 |
| |||
| угол расхождения луча полупроводникового лазера, в котором интенсивность излучения остаётся на уровне не менее 50% от пиковой | |||
| угол излучения (оптоэлектронного прибора, светодиода) | |||
|
| |||
| угол расхождения луча полупроводникового лазера, в котором интенсивность излучения остаётся на уровне не менее 50% от пиковой | |||
| угол излучения (оптоэлектронного прибора, светодиода) | |||