| Russian | German |
| автономно работающий генератор | freischwingender Oszillator |
| автономно работающий генератор | freilaufender Oszillator |
| автономно работающий тактовый генератор | freilaufender Taktgenerator |
| автономно работающий ТТЛ-генератор | freischwingender TTL-Generator |
| АЦП, работающий по методу перераспределения заряда | Charge-Redistribution-ADC |
| выходной каскад, работающий в режиме с "утягиванием" потенциала "вверх" | Pull-up-Endstufe |
| выходной каскад, работающий в режиме с "утягиванием" потенциала "вниз" | Pulldown-Ausgangsstufe |
| динод, работающий на прохождение | durchschießbarer Sekundärelektronenemitter |
| диод, работающий в инверсном включении | Rückstromdiode |
| диод, работающий в инверсном включении | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Rückflussdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Rückstromdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Inversdiode |
| диод, работающий в прямом включении | Durchflussdiode |
| диод, работающий в режиме накопления заряда | Speicherdiode |
| диод, работающий в режиме обратного включения | Rückstromdiode |
| диод, работающий в режиме обратного включения | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Rückstromdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Inversdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Rückflussdiode |
| диод, работающий в режиме прямого тока | Durchflussdiode |
| ЗУ, работающее с центральным процессором | rechnerabhängiger Speicher |
| исправно работающий элемент | nichtausgefallenes Element |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения | n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| контакт, работающий на эффекте растекания | Spreading-Kontakt |
| лазер, работающий в непрерывном режиме | CW-Laser |
| лазер, работающий в режиме с модулированной добротностью | gütegeschalteter Laser |
| лазер, работающий в режиме с модулированной добротностью | gutegeschalteter Laser |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Transistor vom Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungstyp-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Feldeffekttransistor des Verarmungstyps |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-FET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Transistor vom Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-IFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MIS-FET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-FET |
| микроЭВМ, работающая в режиме реального времени | Echtzeitrechner |
| микро-ЭВМ, работающая в режиме реального времени | Echtzeitrechner |
| МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOSFET vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор во встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| нагрузочный транзистор, работающий в режиме обеднения | Verarmungstyp-Lasttransistor |
| память, работающая под управлением центрального процессора | Online-Speicher |
| периферийные устройства, работающие на линии с ЭВМ | erste Peripherie (внешние ЗУ, устройства ввода-вывода) |
| полевой транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-FET |
| полевой транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | DFET |
| полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия, работающий в режиме обеднения | GaAs-D-MESFET |
| полевой транзистор Шоттки со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | DMESFET |
| полевой транзистор Шоттки со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion mode MESFET |
| полевой транзистор Шоттки со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | D-MESFET |
| полевой транзистор Шоттки, работающий в режиме обогащения | Enhancement mode MESFET |
| полевой транзистор Шоттки, работающий в режиме обогащения | ENFET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MESFET |
| работающий в режиме обеднения | Depletion FET |
| самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения обеднения | selbstjustierende Enhancement-Depletion-Technik |
| самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения-обеднения | selbstjustierende Enhancement-Depletion-Technik |
| синхронно-работающий передатчик | Mitlaufsender |
| тактовый генератор, работающий в режиме автоколебаний | astabiler Taktgenerator |
| транзистор, работающий в ключевом режиме | Zerhackertransistor |
| транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Transistor vom Verarmungstyp |
| транзистор, работающий в режиме обеднения | Verarmungstransistor |
| транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-Transistor |
| транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-Transistor |
| транзистор, работающий в режиме обогащения | Transistor vom Anreicherungstyp |
| транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungstransistor |
| транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| формирователь, работающий в мультиплексном режиме | Multiplextreiber |
| ЦАП, работающий по методу перераспределения заряда | Charge-Redistribution-DAC |
