Terms for subject Microelectronics containing при

Russian	English
алгоритм восстановления при появлении ошибки с использованием возврата	backward error recovery algorithm
брэгговская дифракция рентгеновских лучей при полном отражении	x-ray total reflective Bragg diffraction
вещества, образующиеся при электрическом разряде	discharge products
включение при напряжении ниже порогового	subthreshold turned-on
время задержки распространения сигнала при включении	turn-on delay
время задержки распространения сигнала при выключении	turn-off delay
время задержки распространения сигнала при переключении	switching delay
время задержки распространения сигнала при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния высокого уровня	disable time of a 3-state output from high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время задержки распространения сигнала при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния низкого уровня	disable time of a 3-state output from low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время задержки распространения сигнала при переходе в состояние "выключено" из состояния высокого уровня	disable time of a 3-state output from high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время задержки распространения сигнала при переходе в состояние "выключено" из состояния низкого уровня	disable time of a 3-state output from low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время задержки распространения сигнала при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние высокого уровня	enable time of a 3-state output to high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время задержки распространения сигнала при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние низкого уровня	enable time of a 3-state output to low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние высокого уровня	enable time of a 3-state output to high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние низкого уровня	enable time of a 3-state output to low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
время запрета срабатывания при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния высокого уровня	disable time of a 3-state output from high level (в тристабильных логических ИС ssn)
время запрета срабатывания при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния низкого уровня	disable time of a 3-state output from low level (в тристабильных логических ИС ssn)
время запрета срабатывания при переходе в состояние "выключено" из состояния высокого уровня	disable time of a 3-state output from high level (в тристабильных логических ИС ssn)
время запрета срабатывания при переходе в состояние "выключено" из состояния низкого уровня	disable time of a 3-state output from low level (в тристабильных логических ИС ssn)
время разрешения срабатывания при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние высокого уровня	enable time of a 3-state output to high level (в тристабильных логических ИС ssn)
время разрешения срабатывания при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние низкого уровня	enable time of a 3-state output to low level (в тристабильных логических ИС ssn)
время разрешения срабатывания при переходе из состояния "выключено" в состояние высокого уровня	enable time of a 3-state output to high level (в тристабильных логических ИС ssn)
время разрешения срабатывания при переходе из состояния "выключено" в состояние низкого уровня	enable time of a 3-state output to low level (в тристабильных логических ИС ssn)
выход годных кристаллов при одинаковом уровне дефектности	isodefect yield
допуск при масштабировании	scaled tolerance
допуск при механической обработке	machining tolerance
изменение электрических параметров при масштабировании	electrical scaling
ионная имплантация при высокой плотности тока	high-current density implant
климатические испытания при повышенных давлении и температуре	pressure-cooker test
коэффициент усиления при малом уровне сигнала	small-signal amplification
коэффициент усиления при разомкнутой цепи обратной связи	open-loop gain
маскирование при проекционной литографии	projection masking
масштаб уменьшения при проекционной литографии	projection reduction scale
нагрузка при испытании в атмосфере горячего пара	damp heat stress
напряжение отключения кристалла при выходе питания за допустимые пределы	power-fail deselect voltage (ssn)
напряжение отключения кристалла при повреждении питания	power-fail deselect voltage (ssn)
напряжение отмены выборки кристалла при выходе питания за допустимые пределы	power-fail deselect voltage (ssn)
напряжение отмены выборки кристалла при повреждении питания	power-fail deselect voltage (ssn)
неоднородное распределение примеси при выращивании слитков	impurity banding
обеспечение безопасности при работе с токсичными газами	hazardous gas safety
образование кратеров при пайке волной припоя	solder cratering (ssn)
оксид, сформированный при низкотемпературном оксидировании	low-temperature oxide
оптимизация длины волны при совмещении	alignment wavelength operation
оптимизация длины волны при совмещении	alignment optimization
оптический контроль при яркой освещённости	bright light examination
осаждение из паровой фазы при очень низком давлении	very low-pressure cvd
отказ, выявленный при квалификационных испытаниях	qualification failure
ошибка при шаговой мультипликации	step-and-repeat error
ошибка совмещения при последовательном формировании слоёв	superposition error
паяное соединение при холодной пайке	cold solder joint
переход при определённой температуре	temperature controlled junction
пиролитическая реакция при осаждении из паровой среды	pyrolytic cvd reaction
поведение диэлектрика при внутренней зарядке	intrinsic charging behavior of dielectric (semfromshire)
поведение при наихудших временных параметрах	worst-case time behavior
полученный при помощи компьютера	computer-generated
последовательность операций при осаждении	deposition scheme
потери при переносе	transfer loss
потери при продольном преобразовании	longitudinal-conversion transfer loss
процесс, проводимый при низком давлении газообразной среды	low-pressure process
процессор, прекращающий работу при появлении ошибки	fail-stop VLSI processor
размещение при последовательном шаговом экспонировании	step-and-repeat juxtaposition
рекристаллизация при жидкостной эпитаксии	liquid-phase epitaxial regrowth
рентгеновская спектроскопия при скользящих углах	glancing-angle X-ray spectroscopy
риск сбоя при переходе из 0 в 1	step-up hazard
риск сбоя при переходе из 1 в 0	step-down hazard
сброс при сбое	discard-at-failure
совмещение фотошаблона при проекционной фотолитографии	projection alignment
совмещение фотошаблона при фотолитографии с зазором	proximity alignment
стабильность при высоком напряжении	high-voltage stability
схема-защёлка при сканировании	scan latch
термообработка при невысокой температуре	softbake
тестирование при определении годных схем	field testing
тестовая пластина, применяемая при разработке технологического	process development wafer
Технология изготовления корпусов микросхем, при которой корпус лишь немного больше кристалла	an integrated circuit packaging technique in which the package is only fractionally larger than the silicon die (ssn)
ток при обратном смещении	reverse-biased current
усиление при малом уровне сигналов	small-signal gain
установка выращивания кристаллов при высоком давлении	high-rate crystal grower
уширение при насыщении	saturation broadening
уширение при сканировании	scanner broadening
фракционирование при определённой температуре	t fractionation
характеристика при обратном смещении	reverse characteristic
химическое осаждение из паровой фазы при атмосферном давлении	atmospheric pressure cvd
химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении	low-pressure cvd
химическое парофазное осаждение при низком давлении	low-pressure chemical vapor deposition (key2russia)
шлак, образовывающийся при лазерном скрайбировании	laser scribing slag
эпитаксиальное выращивание при низком давлении	low-pressure epitaxial growth
эпитаксия при атмосферном давлении	atmospheric pressure epitaxy