DictionaryForumContacts

 r313

link 31.08.2017 6:11 
Subject: stress migration electr.eng.
It's a crucial failure phenomenon of the semiconductor device interconnects.
Есть даже небольшая статья в википедии https://en.wikipedia.org/wiki/Stress_migration

Но как оно на русском? Миграция напряжения? Миграция нагрузки?
Или вот это Copper stress migration? Миграция напряжения меди? Или скорость миграции напряжения?

 Erdferkel

link 31.08.2017 7:10 
да вроде ни то, ни другое
см.
http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BC%D0%B8%D0%B3%D1%80%D0%B0%D1%86%D0%B8%D1%8F
плюс воздействие нагрузок

 r313

link 1.09.2017 5:46 
electromigration и stress migration всё же два различных понятия, хотя бы потому что в википедии существуют две разные статьи.
Stress migration - это механизм отказа или, как говорит МЭК, crucial failure phenomenon.
Википедия говорит, что Stress Migration is often referred as Stress Voiding, Stress Induced Voiding. В принципе, похоже на правду. В интернете нашёл, что Stress Induced Voiding - пустоты, вызванные напряжением. Но звучит как-то некрасиво. Может есть какой-то закрепившийся русский термин?

 r313

link 1.09.2017 5:48 
Если что, я написал "миграция, вызванная напряжением", потому что устал искать варианты.

 Erdferkel

link 1.09.2017 6:04 
это было приведено в качестве наводки на то, что мигрирует отнюдь не стрессиндуцированная нагрузка, а ионы под её воздействием
Вы заметили в вики:
"В результате, эффект электромиграции может привести к частичному или полному разрушению проводника под воздействием температуры (плавление металла) или из-за полного размытия металла под воздействием электромиграции (англ. void — «пусто́та», «лакуна»)"
вот Вам и crucial failure phenomenon, и пустоты
посмотрите ещё здесь про тепловое поле и поле механических напряжений
http://www.ispms.ru/i/upload/15d52da16b75ccf3bf6106504bd73baa.pdf

 Erdferkel

link 1.09.2017 6:15 
а тут на форуме специалист перевёл дословно
"Для предельно высоких температур наиболее значимыми факторами снижения надежности работы микросхем являются электромиграция, стрессовая миграция и деградация окисла."
http://forums.balancer.ru/tech/forum/2006/11/t52179--vliyanie-temperatury-na-srednee-vremya-sboya.8378.html
но это вроде единственное упоминание для ИС

 Erdferkel

link 1.09.2017 6:23 
см. также 2.2.2.6, там подробно объясняется stress migration и механизм образования пустот из вакансий
http://www.sony-semicon.co.jp/products_en/quality/pdf/qr_chap2e_201604.pdf

 r313

link 1.09.2017 6:55 
Спасибо за помощь. Правда, я подобные описания и сам находил. Механизм понятен. Просто я думал, что должен быть установившийся русский термин. Но его, похоже, нет.
Кстати, вариант "стрессовая миграция" тоже рассматривал.

 r313

link 1.09.2017 7:02 
Я, оказывается, написал "миграция под воздействием напряжения", чтобы не было лишних запятых. Думаю, так и оставлю. Ещё раз спасибо.

 

You need to be logged in to post in the forum

Get short URL | Photo