DictionaryForumContacts

   Russian German
Terms for subject Microelectronics containing затвор) с | all forms | in specified order only
RussianGerman
быстродействующая КМОП ИС с ТТЛ-совместимым затворомHCT-Baustein
быстродействующие КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиHCT
быстродействующие КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиHCMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen
включение МДП-транзистора по схеме с общим затворомTorbasisschaltung
двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором2-Transistor-FAMOS-Speicherelement
двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затворомZweitransistor-FAMOS-Speicherelement
двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором2-Transistor-FAMOS-Speicherelement
интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затворомBipolar-IGFET-Bauelementestruktur
интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затворомBIGFET-Struktur
интегральная схема с кремниевыми затворамиintegrierter Schaltkreis mit Si-Gate
интегральная схема с кремниевыми затворамиintegrierte Schaltung mit Si-Gate
ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затворомFIMOS
ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затворомFloating-gate Ionization-Injection MOS
ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затворомBIGFET
ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затворомBipolar-IGFET
ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затворомBipolar Insulated-Gate Field-Effect Transistor
ИС на МОП-транзисторах с нижним затворомBMOS-Schaltung
ИС усилителя с плавающим затворомFloating-Gate-Verstärker
КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходамиSilicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS
КМОП-структура с многоуровневыми затворамиStapelgate-CMOS
КМОП-структура с составными затворамиStapelgate-CMOS
комплементарная МОП-схема с кремниевым затворомkomplementärer Si-Gate-MOS-Schaltkreis
комплементарная МОП-схема с кремниевым затворомkomplementärer MOS-Schaltkreis mit Si-Gate
комплементарная МОП-схема с кремниевым затворомkomplementärer MOS-IC mit Si-Gate
комплементарная МОП-схема с кремниевым затворомkomplementäre MOS-Schaltung mit Si-Gate
комплементарный полевой транзистор с изолированным затворомCIGFET
комплементарный полевой транзистор с изолированным затворомComplementary Insulated-Gate FETT
компонент в виде быстродействующей КМОП ИС с ТТЛ-совместимым затворомHCT-Baustein
лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затворомFAMOS-Struktur
лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затворомLawineninjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate
лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затворомAvalancheinjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate
лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворамиSAMOS-Struktur
лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворамиStacked-Gate Avalanche Injection MOS
лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворамиSAMOS
лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затворомFAMOS
лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затворомFAMOS-Struktur
лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затворомFloating gate Avalanche injection MOS
лавинно-инжекционные МОП-структуры с многоуровневым затворомStacked-gate Injection MOS
лавинно-инжекционные МОП-структуры с многоуровневым затворомSIMOS
лавинно-инжекционные МОП-структуры с составным затворомStacked-gate Injection MOS
лавинно-инжекционные МОП-структуры с составным затворомSIMOS
лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затворомBauelement mit FAMOS-Struktur
лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затворомLawineninjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate
лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затворомAvalancheinjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate
лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затворомSIMOS-FET
лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затворомSAMOS-FET
лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затворомFAMOS-FET
лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затворомFloating Avalanche Metal Oxide Silicon Transistor
лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затворомFAMOST
лавинно-инжекционный МОП-транзистор с составным затворомSIMOS-FET
логические схемы на полевых транзисторах с изолированным затворомIGFET-Logik
матричная ВИС с распределённым затворомContinuous-Gate-Array
МДП-транзистор с нижним затворомBackgate-MISFET
МНОП-структура с самосовмещёнными затворамиSAMNOS-Struktur
МНОП-структура с самосовмещёнными затворамиSelf-Aligned Gate MNOS
МНОП-структура с самосовмещёнными затворамиSAMNOS
МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затворомDoppel-Poly-Si-Gate-Schaltkreis
МОП ИС с инжекционным плавающим затворомGate-Injection MOS
МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затворомMOS-SGT-Schaltkreis
МОП транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затворомnMOS-SGT-Schaltkreis
МОП-прибор с алюминиевым затворомMOS-Bauelement mit Al-Gate
МОП-прибор с алюминиевым затворомMOS-Bauelement mit Al-Steuerelektrode
МОП-прибор с алюминиевым затворомAl-Gate-MOS-Bauelement
МОП-прибор с кремниевым затворомMOS-Bauelement mit Si-Steuerelektrode
МОП-прибор с кремниевым затворомSi-Gate-MOS-Bauelement
МОП-прибор с кремниевым затворомMOS-Bauelement mit Si-Gate
МОП-структура с двойным поликремниевым затворомDoppel-Poly-Si-Gate-MOS-Struktur
МОП-структура с изолированным затворомMOS-Struktur mit isoliertem Gate
МОП-структура с изолированным затворомMOS-Struktur mit isolierter Steuerelektrode
МОП-структура с изолированным затворомIGMOS
МОП-структура с изолированным металлическим затворомMetall-Isolator-Oxid-Halbleiter Metal-Insulator-Oxide-Semiconductor
МОП-структура с изолированным металлическим затворомMetall-Isolator-Oxid-Halbleiter
МОП-структура с изолированным металлическим затворомMetal-Insulator-Oxide-Semiconductor
МОП-структура с изолированным металлическим затворомMIOS-Struktur
МОП-структура с инжекционным плавающим затворомGate-Injection MOS
МОП-структура с инжекционным плавающим затворомGIMOS
МОП-структура с инжекционным плавающим затворомInjektionsgate-MOS-Struktur
МОП-структура с кремниевым затворомMOS-Struktur mit Si-Steuerelektrode
МОП-структура с кремниевым затворомSilicon Gate Oxide Semiconductor
МОП-структура с кремниевым затворомMOS-Struktur mit Si-Gate
МОП-структура с кремниевым затворомSGOS
МОП-структура с многоуровневыми затворамиSampling Funktion
МОП-структура с нижним затворомBackgate-MOS-Struktur
МОП-структура с нижним затворомBMOS-Struktur
МОП-структура с самосовмещёнными затворамиSAMOS-Struktur
МОП-структура с самосовмещёнными затворамиSelf-Aligned Gate MOS
МОП-структура с самосовмещёнными затворамиSAMOS
МОП-структура с самосовмещёнными затворамиSAGMOS
МОП-схема с кремниевым затворомMOS-Schaltkreis mit Si-Gate
МОП-схема с кремниевым затворомSi-Gate-MOS-Schaltkreis
МОП-схема с кремниевым затворомMOS-IG mit Si-Gate
МОП-транзистор с изолированным затворомMOS-Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
МОП-транзистор с изолированным затворомMOS-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate
МОП-транзистор с изолированным затворомIGFET
МОП-транзистор с инжекционным плавающим затворомGate-Injektions-MOS-Transistor
МОП-транзистор с молибденовым затворомMOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Steuerelektrode
МОП-транзистор с молибденовым затворомMOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Gate
МОП-транзистор с нижним затворомBMOS-FET
МОП-транзистор с нижним затворомBack-gate-FET
МОП-транзистор с нижним затворомBMOS-Feldeffekttransistor
МОП-транзистор с плавающим затворомFloating-Gate-Transistor
МОП-транзистор с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксидаFLOTOX-Transistor
МОП-транзистор с поликремниевым затворомSilicon Gate Transistor
МОП-транзистор с поликремниевым затворомSilicongatetransistor
МОП-транзистор с поликремниевым затворомSiliziumtortransistor
МОП-транзистор с поликремниевым затворомSGT
МОП-транзистор с самосовмещённым затвором, полученный методом двойной диффузииMOSFET mit Diffusionsselbsteinstellung
n-МОП-транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затворомnMOS-SGT-Schaltkreis
однотранзисторная запоминающая ячейка ППЗУ на лавинно-инжекционном МОП-транзисторе с многоуровневым затворомSIMOS-1-Transistor-Speicherelement
однотранзисторная запоминающая ячейка ППЗУ на лавинно-инжекционном МОП-транзисторе с составным затворомSIMOS-1-Transistor-Speicherelement
полевой МОП-транзистор с двойным затворомMOS-Doppelgatefeldeffekttransistor
полевой МОП-транзистор с двойным затворомDoppelgate-MOSFET
полевой транзистор с верхним затворомTopgate-JFET
полевой транзистор с двойным затворомDoppelgate-Feldeffekttransistor
полевой транзистор с двойным затворомDoppelgate-FET
полевой транзистор с затвором в виде диода ШотткиSchottky-FET
полевой транзистор с затвором в виде диода ШотткиSchottky-Sperrschichtfeldeffekttransistor
полевой транзистор с затвором в виде диода ШотткиSchottky-Feldeffekttransistor (ПТШ)
полевой транзистор с затвором в виде диода ШотткиSchottky-Barrieren-Feldeffekttransistor
полевой транзистор с затвором в виде диода ШотткиSchottky-Barrieren-FET
полевой транзистор с затвором ШотткиSchottky-FET
полевой транзистор с затвором ШотткиSchottky-Sperrschichtfeldeffekttransistor
полевой транзистор с затвором ШотткиSchottky-Feldeffekttransistor
полевой транзистор с затвором ШотткиSchottky-Barrieren-Feldeffekttransistor
полевой транзистор с затвором ШотткиSchottky-Barrieren-FET
полевой транзистор с изолированным затворомFeldeffekttransistor
полевой транзистор с изолированным затворомFeldeffekttransistor mit isoliertem Gate
полевой транзистор с изолированным затворомFeldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
полевой транзистор с изолированным затворомIsolierschicht-FET
полевой транзистор с изолированным затворомIsolierschicht-Feldeffekttransistor
полевой транзистор с изолированным затворомInsulated Gate Field-Effect Transistor
полевой транзистор с изолированным затворомIGFET
полевой транзистор с изолированным затворомIFET (ПТИЗ)
полевой транзистор с изолированным затворомFET mit isoliertem Gate
полевой транзистор с изолированным затворомIGT-Transistor
полевой транзистор с изолированным затворомEFET
полевой транзистор с V-образным затворомV-Gate-FET
полевой транзистор с резистивным изолированным затворомRIGFET
полевой транзистор с резистивным изолированным затворомResistive Insulabed Gate Field-Effect Transistor
полевой транзистор с резонансным затворомSchwingungselektrodentransistor
полевой транзистор с самосовмещённым затвором Шотткиselbstjustierter Schottky-FET
полевой транзистор с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем затвораFerroelectric FET
полевой транзистор с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем затвораFEFET
полевой транзистор Шоттки с самосовмещённым затворомSASFET
полевой транзистор Шоттки с самосовмещённым затворомSelf-Aligned Schottky FET
полевой транзистор Шоттки с самосовмещённым затворомSASMESFET
прибор памяти с двумя затворамиDoppelgate-Speicherelement
прибор памяти с двумя затворамиDoppelgate-Speicher
прибор с двойным затворомDoppelgate-Bauelement
прибор с кремниевым затворомBauelement mit Si-Gate
распределённый усилитель с плавающим затворомDistributed Floating-Gate Amplifier
р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затворомp-Kanal-Si-Gate-FET
серия быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиHCT-Reihe
серия быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиHCT-Familie
серия быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиHCT-CMOS-Reihe
серия усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиAHCT-Reihe
структура с кремниевыми затворамиSi-Gate-Struktur
суперинжекционные логические СБИС с самосовмещёнными затворамиSelf-aligned Superinteggration Logic
суперинжекционные логические СБИС с самосовмещёнными затворамиSefl-aligned Superintegration Logic
суперинжекционные логические СБИС с самосовмещёнными затворамиselbstabgleichende Superinjektionslogik
суперинжекционные логические СБИС с самосовмещёнными затворамиSSL
схема с общим затворомTorbasisschaltung
схема с общим затворомGate-Schaltung
технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксидаFlotox
технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксидаFloating-Gate Tunnel Oxide
комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворамиSIGBIP
комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворамиSilicon Gate MOS Bipolar Technology
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затворомSIMOS
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затворомStacked-gate Injection MOS
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затворомSIMOS
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затворомStacked-gate Injection MOS
технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворамиZweiebenen-Polysilizium-technik
технология ИС с распределённым затворомContinuous-Gate-Technologie
технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворамиp-Alg-MOS
технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиn-Kanal-Silizium-Gate-Technologie
технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиn-Kanal-Silicongate-Technologie
технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиn-Kanal-Si-Gate-Technik
технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиp-Kanal-Silicongate-Technologie
технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиp-Kanal-Si-Gate-Technik
технология изготовления КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиCMOS-Siliziumgate-Technik
технология КМОП ИС с поликремниевыми затворамиSiliziumgate-CMOS-Technologie
технология изготовления КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиCMOS-Siliziumgate-Technologie
технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворамиSACMOS-Verfahren
технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворамиSAC~MOS-Verfahren
технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходамиSilicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS
технология лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворамиStacked-Gate Avalanche Injection MOS
технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворамиSAMOS
технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длиныSmall MOS
технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длиныScaled-down MOS
технология МДП-транзисторных ИС с металлическим затворомMetalltortechnik
технология МДП-транзисторных ИС с металлическим затворомMetall-Tor-Technologie
технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металловRMIS-Verfahren
технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металловR/MIS-Verfahren
технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металловRMIS-Technik
технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металловRMIS-Verfahren
технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металловR/MIS-Verfahren
технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металловRMIS-Technik
технология изготовления МНОП ИС с самосовмещёнными затворамиSAMNOS
технология изготовления МНОП ИС с самосовмещёнными затворамиSAMNOS-Technik
технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторамиDual Injection Floating Gate MOS
технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторамиDIFMOS
технология МОП ИС с инжекционным плавающим затворомGIMOS
технология МОП ИС с инжекционным плавающим затворомGIMOS-Technik
технология МОП ИС с молибденовыми затворамиMolybdäntortechnik
технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворамиMolybdan-Gate-SAG
технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затворомSingle-Poly-Si-Gate-Technik
технология МОП ИС с поликремниевыми затворамиSilicon-Gate-Technik
технология МОП ИС с поликремниевыми затворамиSilicon Gate Technology
технология МОП ИС с поликремниевыми затворамиSiliziumgatetechnologie
технология МОП ИС с поликремниевыми затворамиSGT-MOS
технология МОП ИС с поликремниевыми затворамиSi-Gate-Technik
технология МОП ИС с поликремниевыми затворамиSGT
технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоемSATO-Technik
технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиPoly-Si-Gate-SAG
технология МОП-структур с кремниевым затворомSilicon Gate Oxide Semiconductor
технология МОП-структур с кремниевым затворомSGOS
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворамиSRG-Technik
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворамиSelf-Aligned Gate MOS
технология получения МОП-структур с самосовмещёнными затворамиSAMOS
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворамиSAGMOS
технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затворомMetalltortechnik
технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затворомMetall-Tor-Technologie
технология МОП-транзисторных ИС с плавающим затворомFloating-Gate-Technik
технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиnMOS-Silizumgate-Technik
технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиnMOS-Siliziumgate-Technik nSGT
технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиp-SG-MOS
технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворамиSiliziumtortechnik
технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиpMOS-Siliziumgate-Technik pSGT
технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиNMOS-Siliziumgate-Technik
технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворамиSiliziumtortechnologie
технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиn-SG-MOS
технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиnMOS-SGT
технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиnSGT
технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиpMOS-SGT
технология изготовления МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворамиselbstjustierendes Verfahren
технология изготовления МОП-транзисторов с металлическим затворомMetall-Gate-Technik
технология изготовления МОП-транзисторов с металлическим затворомMGT
технология МОП-транзисторов с плавающим затворомFloating-Gate-Technik
технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворамиSiliziumtortechnologie
технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворамиSiliumtortechnologie
технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворамиSiliziumtortechnik
технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиselbstjustierende Siliziumtortechnik
технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиselbstjustierende Siliziumtor
технология получения КМОП-структур с самосовмещёнными затворамиSACMOS-Verfahren
технология получения КМОП-структур с самосовмещёнными затворамиSAC~MOS-Verfahren
технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с плавающим затворомFAMOS-Technik
технология получения МНОП-структур с самосовмещёнными затворамиSelf-Aligned Gate MNOS
технология получения МОП-структур с плавающим затворомMOS-Floating-Gate-Technik
технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворамиp-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie
технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворамиp-Alg-MOS
технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворамиp-Kanal-Metall-Gate-Technologie
технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиp-Kanal-Silicongate-Technologie
технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиp-Kanal-Si-Gate-Technik
технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиpMOS-SGT
технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиpMOS-Siliziumgate-Technik
технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиpSGT
технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворамиp-SG-MOS
технология усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиAdvanced High-speed CMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen
технология усовершенствованных КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиAHCT
транзистор с кремниевым затворомTransistor mit Si-Gate
транзистор с кремниевым затворомSi-Gate-Transistor
транзистор с поликремниевым затворомSi-Gate-Transistor
полевой транзистор с резонансным затворомResonanzgattertransistor
усилитель в схеме с общим затворомGateverstärker
усовершенствованная технология быстродействующих ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиAHCT
усовершенствованная технология быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиAdvanced High-speed CMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen
усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затворомAdvanced Polysilicon Self-Aligned
усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затворомAPSA
усовершенствованные быстродействующие КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиAdvanced High-speed CMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen
усовершенствованные быстродействующие КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворамиAHCT
запоминающая ячейка двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором2-Transistor-FAMOS-Speicherelement
ёмкость перекрытия затвора с подложкойTor-Substrat-Overlaykapazität