 |
метод получения
| эпитаксиальных плёнок
| при котором
| пластина
| источник
| располагается параллельно
| подл
- only individual words found| метод получения | |
| gen. | acquiring method |
| эпитаксиальная плёнка | |
| automat. | semiconductor film |
| comp. | epitaxial layer |
| electr.eng. | epitoxial film |
| microel. | epitaxially grown film |
| quant.el. | epi film |
| при которых | |
| gen. | where |
| пластина | |
| gen. | base |
| источник | |
| news | source |
| располагаться параллельно | |
| construct. | run parallel with |
| подлый | |
| gen. | back-stabbing |
| |||
| acquiring method (konnad) | |||
| the a method for но не of obtaining dynamic stress-strain curves | |||
| метод получения эпитаксиальных плёнок, при котором пластина- источник располагается параллельно: 1 phrase in 1 subject |
| Electronics | 1 |