| Russian | German |
| аддитивная технология | Additivverfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
| БИД-технология | Base-Diffusion-Isolation-Verfahren |
| БИД-технология | BDI-Verfahren |
| БИД-технология | BDI-Technik |
| Би-КМОП-технология | BiCMOS-Technik |
| комбинированная Би-КМОП-технология | Bi-CMOS-Technologie |
| Би-МОП-технология | BIMOS-Technik |
| Би-МОП-технология | MOSBi |
| Би-МОП-технология | BIMOS |
| биполярная ИС со скрытым коллекторным слоем, изготовленная по базовой технологии | SBC-Schaltkreis |
| биполярная технология | bipolare Technik |
| биполярная технология | Bipolartechnik |
| биполярный транзистор со скрытым коллекторным слоем, изготовленный по базовой технологии | SBC-Transistor |
| Би-ПТ-технология | BIFET-Technik |
| в диффузионной технологии: газ-носитель | Trägergas (диффузанта) |
| групповая технология изготовления ИС | kollektive IS-Fertigung |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA-MOS-Technik |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Diffusion Self-Aligned MOS |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA MOS |
| диффузионная технология | Diffusionsverfahren |
| диффузионная технология | Diffusionstechnik |
| диффузионно-планарная технология | Planar-Diffusions-Technik |
| диффузионно-сплавная технология | Diffusionslegierungstechnik |
| диффузионно-сплавная технология | AD-Technik |
| ДМОП-технология | D-MOS |
| ДМОП-технология | Double-Diffused MOS |
| ДМОП-технология | DMOS-Verfahren |
| ДМОП-технология | DMOS-Technik |
| запоминающая ячейка ячейка памяти, изготовленная по технологии с использованием трёх фотошаблонов | TRIM-Speicherzelle |
| запоминающая ячейка памяти, изготовленная по технологии с использованием трёх фотошаблонов | TRIM-Speicherzelle |
| изопланарная технология | ISOPLANAR-Technik |
| изопланарная технология | Isoplanartechnologie |
| изопланарная технология | Isoplanartechnik |
| И2Л-технология | HSI2L |
| И2Л-технология | HSPL |
| И2Л-технология | MTL-Technik |
| И2Л-технология | PL-Technologie |
| И2Л-технология | PL-Technik |
| И2Л-технология | MTL-Technologie |
| И2Л-технология | HSIIL |
| ионнолучевая технология | Ionenstrahltechnologie |
| ионно-плазменная технология | Sputtertechnik |
| ИС, изготовленная по Би-ПТ-технологии | BIFET |
| КВД-технология | SII-Technik |
| КВС-технология | SIS-Technik |
| КИД-технология | Collector-Diffusion-Isolation-Verfahren |
| КИД-технология | CDI-Verfahren |
| КИД-технология | CDI-Technik |
| КМДП-технология | CMIS-Technik |
| КМДП-технология | CMIS |
| КМНОП-технология | CMNOS-Technik |
| КМНОП-технология | CMNOS-Technologie |
| КМНОП-технология | CMNOS |
| КМОП-технология | CMOS-Technik |
| КМОП-технология | CMOS-Technologie |
| КМОП-технология | COSMOS, COS/MOS |
| КМОП-технология | komplementärsymmetrische MOS-Technik |
| КМОП-технология | COS/MOS |
| КМОП-технология | komplementare MOS-Technik |
| КМОП-технология | komplementäre MOS-Technik |
| КМОП-технология | COSMOS |
| КМОП-технология | Complementary Symmetrical MOS |
| КМОП-технология | COSMOS-Technik |
| КМОП-технология | CMOS |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Wannen-Technologie |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Well-CMOS-Prozess |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Wannen-CMOS-Technologie |
| КНД-технология | ESFI-Technik |
| КНД-технология | SOI-Technik |
| КНД-технология | ESFI |
| КНК-технология | Silizium-auf-Quarz-Technik |
| КНС-технология | SOS-Technologie |
| КНС-технология | Silizium-auf-Saphir-Technologie |
| КНС-технология | Silicon-on-Sapphire |
| КНС-технология | Silizium-auf-Saphir-Technik |
| КНС-технология | Silizium-Saphir-Technik |
| КНС-технология | SOS-Technik |
| комбинированная технология | Kombinationstechnik |
| комбинированная технология | Mischtechnologie (напр., технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах) |
| комбинированная технология | Mischtechnik (напр., технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах) |
| комбинированная технология | Bauelementemischtechnik (технология изготовления полупроводниковых ИС на биполярных и полевых транзисторах) |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| комбинированная технология ИС на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Mischtechnik |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| Копламос-технология | Coplamos-Technik |
| кремниевая пленарная технология | Siliconplanartechnik |
| кремниевая технология | Siliziumtechnologie |
| кремниевая технология | Siliziumtechnik |
| лазерная технология | Lasertechnologie |
| лазерная технология | Laserstrahltechnologie |
| лучевая технология | Strahltechnologie |
| МАОП-технология | MAOS-Technik |
| V-МДП-технология | V-groove MIS |
| V-МДП-технология | VMIS |
| V-МДП-технология | VMIS-Technik |
| V-МДП-технология | Vertical MIS |
| МДП-технология | MIS-Technik |
| меза-технология | Mesa-Technologie |
| микромодульная технология | Mikromodultechnik |
| микроэлектронная технология | mikroelektronische Technologie |
| 1-мкм КМОП-технология | 1-μm-CMOS-Technologie |
| 1-мкм технология | 1-μm-Technologie |
| МНОП-технология | MNOS-Technik |
| МНП-технология | MNS-Technik |
| модульная технология | Modultechnik |
| V-МОП-технология | Vertical MOS |
| V-МОП-технология | VMOS-Technik |
| V-МОП-технология | VMOS |
| V-МОП-технология | VMOS-Technologie |
| V-МОП-технология | V-groove MOS |
| n-МОП-технология | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| V-МОП-технология | V-Graben-MOS-Technologie |
| МОП-технология с двойной диффузией | MOS-Technologie mit Doppeldiffusion |
| МОП-технология с двойной диффузией | D/MOS-Technologie |
| МОПД-технология | MOS-Technologie mit Doppeldiffusion |
| МОПД-технология | D/MOS-Technologie |
| одномасочная технология | Einmaskentechnik |
| одноуровневая технология ИС на поликристаллическом кремнии | Einebenen-Polysiliziumtechnik |
| печатная плата, выполненная по технологии многопроводного монтажа | Multiwireplatte |
| печатная плата, выполненная по технологии многопроводного монтажа | Multiwire-Leiterplatte |
| печатная плата, изготовленная по субтрактивной технологии | Subtraktivleiterplatte |
| печатная технология | gedruckter Schaltungen |
| печатная технология | Technologie |
| П2КМОП-технология | PPCMOS |
| П2КМОП-технология | P2CMOS |
| планарная кремниевая технология | Siliziumplanartechnologie |
| планарная кремниевая технология | Siliziumplanartechnik |
| планарная технология | Planarprozess |
| планарно-эпитаксиальная технология | PEP-Technik |
| планарно-эпитаксиальная технология | Planar-Epitaxie-Technik |
| планарно-эпитаксиальная технология | Planarepitaxialtechnik |
| планарно-эпитаксиальная технология | Epitaxie-Planar-Technologie |
| планарно-эпитаксиальная технология | Epitaxie-Planar-Technik |
| планарно-эпитаксиальная технология с применением двойной диффузии | Epitaxie-Doppeldiffusionstechnik |
| планерная технология | Planartechnologie |
| планерная технология | Planartechnik |
| планерная технология | Planarprozess |
| 'Планокс'-технология | PLANOX-Maskentechnologie |
| Планокс технология | PLANOX-Verfahren |
| 'Планокс'-технология | PLANOX-Verfahren |
| Планокс технология | PLANOX-Maskentechnologie |
| пленарная кремниевая технология | Siliziumplanartechnologie |
| пленарная кремниевая технология | Siliziumplanartechnik |
| плёночная технология | Schichttechnologie |
| плёночная технология | Schicht-technologie |
| плёночная технология | Schichttechnik |
| полипланарная технология | Polyplanar-Technik |
| полупроводниковая технология | Halbleitertechnik |
| ПСС-технология | Polysilicon Self-Aligned Process |
| ПСС-технология | selbstjustuerende Polysiliziumtechnik (для изготовления биполярных БИС) |
| ПСС-технология | selbstjustierende Polysiliziumtechnik |
| ПСС-технология | PSA-Technik |
| ПСС-технология | PSA |
| р-МОП-технология | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| стекловолоконная технология | Glasfasertechnik |
| субмикронная КМОП-технология | Submikron-CMOS-Technologie |
| субмикронная технология | Submikrontechnik |
| субмикронная технология | Submikrometertechnik |
| субтрактивная технология | Subtraktivverfahren (получения проводящего рисунка печатных плат) |
| твёрдотельная технология | Festkörpertechnologie |
| твёрдотельная технология | Festkörpertechnik |
| технология изготовления арсенид-галлиевых мезатранзисторов | GaAs-Mesatechnik |
| технология биполярных БИС | Bipolargroßintegration |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | BEST |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных ИС | Bipolartechnik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | selbstjustierte Basis-Emitter-Technik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Self-aligned Technology |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Selfaligned Technology |
| технология биполярных приборов на эффекте расширения базы | POB-Technik |
| технология изготовления биполярных приборов с горизонтальной структурой с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskenlateraltechnik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | TRIMASK-Technik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | TRIM-Prozess |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskentechnik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskenprozess |
| технология биполярных транзисторов с диффузионной базой | DB-Technik |
| технология БИС | Hochintegrationstechnologie |
| технология БИС | LSI-Technologie |
| технология БИС | LSI-Technik |
| технология БИС | Großintegrationstechnik |
| технология БИС на одной полупроводниковой пластине | Full-Slice-Technik |
| технология БИС на основе библиотечных элементов | Zellentechnologie (и/или ячеек) |
| технология БИС на основе БМК | Universalschaltkreistechnik |
| технология БИС на основе БМК | Master-Slice-Technik |
| технология быстродействующих Би-КМОП ИС | High-Speed Bipolar CMOS |
| технология быстродействующих Би-КМОП ИС | Hi-BiCMOS-Technik |
| технология быстродействующих Би-КМОП ИС | HI-BICMOS |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Technik |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | High-Speed Bipolar CMOS |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | HS-CMOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | Hochgeschwindigkeits-CMOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | HCMOS |
| технология быстродействующих КМОП ИС | QMOS |
| технология быстродействующих КМОП ИС | Quick MOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | High-Speed Complementary MOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | HC |
| технология высоковольтных МОП-транзисторов | Hochvolt-MOS-Technik |
| технология высоковольтных р-канальных МОП-транзисторов | PMOS-Hochvolttechnik |
| технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technik |
| технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS-Technik |
| технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS |
| технология высококачественных МОП ИС | High-Performance MOS |
| технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technologie |
| технология высококачественных МОП ИС | HMOS |
| технология высокопроизводительных КМОП ИС | High-Performance CMOS |
| технология высокопроизводительных КМОП ИС | CHMOS |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | Double-diffused Metal-Isolator-Semiconductor |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | DMIS-Technik |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | DMIS-Verfahren |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | DMIS |
| технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | DMOS-Verfahren |
| технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | DMOS-Technik |
| технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | D-MOS |
| технология динамических КМДП ИС | DYCMIS |
| технология динамических КМОП ИС | Dynamic Complementary MIS |
| технология динамических КМОП ИС | DYCMOS |
| технология динамических КМОПИС | Dynamic Complementary MOS |
| технология ДТЛ ИС | DTL-Technik |
| технология избирательного оксидирования | Selective Oxidation Process |
| технология изготовления ГИС, состоящих из нескольких смонтированных в одном корпусе кристаллов | Multichiphybridtechnologie |
| технология изготовления ГИС, состоящих из нескольких смонтированных в одном корпусе кристаллов | Multichiptechnik |
| технология изготовления ГИС, состоящих из нескольких смонтированных в одном корпусе кристаллов | Multichiphybridtechnik |
| технология изготовления диодов | Diodentechnik |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Flotox |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Floating-Gate Tunnel Oxide |
| технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | Ion-Implanted MOS |
| технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | IIMOS |
| технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| технология изготовления поверхностно-управляемых биполярных транзисторов | SCT-Technik |
| технология изготовления ППЗУ с плавкими перемычками | fuse-Technologie |
| технология изготовления приборов с использованием одного фотошаблона | Einmaskentechnik |
| технология изготовления СБИС методом микролитографии | VLSI-Mikrolithografietechnik |
| технология изготовления эпитаксиальных меза-транзисторов | Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология изготовления эпитаксиальных мезатранзисторов | Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология изготовления эпитаксиальных мезатранзисторов с каналом n-типа | n-Kanal-Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология инжекционных логических схем с перехватом тока | CHIL-Technik |
| технология ионного напыления тонких плёнок | Sputtertechnik |
| технология ионного распыления | Sputtertechnik |
| технология ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | Enhanced Performance Implanted CMOS |
| технология ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | EPIC-Prozess |
| технология ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | EPIC-CMOS-Prozess |
| технология ионно-плазменного нанесения тонких плёнок | Sputtertechnik |
| технология ИС | IC-Technik |
| технология ИС | IC-Technologie |
| технология ИС | Integrationstechnologie |
| технология ИС | SK-Technologie |
| технология ИС | Hybridintegration |
| технология ИС типа "кремний в диэлектрике" на КВД-структуре | SII-Technik |
| технология ИС малой степени интеграции | Kleinintegrationstechnik |
| комбинированная технология ИС на биполярных | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Technik |
| комбинированная технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bi-CMOS-Technologie |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-Technik |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | SIGBIP |
| комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | Silicon Gate MOS Bipolar Technology |
| технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Technik |
| технология ИС на диодно-транзисторных логических схемах со стабилитронами | DTZL-Technik |
| технология ИС на ДТЛ | DTL-Technik |
| технология ИС на КВД-структуре | SII-Technik |
| технология ИС на КНД-структуре | SOI-Technik |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором | SIMOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным | Stacked-gate Injection MOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором | SIMOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| технология ИС на насыщающихся биполярных транзисторах | Übersteuerungstechnik |
| технология ИС на однотипных МДП-транзисторах | Einkanaltechnik (с каналом или n-типа, или р-типа) |
| технология ИС на переключателях тока | Stromschalttechnik |
| технология ИС на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL-Technik |
| технология ИС на РТЛ | RTL-Technik |
| технология ИС на структуре типа КНД-структуре | SOI-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | SOS-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | Silizium-auf-Saphir-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | Silizium-auf-Saphir-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | SOS-Technik |
| технология ИС на структуре типа "кремний в диэлектрике" | SII-Technik |
| технология ИС на структуре типа "кремний на диэлектрике" | SOI-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | Silizium-auf-Saphir-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | Silizium-auf-Saphir-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | SOS-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | SOS-Technik |
| технология ИС на основе ТЛНС | DCTL-Technik |
| технология ИС на ТТЛ | T2L-Technik |
| технология ИС на ТТЛ | TTL-Technik |
| технология ИС на ЭЭСЛ | E2CL-Technik |
| технология ИС с балочными выводами | Stegbefestigungstechnik |
| технология ИС с балочными выводами | beam-lead-Technik |
| технология ИС с балочными выводами | beam-lead-Verfahren |
| технология ИС с балочными выводами | Beam-lead-Technologie |
| технология ИС с высокой степенью интеграции | Hochintegrationstechnologie |
| технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами | Zweiebenen-Polysilizium-technik |
| технология ИС с многоуровневой структурой | Mehrebenenintegration |
| технология МОП ИС с одним поликремниевым слоем | Einschichtpolysiliziumtechnik (затвора) |
| технология ИС с распределённым затвором | Continuous-Gate-Technologie |
| технология ИС с самосовмещёнными силицидными базовыми контактами | Self-aligned silicide base Contact Technology |
| технология ИС с супервысокой степенью интеграции | Mega-Chip-Technologie (1 4 млн элементов на кристалл) |
| технология ИС со структурой типа "кремний на диэлектрике" | ESFI-Technik |
| технология ИС со структурой типа "кремний на диэлектрике" | ESFI |
| технология изготовления ИС со структурой типа "кремний на термопласте на диэлектрике" | SDI-Technik |
| технология изготовления ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silizium-Saphir-Technik |
| технология ИС ЭСЛ | ECL-Technologie |
| технология ИС ЭСЛ | ECL-Technik |
| технология n-канальных МОП ИС | n-MOS-Technik |
| технология p-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik |
| технология p-канальных МОП ИС | PMOS-Technik |
| технология n-канальных МОП ИС | NMOS-Technik |
| технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silicongate-Technologie |
| технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie |
| технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Si-Gate-Technik |
| технология n-канальных МОПИС | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| технология n-канальных МОП-приборов | n-Kanal-MOS-Technologie |
| технология n-канальных МОП-приборов | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| технология p-канальных МОП-приборов | p-Kanal-Technologie |
| технология n-канальных МОП-приборов | n-Kanal-MOS-Technik |
| технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Silicongate-Technologie |
| технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Si-Gate-Technik |
| технология n-канальных МОП-транзисторов | n-Kanal-MOS-Technologie |
| технология p-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-Technologie |
| технология n-канальных МОП-транзисторов | n-Kanal-MOS-Technik |
| технология n-канальных приборов | n-Kanal-Technik |
| технология получения КВС-структур | SIS-Technik |
| технология КМДП-транзисторных ИС | CMIS-Technik |
| технология КМДП-транзисторных ИС | Komplementartechnik |
| технология КМДП-транзисторных ИС | CMIS |
| технология кремниевых затворов | Silizium-Gate-Technologie |
| технология кремниевых МОП-транзисторов | Silizium-MOS Technik |
| технология кремниевых планарных приборов | Siliziumplanartechnologie |
| технология кремниевых планарных приборов | Siliziumplanartechnik |
| технология кремниевых пленарных приборов | Siliziumplanartechnologie |
| технология кремниевых пленарных приборов | Siliziumplanartechnik |
| технология изготовления кремниевых полупроводниковых приборов | Siliziumtechnologie |
| технология изготовления кремниевых полупроводниковых приборов | Siliziumtechnik |
| технология лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами | Stacked-Gate Avalanche Injection MOS |
| технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами | SAMOS |
| технология 1-мкм ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | 1-μm-EPIC-CMOS-Prozess |
| технология 1-мкм ИС | 1-μm-Technologie |
| технология изготовления МНОП ИС с самосовмещёнными затворами | SAMNOS |
| технология изготовления МНОП ИС с самосовмещёнными затворами | SAMNOS-Technik |
| технология МНОП-структур с толстым слоем нитрида кремния | Metal-Thick Nitride Semiconductor |
| технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией | Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source process |
| технология МОП БИС с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-LSI-Technik |
| технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | Dual Injection Floating Gate MOS |
| технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | DIFMOS |
| технология МОП ИС | Bipolar-enhanced MOS |
| технология МОП ИС | BeMOS |
| технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS |
| технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS-Technik |
| технология МОП ИС с молибденовыми затворами | Molybdäntortechnik |
| технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворами | Molybdan-Gate-SAG |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | E/D-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technik |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technologie |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | Vertical MOS |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-groove MOS |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMIS-Technik |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-Graben-MOS-Technologie |
| технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затвором | Single-Poly-Si-Gate-Technik |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Si-Gate-Technik |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT-MOS |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Technik |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Verfahren |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | D-MOS |
| технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем | SATO-Technik |
| технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | Poly-Si-Gate-SAG |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | Local Oxydation of Silicon |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS-Verfahren |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS |
| технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | High-performance Double-density MOS |
| технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | HDMOS |
| технология МОП ИС, усиленных биполярными элементами | Bipolar-enhanced MOS |
| технология изготовления МОП СБИС | MOS-VLSI-Technik |
| технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| технология мощных МОП ИС фирмы "Сименс" | SIPMOS |
| технология изготовления однокристальных БИС | Einchiptechnik |
| технология однокристальных ИС | Monochiptechnik |
| технология плазменного травления | Plasmaätzverfahren |
| технология плазменного травления | Plasmaätztechnik |
| технология поверхностного монтажа | SMD-Technologie |
| технология поверхностного монтажа | Surface-Mount-Technik |
| технология поверхностного монтажа | Surface-Mount-Technologie |
| технология поверхностного монтажа | Aufsetztechnologie |
| технология поверхностного монтажа | SMD-Technik |
| технология поверхностного монтажа | Oberflächenmontagetechnik |
| технология поверхностного монтажа | Surface Mounting Technology |
| технология поверхностного монтажа | Aufsetztechnik |
| технология поверхностного монтажа на поверхность | Aufsetztechnologie |
| технология поверхностного монтажа на поверхность | Aufsetztechnik |
| технология полосковых ИС | Streifenleitungstechnik |
| технология полосковых устройств | Streifenleitungstechnik |
| технология полупроводниковых ИС | monolithische Technik |
| технология полупроводниковых ИС | monolithische Technologie |
| технология изготовления полупроводниковых ИС | Festkörperschaltkreis-technik |
| технология полупроводниковых ИС | Halbleiterblocktechnik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС | Monolithtechnik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС | Festkörperschaltkreistechnik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС с изолирующим оксидным слоем | OXIM-Technik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС с оксидной изоляцией | OXIM-Technik |
| технология изготовления полупроводниковых логических ИС с высокой плотностью упаковки | SLD-Technik |
| технология полупроводниковых приборов с барьером Шоттки | Schottky-Barrieren-Technik |
| технология приборов на МПЛ длиной l/4 | l/4-Stripline-Technik |
| технология приборов на МПЛ длиной λ/4 | λ/4-Stripline-Technik |
| технология приборов на основе GaAs | GaAs-Technologie |
| технология приборов на основе GaAs | GaAs-Technik |
| технология приборов на основе арсенида галлия | GaAs-Technologie |
| технология приборов на основе арсенида галлия | GaAs-Technik |
| технология приборов с зарядовой связью | CCD-Technik |
| технология приборов с многоуровневой структурой | Mehrebenenintegration |
| технология приборов с переносом заряда | Ladungstransfertechnik |
| технология приборов с переносом заряда | CTD-Technik |
| технология приборов типа "пожарная цепочка" | BBD-Technik |
| технология присоединения кристаллов к паучковым выводам кристаллодержателя на гибком ленточном носителе | Spinnenbondtechnik |
| технология РТЛ ИС | RTL-Technik |
| технология СБИС | VLSI-Technologie |
| технология СБИС | VLSI-Technik |
| технология СБИС на одной полупроводниковой пластине | Full-Slice-Technik |
| технология сверхбыстродействующих ИС | Very High Speed Integration |
| технология сверхбыстродействующих ИС | VHSI |
| технология сверхскоростных ИС | Very High Speed Integration |
| технология стандартных ИС | Standardchiptechnik |
| технология изготовления стандартных КМОП ИС | Standard-CMOC-Technik |
| технология УБИС | ULSI-Technik |
| технология ультрабольших ИС | ULSI-Technik |
| технология усовершенствованных Би-КМОП ИС | Advanced Bipolar CMOS |
| технология усовершенствованных Би-КМОП ИС | ABC-Technologie |
| технология усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС | Advanced High-speed CMOS |
| технология усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС | AHC |
| технология усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | Advanced High-speed CMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | Advanced CMOS-Technologie |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | Advanced CMOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Technologie |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | ABC-Technologie |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Twinwell-CMOS-Prozess |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Twin-Tub-CMOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | AHCT |
| технология усовершенствованных КМОП ИС фирмы "Фэйрчайлд" | Fairchild Advanced CMOS Technology |
| технология усовершенствованных КМОП ИС фирмы "Фэйрчайлд" | FACT-Technologie |
| технология усовершенствованных 1-мкм КМОП ИС с двойными карманами | 1-μm-Twinwell-CMOS-Prozess |
| технология усовершенствованных МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Technik |
| технология ЭСЛ ИС | ECL-Technologie |
| технология ЭСЛ ИС | ECL-Technik |
| толстоплёночная технология | Dickschichttechnologie |
| толстоплёночная технология | Dickschichtschaltungstechnologie |
| толстоплёночная технология | Dickschichttechnik |
| толсто-плёночная технология | Dickschichtschaltungs-technologie |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | Advanced Standard Buried-Collector |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC-Technik |
| усовершенствованная Би-КМОП-технология | Advanced Bipolar CMOS |
| усовершенствованная Би-КМОП-технология | ABC-Technologie |
| усовершенствованная ИС со скрытым коллекторным слоем, выполненная по базовой технологии ASBC | ASBC-Schaltkreis |
| усовершенствованная КМОП-технология | ACMOS |
| усовершенствованная КМОП-технология | Advanced CMOS-Technologie |
| усовершенствованная КМОП-технология | Advanced CMOS |
| усовершенствованная КМОП-технология | ACMOS-Technologie |
| усовершенствованная КМОП-технология | ABC-Technologie |
| усовершенствованная технология быстродействующих ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | AHCT |
| усовершенствованная технология быстродействующих КМОП ИС | Advanced High-speed CMOS |
| усовершенствованная технология быстродействующих КМОП ИС | AHC |
| усовершенствованная технология быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | Advanced High-speed CMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen |
| усовершенствованная технология изготовления полупроводниковых логических ИС | ASLT |
| усовершенствованная технология изготовления полупроводниковых логических ИС | Advanced Solid Logic Technology |
| усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | Advanced Polysilicon Self-Aligned |
| усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | APSA |
| усовершенствованные КМОП ИС, выполненные по технологии FACT | FACT-Schaltungen |
| электронно-ионная технология | Elionik |
| электронно-ионная технология | Elektronenionenstrahltechnologie |
| электронно-лучевая технология | Strahltechnologie |
| электронно-лучевая технология | Elektronenstrahltechnik |
| элионная технология | Elionik |
| ЭПИК-технология | EPIC-Verfahren |
| ЭПИК-технология | EPIC-Technik |
| эпитаксиальная технология | Epitaxietechnik |
| эпитаксиальная технология | Epitaxialtechnologie |
| эпитаксиальная технология | Epitaxietechnologie |
| эпитаксиальная технология | Epitaxieverfahren |
| эпитаксиальная технология | Epitaxialtechnik |
| эпитаксиально-планарная кремниевая технология | Silizium-Epitaxie-Planar-Technik |
| эпитаксиально-планарная технология | Epitaxie-Planar-Technologie |
| эпитаксиально-планарная технология | Epitaxie-Planar-Technik |
