
| tech. | n-channel MOS transistor | МОП-транзистор с каналом n-типа |
| microel. | n-channel MOS transistor | n-канальный МОП-транзистор |
| tech. | n-channel MOS transistor | n-МОП-транзистор |
| comp. | n-channel silicon gate MOS technology | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами |
| microel. | negative MOS array | n-канальная МОП-матрица |
| O&G, sakh. | network magnetic strainer of MOS type | сетевой магнитный шламоотводитель типа MOS (Bauirjan) |
| Makarov. | nonorthogonality of the MOs of the two interacting fragments | неортогональность молекулярных орбиталей двух взаимодействующих фрагментов |
| tech. | p-MOS structure | p-канальная МОП-структура |
| Makarov. | p-MOS structure | p-МОП-структура |
| tech. | p-MOS structure p | МОП-структура |
| el. | p-channel logic MOS integrated circuit | логическая МОП ИС с каналами p-типа |
| house. | P-channel MOS | МОП-структура с P-каналом |
| el. | p-channel MOS | p-канальная МОП структура |
| telecom. | P-channel MOS | МОП-структура с Р-каналом |
| tech. | p-channel MOS | p-канальная МОП-структура |
| Makarov. | p-channel MOS | p-МОП-структура |
| microel. | p-channel MOS array | p-канальная МОП-матрица |
| microel. | p-channel MOS construction | p-канальная МОП-структура |
| microel. | p-channel MOS device | p-канальный МОП-прибор |
| Makarov. | p-channel MOS device | p-канальный прибор на МОП-структуре (PMOS device) |
| tech. | p-channel MOS p- | МОП-структура (канальная) |
| microel. | p-channel MOS transistor | p-МОП-транзистор |
| microel. | p-channel MOS transistor | МОП-транзистор с каналом p-типа |
| tech. | p-channel MOS transistor | p-МОП-транзистор |
| microel. | p-channel MOS transistor | p-канальный МОП-транзистор |
| tech. | p-channel MOS transistor | МОП-транзистор с каналом p-типа |
| tech. | poly self-aligned MOS | МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| tech. | polysilicon self-aligned MOS | МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| microel. | poly-squared MOS process | технология МОП ИС с двумя слоями поликристаллического |
| tech. | power MOS | мощный МОП-прибор |
| tech. | power MOS device | мощный МОП-прибор |
| tech. | quadruple self-aligned MOS | МОП-структура, формируемая методом четырёхкратного совмещения |
| tech. | quadruple self-aligned MOS technology | четырёхкратная саморегулирующаяся МОП-технология (QSA MOS) |
| tech. | refractory gate MOS | МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла |
| tech. | refractory gate MOS | МОП-структура с высокой термостойкостью |
| microel. | refractory MOS | МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла |
| tech. | refractory MOS | МОП-структура с высокой термостойкостью |
| tech. | refractory MOS | МОП-структура с тугоплавкими электродами затвора |
| tech. | refractory MOS transistor | МОП-транзистор с тугоплавким электродом затвора |
| microel. | resistive-gate MOS | МОП-структура с резисторным затвором |
| tech. | resistive-gate MOS | МОП-структура с резистивными затворами |
| tech. | scaled MOS | МОП-структура с пропорционально-уменьшенными размерами элементов |
| microel. | scaled MOS | масштабированная МОП-структура |
| gen. | scaled MOS | МОП-структура с пропорционально уменьшенными размерами элементов |
| tech. | scaled-down MOS | МОП-структура с пропорционально уменьшенными размерами элементов |
| microel. | Schottky-barrier MOS | МОП-структура с затвором Шоттки |
| tech. | Schottky-barrier MOS | МОП-структура с барьером Шотки |
| tech. | Schottky-barrier MOS | МОП-структура с затворами Шотки |
| tech. | screen-grid N-channel MOS | n-канальный МОП-прибор с экранирующей сеткой |
| tech. | self-aligned gate metal-oxide-semiconductore self-aligned gate MOS | МОП-структура с самосовмещёнными затворами |
| tech. | self-aligned gate MOS | МОП-структура с самосовмещённым затвором |
| tech. | self-aligned MOS | самосовмещённая МОП-структура |
| tech. | self-registered gate p-channel MOS | p-канальные МОП-ИС с самосовмещёнными затворами |
| tech. | silicon and aluminium MOS | МОП-структура кремний-алюминий |
| el. | silicon gate MOS | МОП прибор с кремниевым затвором |
| tech. | silicon gate MOS | МОП-структура с кремниевым затвором |
| el. | silicon gate MOS memory device | ЗУ на МОП-приборах с кремниевым затвором |
| microel. | silicon-gate MOS | МОП-структура с кремниевым затвором |
| tech. | silicon-gate MOS | МОП-структура с кремниевыми затворами |
| tech. | silicon-gate MOS bipolar technology | технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах с кремниевым затвором |
| el. | silicon-gate MOS IC | МОП ИС с кремниевыми затворами |
| el. | silicon-gate MOS integrated circuit | МОП ИС с кремниевыми затворами |
| el. | silicon-gate MOS memory device | ЗУ на МОП-транзисторах с кремниевыми затворами |
| Makarov. | silicon-gate MOS memory device | ЗУ на МОП транзисторах с кремниевыми затворами |
| tech. | silicon-gate MOS process | технология МОП ИС с кремниевыми затворами (поли) |
| Makarov. | silicon-gate MOS process | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами |
| tech. | silicon-gate MOS transistor | МОП-транзистор с кремниевым затвором |
| tech. | silicon-gate technology MOS | МОП-структура с кремниевыми затворами |
| el. | silicon-on- sapphire complementary MOS | комплементарная МОП структура на сапфировой подложке |
| tech. | silicon-on-sapphire complementary MOS | комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке |
| tech. | silicon-on-sapphire complementary MOS | кремний-сапфировая МОП-структура |
| tech. | silicon-on-sapphire complementary MOS | КМОП-структура типа "кремний на сапфире" |
| tech. | silicon-on-sapphire complementary MOS | КМОП КНС |
| microel. | single-channel MOS | МОП-структура с однотипными каналами |
| microel. | single-poly gate MOS | МОП-структура с затворами из поликристаллического кремния |
| media. | split-gate MOS FET | МОП полевой транзистор с щелевым затвором (для анализа газов) |
| tech. | stacked complementary MOS | комплементарная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| tech. | stacked transistors complementary MOS | многоуровневая КМОП-структура |
| tech. | stacked-gate avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| tech. | stacked-gate avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором |
| tech. | stacked-gate injection MOS | инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| tech. | submicrometer MOS | МОП-структура с субмикронными размерами элементов |
| tech. | submicron MOS | МОП-структура с субмикронными размерами элементов |
| microel. | submicron-scale MOS device | МОП-транзистор с субмикронными размерами |
| microel. | substrate-fed MOS | МОП-структура с питанием через подложку |
| tech. | surface gate MOS | МОП-структура с поверхностными затворами |
| tech. | surface-gate MOS | МОП-структура с поверхностными затворами |
| tech. | Telefunken MOS process | технология производства МОП БИС фирмы "Телефункен" |
| tech. | three-dimensional MOS | трёхмерная МОП-структура |
| tech. | total implanted MOS transistor | ионно-имплантированный МОП-транзистор |
| tech. | transverse MOS | вертикальная МОП-структура |
| tech. | Triac MOS device | триак с МОП-структурой |
| tech. | triple-poly MOS | МОП-структура с тремя слоями поликремния |
| tech. | triple-polysilicon MOS | МОП-структура с тремя слоями поликремния |
| tech. | V MOS | МОП-структура с V-образной канавкой |
| Makarov. | V-MOS device | МОП-транзистор c V-образной канавкой (V-groove MOS device) |
| Makarov. | V-MOS V-groove MOS technology | технология изготовления МОП ИС с V-образными канавками |
| Makarov. | V-MOS V-groove MOS technology | технология МОП ИС с V-образными канавками |
| Makarov. | V-MOS V-groove MOS technology | технология изготовления ИС на МОП-структурах с V-образными канавками |
| Makarov. | V-MOS V-groove MOS technology | технология ИС на МОП-структурах с V-образными канавками |
| tech. | V- MOS transistor | МОП-транзистор с V-образной канавкой |
| el. | vertical double-diffused MOS | МОП транзистор с вертикальной структурой, изготовленный способом двойной диффузии |
| microel. | vertical MOS | МОП-структура с вертикальными транзисторами |
| tech. | vertical MOS field-effect transistor | полевой МОП-транзистор с вертикальной структурой |
| el. | vertical-channel V-groove MOS | МОП ИС с вертикальными каналами и V-образными канавками |
| tech. | V-groove MOS | МОП-структура с V-образной канавкой |
| Makarov. | V-groove MOS device | МОП-транзистор c V-образной канавкой (VMOS device, V-MOS device) |
| Makarov. | V-groove MOS gate | логический элемент на МОП-транзисторах с V-образными канавками (VMOS gate) |
| tech. | V-groove MOS structure | МОП-структура с V -образными канавками |
| tech. | V-groove MOS technology | технология производства схем на МОП-структурах с V-образными канавками |
| Makarov. | V-groove MOS V-MOS technology | технология изготовления ИС на МОП-структурах с V-образными канавками |
| Makarov. | V-groove MOS V-MOS technology | технология изготовления МОП ИС с V-образными канавками |
| Makarov. | V-groove MOS V-MOS technology | технология МОП ИС с V-образными канавками |
| Makarov. | V-groove MOS V-MOS technology | технология ИС на МОП-структурах с V-образными канавками |
| tech. | V-groove MOS transistor | МОП-транзистор с v- образной канавкой |
| tech. | V-groove MOS transistor | МОП-транзистор с V-образной канавкой |
| tech. | V-groove vertical-geometry power MOS transistor | мощный МОП-транзистор с вертикальной геометрией и V-образной канавкой |