полупроводник | |
avia. | Halbleiter |
chem. | halbleitende Verbindung |
el. | Halbleiter; Halbmetall; Zwischenleiter |
environ. | Halbleiter |
microel. | Elektronenhalbleiter |
missil. | halbleitender Stoff |
i-полупроводник | |
radio | i-Halbleiter |
радиоакт. | Eigenhalbleiter |
типа | |
jarg. | der Art |
| |||
n-Störstellenhalbleiter m; Überschußhalbleiter m; Überschußleiter m; n-Halbleiter m; n-Typ-Halbleiter m; n-Leiter m; Reduktions-leiter; Reduktions-halbleiter; Störstellenhalbleiter vom n-Typ; Leiter vom n-Typ; Störelektronenleiter m; Donatorenleiter m | |||
| |||
Halbleiter m (HL) | |||
halbleitende Verbindung | |||
Halbleiter m; Halbmetall n; Zwischenleiter m | |||
Halbleiter m (Твердый кристаллических материал, электропроводность которого занимает промежуточное положение между металлом и изолятором и находится в сильной зависимости от температуры) | |||
Elektronenhalbleiter m | |||
halbleitender Stoff | |||
| |||
i-Halbleiter m | |||
Eigenhalbleiter m; Eigenleiter m; eigenleitender Halbleiter; i-Typ-Halbleiter m; i-Leiter m | |||
| |||
p-Halbleiter m | |||
Russian thesaurus | |||
| |||
ПП | |||
| |||
вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106 - 104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 - 10-12 Ом-1 см-1). Характерная особенность полупроводников - возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют и другие внешние воздействия: свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т. д. Высокая чувствительность электрических и оптических свойств к внешним воздействиям и содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. Все эти особенности и определяют их широкое применение в технике (см. Полупроводниковые приборы). К полупроводникам относится большая группа веществ (Si, Ge и др., см. Полупроводниковые материалы). Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки (носители положительного заряда). В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. Полное описание природы носителей заряда в полупроводниках и законов их движения даётся в квантовой теории твердого тела (см. также Зонная теория). Большой Энциклопедический словарь |
полупроводник: 571 phrases in 21 subjects |
Analytical chemistry | 1 |
Antennas and waveguides | 9 |
Automated equipment | 2 |
Aviation | 2 |
British usage, not spelling | 3 |
Chemistry | 21 |
Computers | 24 |
Electronics | 92 |
General | 1 |
Information technology | 1 |
Metallurgy | 4 |
Microelectronics | 223 |
Nanotechnology | 1 |
Oil / petroleum | 1 |
Optics branch of physics | 6 |
Quantum electronics | 50 |
Radio | 20 |
Semiconductors | 1 |
Silicate industry | 5 |
Technology | 44 |
Радиоактивное излучение | 60 |