Russian | English |
активация легирующей примеси | impurity activation |
активация легирующей примеси | dopant activation |
атом легирующей примеси | dopant atom |
атом примеси | foreign atom |
взаимная диффузия легирующей примеси | dopant interdiffusion |
взаимодействие примеси и дефекта | impurity-defect interaction |
выделение примеси | impurity liberation |
вытеснение примеси | rejection of impurity |
газообразная примесь | impurity gas |
газообразная примесь | dopant gas |
геттерирование примеси | dopant gettering |
градиент распределения легирующей примеси | impurity gradient |
деформация вызванная диффузией примеси | diffusion-induced strain |
диффузия акцепторной примеси | p-type diffusion |
доза имплантированных ионов примеси | ion-implantation dosage |
загонка ионов примеси | predep implantation |
загонка примеси | predeposition diffusion |
загонка примеси | predeposit |
загонка примеси | predeposition |
загонка примеси | predeposit step |
загонка примеси | dopant predeposition |
загонять примесь | predeposit |
имплантация ионов акцепторной примеси | p-type ion implantation |
имплантация ионов донорной примеси | n-type ion implantation |
ион акцепторной примеси | p-type impurity ion |
ион акцепторной примеси | acceptor-impurity ion |
ион акцепторной примеси | acceptor ion |
ион донорной примеси | n-type impurity ion |
ион донорной примеси | donor ion |
ион легирующей примеси | doping ion |
ион легирующей примеси | dopant ion |
ионизация легирующей примеси | impurity activation |
ионизация легирующей примеси | dopant activation |
ионно-имплантированная примесь | ion implanted impurity |
ионно-имплантированная примесь | ion-implanted dopant |
ионно-имплантированная примесь | implant |
источник примеси | dopant source |
источник примеси | dopant host |
канал с гауссовским распределением легирующей примеси | Gaussian-doped channel |
комплекс атом примеси-вакансия | impurity-vacancy complex |
контролируемый профиль распределения примеси | tailored doping profile |
контроль глубины проникновения примеси | depth control |
контроль за распределением примеси | impurity control |
концентрация ионизированных атомов примеси | ionized-impurity concentration |
концентрация примесей | doping concentration |
концентрация примеси | dopant concentration |
легирование исходной примесью | predoping |
легирование методом миграции капель расплава с примесью | droplet-migration doping |
легирование примесью из раствора | solute doping |
легирование примесью, уменьшающей время жизни носителей заряда | lifetime-killer doping |
легированный акцепторной примесью | p-doped patterning |
легированный донорной примесью | n-doped |
легированный компенсирующей примесью | counterdoped |
легирующая примесь | impurity |
легирующая примесь | conductivity-type imparting material |
легирующие примеси | dopant species |
металлическая примесь | metal contamination |
метод диффузии из раствора примеси | solute-diffusion technique |
метод легирования донорной примесью | n-type doping technique |
мигрирующая примесь | migrating impurity |
микроследы примеси | ultratrace impurity |
нежелательная примесь | contaminating impurity |
нежелательная примесь | contaminant |
нежелательная примесь | contamination |
неоднородное распределение примеси при выращивании слитков | impurity banding |
неоднородность распределения примеси | dopant inhomogeneity |
область с неравномерным распределением примеси | graded region |
объёмная концентрация примеси | built-in-test impurity concentration |
ограниченный источник примеси | planar source |
отношение концентраций примесей | doping ratio |
пара примесь внедрения-вакансия | interstitial-vacancy pair |
парообразная легирующая примесь | impurity vapor |
пары легирующей примеси | impurity vapor |
плавно меняющаяся концентрация примеси | graded impurity concentration |
плоский источник примеси | planar dopant host |
полная концентрация примеси | net doping density |
поляризованная примесь | polarized impurity |
предварительное осаждение примеси | dopant predeposition |
прибор для определения содержания примесей в полупроводниках | semiconductor impurity analyzer |
примесь в эмиттерной области | emitter impurity |
примесь для кремния | silicon dopant |
примесь для ограничителей канала | channel-stop impurity |
примесь для формирования изолирующей области | isolation dopant |
примесь на поверхности проводника | spin-on impurity |
примесь, нанесённая на поверхность полупроводника | spun-on dopant |
примесь, наносимая на поверхность полупроводника | spin-on dopant |
примесь, определяющая тип проводимости | conductivity determining impurity |
примесь, определяющая тип удельной проводимости полупроводника | conductivity-type determining dopant |
примесь пятой группы | group 5 impurity |
примесь, создающая глубокий уровень | deep-lying impurity |
примесь, создающая мелкий уровень | shallow-lying impurity |
примесь, создающая мелкий уровень | shallow-level impurity |
примесь, создающая свободные носители | free carrier impurity |
примесь, уменьшающая время жизни носителей | lifetime shortening impurity |
примесь, уменьшающая жизнь носителей заряда | carrier killer |
произведение концентрации примеси на толщину слоя | impurity concentration-thickness product |
профиль распределения акцепторной примеси | p profile |
профиль распределения донорной примеси | n profile |
профиль распределения легирующей примеси | impurity profile |
профиль распределения легирующей примеси | doping profile |
профиль распределения примеси в вертикальном направлении | vertical doping profile |
профиль распределения примеси в горизонтальном направлении | lateral doping profile |
профиль распределения примеси по Гауссу | Gaussian impurity profile |
пучок ионов примеси | impurity-ion beam |
равномерность распределения легирующей примеси | doping uniformity |
разгонка примеси | dopant up-diffusion |
разгонка примеси | drive-in diffusion step |
разгонка примеси | post-diffusion |
разгонка примеси | diffusion drive-in |
разгонять примесь | drive-in |
разогнать примесь | drive-in |
рассеяние электронов на ионизированных примесях | ionized impurity scatter |
рассеяние электронов на ионизированных примесях | ionized impurity scattering |
рельеф распределения примеси | dopant pattern |
сегрегация примеси | impurity segregation |
система легирующих примесей | dopant system |
слой с гауссовским распределением примеси | Gaussian-doped layer |
структура с плавно изменяющимся профилем распределения примеси | grade structure |
структура с распределением примеси дельта-функцией | delta-type doping structure |
твёрдый источник примеси | solid source |
тип легирующей примеси | impurity type |
тип легирующей примеси | doping type |
удаление и дезактивация примесей | gettering (напр. с поверхности подложек) |
установка для нанесения легирующей примеси на полупроводник | spin-on dopant coater |
фоновая концентрация примесей | background concentration |
цикл разгонки примеси | drive-in cycle |
энергия активации примеси | impurity activation energy |