| Russian | German |
| ампульный метод | Ampullenverfahren |
| бестигельный метод | tiegelfreies Züchtungsverfahren (выращивания монокристаллов) |
| газотранспортный метод | Gastransportverfahren |
| газотранспортный метод | Gasphasenverfahren |
| гальванический метод | galvanisches Verfahren |
| гидротермальный метод | Hydrothermalverfahren |
| двухдиффузионный метод получения МДП-структур | DMIS-Verfahren |
| двухдиффузионный метод получения МДП-структур | DMIS-Technik |
| диффузия методом открытой трубы | offene Diffusion |
| запись методом фазовой модуляции | phasenmodulierte Aufzeichnung |
| изготовление фотошаблонов и промежуточных фотооригиналов методом электронно-лучевого экспонирования | Schablonenbelichtung |
| измерение параметров ИС двухзондовым методом | Zweisondenmessung |
| измерение параметров ИС четырёхзондовым методом | Viersondenmessung |
| инструмент для монтажа методом накрутки | Wickelwerkzeug |
| йодидный метод | Jodverfahren |
| йодидный метод | Epitaxie |
| контроль методом обратной передачи | Schleifentest |
| копия фотошаблона, полученная методом контактной фотолитографии | Kontaktkopie |
| метод коммутационной автокоррекции нуля | Auto-Zero-Verfahren |
| метод автоматизированного проектирования | CAD-Lösung |
| метод автоматизированной сборки ИС на гибком ленточном носителе | Filmbondingverfahren |
| метод автоматизированной сборки ИС на гибком ленточном носителе | automatisches Folienbondverfahren |
| метод автоматического совмещения электронного луча с реперными знаками на пластине | Elektronenstrahljustierverfahren (при электронно-лучевом экспонировании) |
| метод аксиального осаждения из газовой фазы | VAD-Verfahren |
| метод аксиального осаждения из паровой фазы | VAD-Verfahren |
| метод АСЛН | automatisches Folienbondverfahren |
| метод АСЛН | Filmbondingverfahren |
| метод базового матричного кристалла с макроячейками | Makrozellentechnik |
| метод базовой диффузии | Basisdiffusionsverfahren |
| метод базовой диффузии | BDP |
| метод базовой диффузии | Base Diffusion Process |
| метод базовой изолирующей диффузии | BDI-Verfahren |
| метод базовой изолирующей диффузии | Base-Diffusion-Isolation-Verfahren |
| метод базовой изолирующей диффузии | BDI-Technik |
| метод базовых ячеек | Basiszellenmethode (для проектирования СБИС) |
| метод бесконтактного экспонирования | Abstandsverfahren |
| метод бесконтактного экспонирования | Abstandsbelichtungsverfahren |
| метод бесконтактной печати | Abstandskopierverfahren |
| метод бесконтактной фотолитографии | Abstandsverfahren |
| метод бестигельной зонной перекристаллизации | Zonen-Floating-Verfahren |
| метод бестигельной зонной перекристаллизации | tiegelfreies Zonenschmelzen |
| метод бестигельной зонной плавки | Floating-Zone-Verfahren |
| метод бестигельной зонной плавки | tiegelfreies Zonenschmelzverfahren |
| метод бестигельной зонной плавки | Zonen-Floating-Verfahren |
| метод бестигельной зонной плавки | tiegelfreies Zonenschmelzen |
| метод Бриджмена | Bridgeman-Verfahren |
| метод Бриджмена | Bridgman-Methode |
| метод вакуумного напыления | Aufdampfungsverfahren |
| метод вакуумного напыления | Bedampfungstechnik |
| метод вакуумного напыления | Aufdampftechnik |
| метод вакуумной сублимации | Vakuumsublimationsverfahren |
| метод вакуумной сублимации | Vakuumsublimation |
| метод векторного сканирования | Vektorscan |
| метод векторного сканирования | Vektorscan-Verfahren |
| метод вентильных матриц | Gate-Array-Technologie |
| метод вентильных матриц | Universalschaltkreistechnik |
| метод вентильных матриц | Gate-Array-Technik |
| метод Вернейля | Verneuil-Verfahren |
| метод вертикального анизотропного травления | VATE-Technik |
| метод вертикального анизотропного травления | V-ATE-Verfahren |
| метод визуализации речи | visible-speech-Methode |
| метод влажного травления | Nassätzverfahren |
| метод восстановления кристаллической структуры | Ausheilverfahren (напр., с помощью отжига) |
| метод вплавления-диффузии | Legierungs-Diffusions-Verfahren |
| метод вращения кристалла | Drehkristallverfahren |
| метод вращения кристалла | Drehkristallmethode |
| метод временного муль типлексирования | Zeitmultiplexverfahren |
| метод временного муль типлексирования | Zeitmultiplex |
| метод временного мультиплексирования | Zeitmultiplexverfahren |
| метод временного мультиплексирования | Zeitmultiplex |
| метод временного уплотнения | Time Division Multiplex |
| метод выращивания | Ziehverfahren |
| метод выращивания | Züchtungsverfahren (монокристаллов) |
| метод выращивания из расплава | Züchtung aus der Schmelze |
| метод выращивания из расплава | Ziehen aus der Schmelze |
| метод выращивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Zuchtverfahren |
| метод выращивания кристаллов по Чохральскому | Tiegelziehverfahren |
| метод выращивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Verfahren |
| метод выращивания кристаллов под действием движущегося градиента температуры | Temperatur-Gradienten-Verfahren |
| метод выращивания монокристаллической ленты из расплава | Kristallbänderziehverfahren |
| метод выращивания монокристаллической ленты из расплава | Kristallbanderziehverfahren |
| метод выращивания монокристаллов по Бриджмену | Bridgeman-Verfahren |
| метод выращивания по Чохральскому | Czochalski-Verfahren |
| метод выращивания по Чохральскому | Czochalski-Ziehverfahren |
| метод выращивания с переменной скоростью | rate-growth-Verfahren |
| метод выращивания кристаллов для получения переходов транзисторов с переменной скоростью | Rategrowthverfahren |
| метод выращивания кристаллов для получения переходов транзисторов с переменной скоростью | Rategrownverfahren |
| метод выращивания с переменной скоростью | Ziehen mit wechselnder Geschwindigkeit |
| метод высоковакуумного напыления | Hochvakuumaufdampfverfahren (тонких плёнок) |
| метод вытягивания | Züchtungsverfahren |
| метод вытягивания | Ziehverfahren (кристаллов) |
| метод вытягивания диффузией | Diffusionsziehverfahren |
| метод вытягивания кристаллов | Kristallziehverfahren |
| метод вытягивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Zuchtverfahren |
| метод вытягивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Verfahren |
| метод вытягивания монокристаллической ленты из расплава | Kristallbanderziehverfahren |
| метод вытягивания монокристаллической ленты из расплава | Kristallbänderziehverfahren |
| метод газового легирования | Gasphasendotierungsverfahren |
| метод газового легирования | Gasphasendotierung |
| метод газовой диффузии | Gasdiffusionsverfahren |
| метод газотранспортной эпитаксии | Gastransportverfahren |
| метод гетероэпитаксиального наращивания | Heteroepitaxieverfahren |
| метод гетероэпитаксиального наращивания | Heteroepitaxie |
| метод гидрофобизации | Hydrophobisatiönsverfahren |
| метод горизонтального выращивания кристаллов под действием движущегося градиента температуры | horizontales Temperatur-Gradienten-Verfahren |
| метод горизонтальной зонной плавки | horizontales Zonenschmelzverfahren |
| метод горизонтальной зонной плавки | horizontales Zonenschmelzen |
| метод группового монтажа | Simultanbondverfahren |
| метод группового монтажа | Simultanbestückungstechnik |
| метод группового позиционирования | Simultanbondverfahren |
| метод группового позиционирования | Simultanbestückungstechnik |
| метод групповой пайки | Simultanbondverfahren |
| метод групповой сварки | Simultanbondverfahren |
| метод двойного экспонирования | Doppelexpositionstechnik |
| метод двойной диффузии | Doppeldiffusion |
| метод двойной диффузии | Doppeldiffusionstechnik |
| метод двойной эпитаксии | Doppelepitaxietechnik |
| метод двукратного интегрирования | Zweirampenverfahren |
| метод двукратного интегрирования | Zweiflankenverfahren |
| метод двукратного интегрирования | Zweiflankenintegrationsverfahren |
| метод двулучевой интерференции | Zweistrahlinterferenzverfahren |
| метод двулучевой интерференции | Zweistrahlinterferenz |
| метод двухкратного интегрирования | Dual-Slope-Verfahren |
| метод двухкратного интегрирования | Dual-Slope-Integrationsverfahren |
| метод двухстадийного эпитаксиального выращивания из жидкой фазы | Zweistufen-Flüssigphasenepitaxieverfahren |
| метод двухстадийного эпитаксиального выращивания из жидкой фазы | Zweistufen-Flüssigphasen-epitaxieverfahren |
| метод двухстадийного эпитаксиального наращивания из жидкой фазы | Zweistufen-Flüssigphasenepitaxieverfahren |
| метод двухстадийного эпитаксиального наращивания из жидкой фазы | Zweistufen-Flüssigphasenepitaxie |
| метод двухтактного интегрирования | Zweirampenverfahren |
| метод двухтактного интегрирования | Dual-Slope-Verfahren |
| метод двухтактного интегрирования | Zweiflankenverfahren |
| метод двухтактного интегрирования | Zweiflankenintegrationsverfahren |
| метод двухтактного интегрирования | Dual-Slope-Integrationsverfahren |
| метод двухфазного управления | Zweiphasensystem (ПЗС) |
| метод декорирования | Dekorationsverfahren |
| метод дискретизации с усреднением отсчётов | Boxcarverfahren |
| метод диффузии | Diffusionsmethode |
| метод диффузии в газоносителе | Trägergasdiffusionsverfahren |
| метод диффузии в газоносителе | Trägergasdiffusion |
| метод диффузии в замкнутом объёме | Ampullendiffusionsverfahren |
| метод диффузии в замкнутом объёме | Ampullendiffusion |
| метод диффузии примесей в протоке газа-носителя | Trägergasdiffusionsverfahren |
| метод диффузии из газовой фазы | Gasdiffusionsverfahren |
| метод диффузии из легированного поликристаллического кремния | DOPOS |
| метод диффузии из легированного поликристаллического кремния | Doped Polysilicon Diffusion |
| метод диффузии из легированного поликристаллического кремния | DOPOS-Technik |
| метод диффузия-сплавление | Diffusions-Legierungs-Verfahren |
| метод диффузия-сплавление | Diffusions-Legierungs-Methode |
| метод доступа с очередями | Warteschlangen-Zugriffsverfahren |
| метод единичных приближений | Sägezahnverfahren |
| метод единичных приближений | Sägezahnumsetzung |
| метод единичных приближений | Rampenverfahren |
| метод жидкостного химического травления | nasschemisches Ätzverfahren |
| метод жидкостного травления | Nassätzverfahren |
| метод жидкостной эпитаксии | Flüssigphasenepitaxieverfahren |
| метод жидкостной эпитаксии | Flüssigphasenepitaxie |
| метод жидкофазной эпитаксии | LPE-Verfahren |
| метод защиты подложки оксидным слоем | Oxidmaskenmethode |
| метод зонда | Spitzenverfahren |
| метод зонда | Sondenverfahren |
| метод зондового контроля | Sondenprüfverfahren |
| метод зонного выравнивания | Zonen-Levelling-Verfahren |
| метод зонной очистки | Zonenreinigungsverfahren |
| метод зонной перекристаллизации | Zonenschmelzverfahren |
| метод зонной перекристаллизации | Zonenschmelzen |
| метод зонной плавки | Schmelzschichtverfahren |
| метод тигельной зонной плавки с выравниванием зон | Zonen-Levelling-Verfahren |
| метод изменения скорости роста | Rategrowthverfahren |
| метод изменения скорости роста | Rategrownverfahren |
| метод изоляции элементов ИС базовой диффузией | BDI-Technik |
| метод изоляции элементов ИС базовой диффузией | Base-Diffusion-Isolation-Verfahren |
| метод изоляции элементов ИС базовой диффузией | BDI-Verfahren |
| метод изоляции элементов ИС V-канавками | V-ATE-Verfahren |
| метод изоляции элементов ИС V-канавками | VATE-Technik |
| метод изоляции элементов ИС канавками, заполненными диэлектрическим материалом | Trenchtechnologie |
| метод изоляции элементов ИС канавками с диэлектрическим материалом | Grabenisolationstechnik |
| метод изоляции элементов ИС коллекторной диффузией | CDI-Verfahren |
| метод изоляции элементов ИС коллекторной диффузией | Collector-Diffusion-Isolation-Verfahren |
| метод изоляции элементов ИС коллекторной диффузией | CDI-Technik |
| метод изоляции элементов ИС V-образными канавками | VATE-Technik |
| метод изоляции элементов ИС V-образными канавками | V-ATE-Verfahren |
| метод изоляции V-образными канавками | V-Groove-Prozess |
| метод изоляции V-образными канавками | V-Graben-Prozess |
| метод изоляции элементов ИС V-образными канавками, заполненными поликристаллическим кремнием | VIP-Technik |
| метод изоляции элементов ИС пористым оксидом кремния | IPOS-Prozess |
| метод ионной имплантации | Ionenimplantationstechnik |
| метод ионной имплантации | Implantationsverfahren |
| метод ионно-плазменного напыления | Plasmasprühverfahren |
| метод ионно-плазменного напыления | Plasmasprühtechnik |
| метод ионно-плазменного травления | Ablöseverfahren |
| метод коллективной изолирующей диффузии | CDI-Verfahren |
| метод коллективной изолирующей диффузии | Collector-Diffusion-Isolation-Verfahren |
| метод коллективной изолирующей диффузии | CDI-Technik |
| метод коллекторной изолирующей диффузии | Kollektordiffusionsisolation |
| метод компенсации зарядов | Ladungsausgleichverfahren |
| метод компенсационного интегрирования | Charge-Balancing-Integrationsverfahren |
| метод конечных элементов | Finite-Elemente-Verfahren |
| метод контактного экспонирования | Kontaktbelichtungsverfahren |
| метод контактной печати | Maskenkontaktkopierverfahren |
| метод контактной фотолитографии | Kontaktbelichtungsverfahren |
| метод контроля | Kontrollmethode |
| метод контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом | EMK EBIC-Verfahren |
| метод контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом | EBIC-Verfahren |
| метод крепления выводной рамки | Rahmenbefestigungsmethode (для монтажа кристаллов ИС на ленточном носителе) |
| метод кристаллизация в пламени | Verneuil-Verfahren |
| метод легирования | Legierungsverfahren |
| метод легирования | Dotierungsverfahren |
| метод литографии | Maskenbelichtungsverfahren |
| метод литографии с последовательным шаговым экспонированием | Step-und-Repeat-Verfahren |
| метод литографии с последовательным шаговым экспонированием | Step-and-Repeat-Verfahren |
| метод литья под давлением | Kunststoffspritzverfahren |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | Local Oxydation of Silicon on Sapphire process KHC |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | Local Oxydation of Silicon on Sapphire process |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | LOSOS |
| метод локального оксидирования кремния на сапфире | LOSOS-Technik |
| метод локальной изоляции элементов КНС | Silicon-on-Sapphire/local Buried-Oxide Insulation |
| метод локальной изоляции элементов КНС БИС углублённым оксидом | Silicon-on-Sapphire/local Buried-Oxide Insulation |
| метод локальной изоляции элементов КНС БИС углублённым оксидом | Silicon-on-Sapphirelocal Buried-Oxide Insulation |
| метод Лэнгмюра Блодже | Langmuir-Blodgett-Technik (для получения мономолекулярных плёнок) |
| метод Лэнгмюра-Блодже | Langmuir-Blodgett-Technik (для получения мономолекулярных плёнок) |
| метод маршрутизации | Leitwegverfahren |
| метод межсоединений при использовании микроматричных структур | Micromatrix-Verfahren |
| метод межсоединений при использовании микроматричных структур | Micromatrix-Technik |
| метод микросварки | Bondverfahren |
| метод многократного интегрирования | Mehrflankenintegration |
| метод многократного экспонирования | Mehrfachbelichtungsverfahren |
| метод многолучевой интерференции | Mehrstrahlinterferenzverfahren |
| метод многолучевой интерференции | Mehrstrahlinterferenz |
| метод многотактного интегрирования | Mehrflankenintegration |
| метод многоячеечных структур | Vielfachzellenmethode |
| метод молекулярно-пучковой эпитаксии | MBE-Prozess |
| метод монобридного монтажа | Multichiptechnik |
| метод монобридного монтажа | Multichiphybridtechnologie |
| метод монобридного монтажа | Multichiphybridtechnik |
| метод монтажа | Verdrahtungsverfahren |
| метод монтажа бескорпусных ИС на керамической подложке увеличенных размеров | COB |
| метод монтажа бескорпусных ИС на керамической подложке увеличенных размеров | COB-Technik |
| метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | COB |
| метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | COB-Technik |
| метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | Chips On Board |
| метод монтажа кристаллов | Bondverfahren |
| метод монтажа накруткой | Wickelverdrahtungstechnik |
| метод монтажа накруткой | Wickelverbindungstechnik |
| метод монтажа с контактной гребёнкой | Anschlusskammverfahren |
| метод накачки | Anregungsverfahren |
| метод накопления зарядов | Ladungsspeicherprinzip |
| метод накрутки | Wire-Wrap-Technik |
| метод накрутки | Wickelverdrahtungstechnik |
| метод накрутки | Wickelverbindungstechnik |
| метод нанесения однослойного фоторезиста | Einschichtresistverfahren |
| метод нанесения однослойного фоторезиста | Einschichtlackverfahren |
| метод напайки | Auflötverfahren |
| метод направленной кристаллизации | orientierte Kristallisation |
| метод направленной кристаллизации | orientiertes Kristallisationsverfahren |
| метод направленной кристаллизации | gerichtete Kristallisation |
| метод вакуумного напыления тонких плёнок | Dünnschichtaufampfverfahren |
| метод напыления через маску | Maskenaufdampfverfahren |
| метод насечки | Ritzverfahren |
| метод насечки | Kerbverfahren |
| метод неразрушающего контроля | zerstörungsfreies Prüfverfahren |
| метод неразрушающего контроля | zerstörungsfreie Kontrollmethode |
| метод нисходящего проектирования | Top-Down-Verfahren |
| метод обжима | Quetschtechnik |
| метод обжима | Crimpen (для получения беспаечных контактов) |
| метод обжима | Crimpanschlusstechnik |
| метод обратного плавления | rate-grown with meltback |
| метод обратного плавления | Rückschmelzverfahren |
| метод обратной фотолитографии | Lift-off-Technik |
| метод обратной фотолитографии | Abhebetechnik |
| метод обратной фотолитографии | Lift-off-Verfahren |
| метод обратной фотолитографии | Abhebeprozess |
| метод одинарной диффузии | Einfachdiffusionsverfahren |
| метод одинарной диффузии | Einfachdiffusion |
| метод однократного интегрирования | Einflankenverfahren (при аналого-цифровом преобразовании) |
| метод однолучевого сканирования | Einstrahlrasterverfahren |
| метод однотактного интегрирования | Einflankenverfahren (при аналого-цифровом преобразовании) |
| метод окраски | Anfärbverfahren |
| метод оксидирования при высоком давлении | Hochdruckoxydationsverfahren |
| метод оксидной изоляции с использованием ионной имплантации | Ion-Implanted Oxide-Isolated process |
| метод оксидной изоляции с использованием ионной имплантации | IMOX-метод |
| метод ориентированной кристаллизации | orientiertes Kristallisationsverfahren |
| метод осаждения SiO2 окислением моносилана | Ablagerungsoxydation |
| метод отжига | Ausheilverfahren |
| метод пайки в ванне | Badlötverfahren |
| метод пайки погружением | Badlötverfahren (в расплавленный припой) |
| метод параллельного преобразования | Parallelumsetzungsverfahren |
| метод пассивации поверхности с помощью высокоомного поликристаллического кремния | Semi-Insulating Polycriystalline Silicon |
| метод пассивации поверхности с помощью высокоомного поликристаллического кремния | Semi-Insulating Polycrystalline Silicon |
| метод пассивации поверхности с помощью высокоомного поликристаллического кремния | SIPOS |
| метод паучкового крепления | Spinnenbondtechnik |
| метод перевёрнутого кристалла | Flip-Chip-Verfahren |
| метод перевёрнутого кристалла | flip-chip-Technik Flip-Chip-Technik Flip-Chip-Verfahren |
| метод передачи с временным разделением каналов | Zeitmultiplexverfahren |
| метод передачи с временным разделением каналов | Time Division Multiplex |
| метод пиролитического осаждения | Abscheidung durch thermische Zersetzung |
| метод плавающего тигля | Schwimmtiegelmethode |
| метод плавающего тигля | Schwimmtiegelverfahren |
| метод плавких перемычек | fuse-Technologie |
| метод плазменного травления | Plasmaätzverfahren |
| метод плазменного травления | Plasmaätztechnik |
| метод плоскостного монтажа | Flächenmontagetechnik |
| метод побитового отображения | Bit-Image-Verfahren |
| метод поверхностного монтажа | Flächenmontagetechnik |
| метод поверхностного монтажа с последовательным позиционированием компонентов | Serienbondverfahren |
| метод получения поликремниевых структур с гетеропереходом | Semi-Insulating Polycriystalline Silicon |
| метод получения поликремниевых структур с гетеропереходом | SIPOS |
| метод получения поликремниевых структур с гетеропереходом | Semi-Insulating Polycrystalline Silicon |
| метод поразрядного кодирования | Wägeverfahren |
| метод поразрядного уравновешивания | Wägeverfahren |
| метод последовательного шагового экспонирования | Step-und-Repeat-Verfahren |
| метод последовательного шагового экспонирования | Step-and-Repeat-Verfahren |
| метод последовательной шаговой мультипликации | Bildvervielfältigung nach dem Step-und-Repeat-Verfahren (изображений) |
| метод последовательных приближений | sukzessive Approximation |
| метод последовательных приближений | Wägeverfahren |
| метод потенциального контраста | Spannungskontrasttechnik (метод обнаружения дефектов ИС с помощью растрового электронного микроскопа) |
| метод потенциального контраста | Potentialkontrastverfahren (метод обнаружения дефектов ИС с помощью растрового электронного микроскопа) |
| метод поточного монтажа | In-Line-Bestuckung |
| метод поэлементного отображения | Bit-Image-Verfahren |
| метод преобразования | Umsetzverfahren |
| метод преобразования с единичными приближениями | Sägezahnumsetzung |
| метод преобразования с единичными приближениями | Sägezahnverfahren |
| метод преобразования входного аналогового сигнала с единичными приближениями | Rampenverfahren |
| метод преобразования с помощью АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | Sägezahnumsetzung |
| метод преобразования с помощью АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | Sägezahnverfahren |
| метод преобразования входного аналогового сигнала с помощью АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | Rampenverfahren |
| метод приклеивания | Kleben (монтаж кристаллов и подложек) |
| метод присоединения | Anschlussverfahren |
| метод присоединения кристаллов | Bondverfahren |
| метод присоединения проволочных выводов | Drahtbondverfahren |
| метод проверки печатных плат | Platinenprüfverfahren |
| метод программирования ППЗУ лавинно-индуцированной миграцией | AIM-Prozess |
| метод программируемой разводки | Programmed Interconnection Process |
| метод проектирования БИС на основе БМК | Universalschaltkreistechnik |
| метод проектирования БИС на основе БМК | Master-Slice-Technik |
| метод проектирования матричных БИС | Gate-Array-Technologie |
| метод проектирования матричных БИС | Gate-Array-Technik |
| метод проектирования на основе библиотеки макроэлементов | Makrozellenentwurf (и макроячеек) |
| метод проекционной ионно-лучевой литографии с шаблоном | Maskenionenstrahllithografie |
| метод проекционной литографии | Elektronenprojektionsverfahren |
| метод проекционной литографии с передачей рисунка в масштабе Х:1 | X:1-Projektionsbelichtung |
| метод проекционной литорафии | Maskenprojektionsverfahren |
| метод проекционной печати | 1:1-Maskenprojektionsverfahren (с переносом изображения в масштабе 1:1) |
| метод проекционной печати | Maskenprojektionskopierverfahren |
| метод проекционной последовательной шаговой мультипликации | Überdeckungs- und Projektionsrepeatverfahren |
| метод проекционной фотолитографии с пошаговым переносом изображения | Projektionsrepeatverfahren |
| метод проекционной фотолитографии с поэлементным переносом изображения | Projektionsrepeatverfahren |
| метод проекционной фотолиторафии | Maskenprojektionsverfahren |
| метод проецирования маски | Maskenprojektionsverfahren |
| метод проецирования маски | Maskenprojektion |
| метод прореживания по времени | Decimation-in-time Methode (форма алгоритма быстрого преобразования Фурье) |
| метод протонно-стимулированной диффузии | PED-Verfahren |
| метод прямого доступа | Direktzugriffsmethode (к памяти) |
| метод рассеяния | Streuverfahren |
| метод рассеяния | Streumethode |
| метод рассеяния | Scattermethode |
| метод растрового сканирования | Rasterscantechnik |
| метод растрового сканирования | Rasterscanverfahren |
| метод растрового сканирования | Rasterscan |
| метод самодиагностики | Selbstdiagnosemethode |
| метод самосовмещения | selbstjustierendes Verfahren |
| метод скрайбирования | Ritzverfahren |
| метод снятия | Stripping-Verfahren |
| метод снятия слоя | Schichtabtragungsverfahren |
| метод соединений при использовании микроматричных структур | Micromatrix-Verfahren |
| метод соединений при использовании микроматричных структур | Micromatrix-Technik |
| метод соединения обжимом | Quetschtechnik |
| метод соединения с помощью срезного контакта | Schneidklemmenverfahren |
| метод соединения с помощью срезного соединителя | Schneidklemmenverfahren |
| метод спектрального анализа | Spektralanalysenverfahren |
| метод спектрального анализа | Spektralanalyse |
| метод сплавления | Legierungsverfahren |
| метод сублимации | Sublimationsverfahren |
| метод сухого травления | Trockenätzverfahren |
| метод темнового зонда | Dunkelsondenverfahren |
| метод температурного градиента | Temperaturgradientmethode |
| метод теневого маскирования | Schattenmaskenverfahren |
| метод теневого маскирования | Schattenmaskentechnik |
| метод термовакуумного испарения | Bedampfungstechnik (для получения тонких плёнок) |
| метод термовакуумного испарения | Aufdampftechnik (для получения тонких плёнок) |
| метод термовакуумного осаждения из паровой фазы | PVD-Verfahren |
| метод термозонда | Thermosondenverfahren |
| метод термокомпрессии | Thermokompressionsschweißen |
| метод термокомпрессии | Bonden |
| метод термокомпрессионной сварки | Thermokompressionsverfahren |
| метод Томаса-Ферми | Thomas-Fermi-Verfahren |
| метод Томаса-Ферми | Thomas-Fermi-Methode |
| метод точечного сплавления | Punktlegierungsverfahren |
| метод травления распылением | Sprühverfahren |
| метод трассировки | Routing-Technik |
| метод трафаретной печати | Siebdruckverfahren |
| метод тройной диффузии | Dreifachdiffusionstechnik |
| метод трёх масок | Dreimaskenverfahren Herstellungsverfahren für 1С mit drei Masken |
| метод трёхфазного управления | Dreiphasensystem (ПЗС) |
| метод удаления | Stripping-Verfahren (напр., фоторезиста) |
| метод удаления фоторезиста | Fotoresistablöseverfahren |
| метод управляемого совмещения | controlled-collapse-Verfahren (столбиковых выводов перевёрнутого кристалла с контактными площадками подложки) |
| метод управляемого совмещения | controlled-collapse Verfahren (столбиковых выводов перевёрнутого кристалла с контактными площадками подложки) |
| метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или | Separation by Implanted Oxygen |
| метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или Si3N4 в монокристалле кремния имплантацией ионов кислорода или азота с последующим термическим отжигом | Separation by Implanted Oxygen |
| метод формирования программируемых межсоединений | Programmed Interconnection Process |
| метод формирования программируемых межсоединений | Programmed Interconnection Process |
| метод формирования структур ИС с оксидными боковыми стенками | Sidewall-Oxid-Prozess |
| метод локализации процесса электрохимического растворения с помощью фотозонда | Fotosondenverfahren |
| метод фотолитографии | fotolithografisches Verfahren |
| метод фотолитографии | Maskenbelichtungsverfahren |
| метод фотолитографии | Fotomaskierungstechnik |
| метод фотолитографии | Fotomaskentechnologie |
| метод фотолитографии с микрозазором | Proximity-Verfahren |
| метод фотолитографии с микрозазором | Abstandsverfahren |
| метод фотомаскирования | Fotomaskentechnologie |
| метод фототравления | Fotoätztechnik |
| метод фотоупругости | Fotoelastizitätsmethode |
| метод фото-эдс | Foto-EMK-Verfahren |
| метод Хартри | Hartree-Methode |
| метод химического осаждения из газовой фазы | Chemical Vapour Deposition |
| метод химического осаждения из газовой фазы | chemische Dampfphasenabscheidung |
| метод химического осаждения из газовой фазы | CVD-Verfahren |
| метод химического осаждения из газовой фазы | chemische Dampf phasenabscheidung |
| метод химического осаждения из газовой фазы | CVD |
| метод химического осаждения из газовой фазы с плазменным стимулированием | Plasma-CVD-Technik |
| метод химического осаждения из паров металлоорганических соединений | MOCVD-Verfahren |
| метод химического осаждения из паровой фазы | chemische Dampfphasenabscheidung |
| метод химического осаждения из паровой фазы | CVD-Verfahren |
| метод химического осаждения из паровой фазы | Chemical Vapour Deposition |
| метод химического осаждения из паровой фазы | chemische Dampf phasenabscheidung |
| метод химического осаждения из паровой фазы | CVD |
| метод химического осаждения из паровой фазы с плазменным стимулированием | Plasma-CVD-Technik |
| метод центрифугирования | Schleuderverfahren |
| метод циклотронного резонанса | Zyklotronresonanzverfahren |
| метод частотного уплотнения | Frequenzmultiplexverfahren (каналов) |
| метод четырёхкратного интегрирования | Vierrampenverfahren |
| метод четырёхкратного интегрирования | Vierflankenverfahren |
| метод четырёхтактного интегрирования | Vierrampenverfahren |
| метод четырёхтактного интегрирования | Vierflankenverfahren |
| метод Чохральского | Tiegelziehverfahren |
| метод Чохральского | Czochralski-Zuchtverfahren |
| метод Чохральского в магнитном поле | Magnetic field Czochralski |
| метод Чохральского, осуществляемый в атмосфере высокого давления | Hochdruck-Czochralski-Prozess |
| метод Чохральского с обволакиванием расплава инертной жидкостью в магнитном поле | Magnetfeld-LEC-Verfahren |
| метод шариковой термокомпрессии | Nagelkopfkontaktierung |
| метод шариковой термокомпрессии | Nailheadbonden |
| метод шариковой термокомпрессии | Nagelkopfbondverfahren |
| метод экспонирования на микрозазоре | Abstandsverfahren |
| метод экспонирования на микрозазоре | Proximity-Verfahren |
| метод экспонирования на микрозазоре | Abstandsbelichtungsverfahren |
| метод экспонирования с микрозазором | Abstandsbelichtung |
| метод экспонирования с микрозазором | Abstandsbelichten |
| метод электронолитографии с векторным сканированием | Vektorscan-Verfahren |
| метод электронолитографии с изменяемым сечением электронного пучка | Formstrahlverfahren |
| метод электронолитографии с изменяемым сечением электронного пучка | Fotistrahlverfahren |
| метод электронолитографии с профилированным пучком | Fotistrahlverfahren |
| метод электронолитографии с профилированным пучком | Formstrahlverfahren |
| метод электронолитографии с профилированным пучком | Flächenstrahlmethode |
| метод эпитаксиального выращивания | Epitaxieverfahren |
| метод эпитаксии из жидкой фазы | LPE-Verfahren |
| метод эстафетного доступа | Token-Passing-Verfahren |
| метод эстафетной передачи маркёра | Token-Passing-Verfahren (в локальных вычислительных сетях) |
| метод ячеек | Zellenverfahren |
| методы выращивания монокристаллов плавкой в тигле | Tiegelzüchtungsverfahren (по Чохральскому или Бриджмену) |
| методы изоляции | Isolationstechnik (элементов ИС) |
| методы монтажа кристаллов | Bondtechnik |
| методы присоединения кристаллов | Bondtechnik |
| методы травления | Ätztechnik |
| модифицированный метод химического осаждения из газовой фазы | modifiziertes CVD-Verfahren |
| модифицированный метод химического осаждения из газовой фазы | MCVD-Verfahren |
| модифицированный метод химического осаждения из газовой фазы при избыточном давлении | Überdruck-MCVD-Verfahren |
| модифицированный метод химического осаждения из паровой фазы | modifiziertes CVD-Verfahren |
| модифицированный метод химического осаждения из паровой фазы | MCVD-Verfahren |
| модифицированный метод химического осаждения из паровой фазы при избыточном давлении | Überdruck-MCVD-Verfahren |
| монокристалл, выращенный методом Чохральского | CZ-Kristall |
| монокристалл кремния, выращенный методом Чохральского | CZ-Silizium |
| монокристалл кремния, полученный методом бестигельной зонной плавки | Floating-Zone-Silizium |
| монокристалл, полученный методом бестигельной зонной плавки | FZ-Kristall |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | DIMOS |
| область, сформированная методом ионной имплантации | Ionenimplantationszone |
| панель для монтажа соединений методом накрутки | Wrapfeld |
| параллельно-последовательный метод аналого-цифрового преобразования | Parallel-Kaskaden-Verfahren |
| плазмохимический метод осаждения | Plasma-CVD-Technik |
| плазмохимический метод осаждения | PCVD-Prozess |
| побайтовый метод | Bytewide-Modus (записи или передачи данных) |
| присоединение методом шариковой термокомпрессии | Nagelkopfkontaktierung |
| присоединение методом шариковой термокомпрессии | Nailheadbonden |
| присоединение методом шариковой термокомпрессии | Nagelkopfbondverfahren |
| телекоммуникационный метод доступа с очередями | Warteschlangen-Femübertragungsverfahren |
| телекоммуникационный метод доступа с очередями | Warteschlangen-Fernübertragungsverfahren |
| телекоммуникационный метод доступа с очередями | Queued Telecommunication Access Method |
| технологический метод | Prozess |
| технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии | DMIS-Verfahren |
| технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии | DMIS-Technik |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Technik |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Verfahren |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | D-MOS |
| травление методом распыления | Zerstäubungsätzen |
| травление методом распыления | Sputterätzen |
| травление методом распыления | Sprühätzen |
| формирование изображений методом литографии | lithografische Abbildung |
| формирование топологии методом сканирующей электронолитографии | Elektronenstrahlstrukturierung |
| ядерный метод измерения | Kernmessverfahren |
