| Russian | German |
| последовательный АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | Sägezahnumsetzer |
| последовательный АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | A-D-Umsetzer nach dem Sägezahnverfahren |
| базовая адресация со смещением | Basisadressierung mit Offset |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
| базово-индексная адресация со смещением | indizierte Basisadressierung mit Offset |
| биполярная ИС со скрытым коллекторным слоем, изготовленная по базовой технологии | SBC-Schaltkreis |
| биполярный транзистор со скрытым коллекторным слоем, изготовленный по базовой технологии | SBC-Transistor |
| БИС со степенью интеграции выше сверхвысокой | Super Large-Scale Integration |
| оптическое волокно со ступенчатым изменением показателя преломления | Stufenprofilfaser |
| волокно со ступенчатым изменением показателя преломления | Stufenindexfaser |
| высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| генератор пилообразного напряжения со следящей обратной связью | Bootstrap-Schaltung |
| гетеропереход со структурой n-Ge-p-GaAs | n-Ge-p-GaAs-Hetero-Übergang |
| гетеропереход со структурой n-Ge-p-GaAs | n-Ge-p-GaAs-Hetero-pn-Übergang |
| двухрезонаторный планарный лазер со скрытой гетероструктурой | DC-PBH-Laser |
| диод с отрицательным сопротивлением со связкой | BNR-Diode |
| диодно-транзисторные логические схемы со стабилитронами | Dioden-Z-Dioden-Transistor-Logik |
| диодно-транзисторные логические схемы со стабилитронами | DZTL-Schaltungen |
| диодно-транзисторные логические схемы со стабилитронами | diodengekoppelte Z-Dioden-Transistor-Logik |
| диодно-транзисторные логические схемы со стабилитронами | DZTL |
| диодно-транзисторные логические схемы со стабилитронами | DTLZ |
| диодно-транзисторные логические схемы со стабилитронами | DZTL-Logik |
| диэлектрическая подложка со слоем кремния | SOI-Substrat |
| индексная адресация со смещением | indizierte Adressierung mit Offset |
| интеграция со степенью выше сверхвысокой | Super-LSI |
| ИС источника опорного напряжения на стабилитроне со скрытой структурой | intergrierte Buried-Zener-Referenz |
| ИС на МОП-структуре со скрытым каналом | Buried Channel MOS |
| ИС на МОП-транзисторе со скрытым каналом | BCMOS |
| ИС со сверхвысокой степенью интеграции | höchstintegrierter Schaltkreis |
| ИС со стандартной степенью интеграции | Standardschaltkreis |
| ИС со степенью интеграции выше сверхвысокой | Superchip |
| ИС со степенью интеграции выше сверхвысокой | ELSI-IC |
| ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire Integrated Circuit |
| источник опорного напряжения на стабилитроне со скрытой структурой | Buried-Zener-Referenz |
| источник опорного напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandgap-Referenzspannungsquelle |
| источник опорного напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandgap-Spannungsreferenz |
| источник опорного напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandabstandsreferenz |
| источник опорного напряжения со стабилитроном | Z-Dioden-Referenzspannungsquelle |
| карточка со встроенной микросхемой | Chip-Carrying Card (напр., кредитная) |
| карточка со встроенной микросхемой | IC-Karte |
| карточка со встроенной микросхемой | Chipkarte (напр., кредитная) |
| карточка со встроенной микросхемой | CCC (напр., кредитная) |
| карточка со встроенным кристаллом памяти и микропроцессора | Smart Card |
| карточка со встроенным микропроцессором | intelligente Chipkarte (напр., кредитная) |
| класс устройств со средними техническими характеристиками | Midrange-Bereich |
| комплементарная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire Complementary Metal-Oxide-Semiconductor |
| корпус со штырьковыми выводами | steckbares Gehäuse |
| корпус со штырьковыми выводами | Stiftleitergehäuse (напр., ИС) |
| корпус со штырьковыми выводами | Steckgehäuse |
| кристалл со структурой плотнейшей упаковки шаров | Kristall mit Struktur dichtester Kugelpackung |
| лазер со скрытой гетероструктурой | BH-Laser |
| лазер со скрытой гетероструктурой, полученной методом массопередачи | MTBH-Laser |
| линия задержки со встречно-штыревыми преобразователями | Interdigitalleitung |
| логические схемы со снижением тока | stromziehende Logik |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MIS-FET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-FET |
| метод преобразования с помощью АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | Sägezahnverfahren |
| метод преобразования с помощью АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | Sägezahnumsetzung |
| метод преобразования входного аналогового сигнала с помощью АЦП со ступенчатым пилообразным напряжением | Rampenverfahren |
| многомодовое волокно со ступенчатым профилем показателя преломления | Multimode-Stufenindexfaser |
| многомодовый волоконный световод со ступенчатым профилем показателя преломления | Multimoden-Stufenprofilleiter |
| модем со встроенной микроЭВМ | Smart-Modem |
| МОП-структура со скрытым каналом | Buried Channel MOS |
| n-МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender FET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| обратная связь со сложением напряжений | Serienrückkopplung |
| обратная связь со сложением токов | Parallelrückkopplung |
| однокаскадный усилитель со следящей связью | Bootstrap-Verstärker |
| одномодовый волоконный световод со ступенчатым профилем показателя преломления | Monomoden-Stufenprofilleiter |
| омический контакт со структурой типа Me-n+-n | n+-Metallkontakt |
| омический контакт со структурой типа Ме-p+-p | p+-Metallkontakt |
| панелька со штырьковыми выводами | steckbarer Sockel |
| панелька со штырьковыми выводами | Stecksockel (для ИС) |
| параметры со сниженными номинальными значениями | Derating-Werte (снижение номинальных значений параметров обеспечивает работоспособность и повышение надёжности при эксплуатации в условиях с повышенной температурой) |
| высокочастотный переключатель со структурой резистор изолятор полупроводник | RIS-Schalter |
| высокочастотный переключатель со структурой резистор-изолятор-полупроводник | RIS-Schalter |
| печатающее устройство со сферическим литероносителем | Kugelkopfdrucker |
| печатная плата со сквозными металлизированными отверстиями | durchplattierte Leiterplatte |
| печатная плата со сквозными металлизированными отверстиями | DKL |
| печатная плата со сквозными металлизированными отверстиями | durchkontaktierte Leiterplatte |
| ПЗС со скрытым каналом | CCD-Element mit begrabenem Kanal |
| ПЗС со скрытым каналом | ladungsgekoppelte Schaltung mit vergrabenem Kanal |
| ПЗС со скрытым каналом | Buried-Channel-CCD |
| ПЗС со скрытым каналом | Bulk or Buried Channel Charge-Coupled Device |
| ПЗС со скрытым каналом | BCCD |
| ПЗС со скрытым каналом | BCCD-Bauelement |
| ПЗУ со стиранием ультрафиолетовым излучением | LEROM |
| ПЗУ со стиранием ультрафиолетовым излучением | mit UV-Licht löschbarer ROM |
| ПЗУ со стиранием ультрафиолетовым излучением | Light Erasable ROM |
| полупроводниковая пластина со сформированными структурами ИС | strukturierter Wafer |
| подложка со структурой типа "кремний на сапфире" | SOS-Substrat |
| подложка со сформированными структурами | strukturiertes Substrat |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOSFET vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Entblößungstyp |
| полевой транзистор с обеднением канала, полевой транзистор со встроенным каналом | Depletion FET |
| полевой транзистор со связанным затвором | GAT |
| полевой транзистор со связанным затвором | Gate-Associated Transistor |
| полевой транзистор со статической индукцией | SIT |
| полевой транзистор со структурой металл плёнка Ленгмюра полупроводник | MLS-FET |
| полупроводник со сверхрешёткой | Halbleiter mit Übergitter |
| акустоэлектрический преобразователь со встречно-штыревой структурой | Interdigitalwandler |
| акустоэлектрический преобразователь со встречно-штыревой структурой | IDT (электродов) |
| преобразователь со встречно-штыревой структурой | Interdigital Transducer |
| акустоэлектрический преобразователь со встречно-штыревой структурой электродов | Interdigitalwandler |
| программируемая ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым или рентгеновским излучением | Erasable Programmable ROM |
| программируемое логическое устройство со стиранием | EPLD |
| программируемое ПЗУ со стиранием | Reprogrammable ROM |
| программируемое ПЗУ со стиранием | REPROM (информации) |
| программируемое ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением | UV-EPROM |
| программируемое ПЗУ со стиранием УФ-излучением | EPROM |
| программируемое ПЗУ со стиранием УФ-излучением | E2PROM |
| работа со знаниями | Wissensverarbeitung (в системах искусственного интеллекта) |
| работа со сбоями | Fehlfunktion |
| реле со смоченными ртутью контактами | Quecksilberschalter |
| реле со смоченными ртутью контактами | Quecksilberrelais |
| сапфировая лента со слоем кремния | SOS-Band |
| сапфировая пластина со слоем кремния | SOS-Wafer |
| сапфировая подложка со слоем кремния | SOS-Substrat |
| силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором | Smart-Power-Bauelemente |
| силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором | Smart Power |
| система со сборной шиной | Busschienensystem |
| слой со структурой типа "кремний на сапфире" | SOS-Schicht |
| слой со структурой типа с КНС-структурой | SOS-Schicht |
| спай металла со стеклом | Metall-Glas-Verschmelzung |
| спай со стеклом | Anglasung |
| стабилизатор напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandgap-Spannungsregler |
| стабилитрон со скрытой структурой | vergrabene Z-Diode |
| стабилитрон со скрытой структурой | Buried-Z-Diode |
| стекловолокно со смещённой дисперсионной характеристикой | Shifted-Fiber (для световодов 1,55-мкм диапазона) |
| стойка со штырьками для монтажа методом накрутки | Wrap-Pfosten |
| стойка со штырьками для монтажа методом накрутки | Winkelpfosten |
| стойка со штырьками для монтажа методом накрутки | Wire-Wrap-Pfosten |
| сумматор со сквозным переносом | Paralleladdierer mit seriellem Übertrag |
| схема со следящей обратной связью | Bootstrap-Schaltung |
| схема со смешанной синхронизацией | flankenzustandsgetriggerte Schaltung |
| счётчик со сквозным переносом | Ripple-Counter |
| термокомпенсированный источник опорного напряжения со стабилитроном | temperaturkompensierte Z-Dioden-Referenzspannungsquelle |
| технология ИС на диодно-транзисторных логических схемах со стабилитронами | DTZL-Technik |
| технология ИС со структурой типа "кремний на диэлектрике" | ESFI-Technik |
| технология ИС со структурой типа "кремний на диэлектрике" | ESFI |
| технология изготовления ИС со структурой типа "кремний на термопласте на диэлектрике" | SDI-Technik |
| технология изготовления ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silizium-Saphir-Technik |
| технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS-Technik |
| технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | Buried Oxide MOS |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS-Technik |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
| технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| транзистор со встроенным каналом | Normally-On-Transistor |
| транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером со сверхвысоким усилением | Super-B-Transistor |
| биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером со сверхвысоким усилением | Super-β-Transistor |
| транзистор со статической индукцией | Static Induction Transistor |
| транзистор со статической индукцией | statischer Influenztransistor |
| полевой транзистор со структурой металл диэлектрик полупроводник | Metal Insulator Silicon Field-Effect Transistor |
| полевой транзистор со структурой металл диэлектрик полупроводник | MISFET |
| полевой транзистор со структурой металл диэлектрик полупроводник | integrierter MIS-Transistor |
| транзистор со структурой металл нитрид оксид полупроводник | MNOS-Feldeffekttransistor |
| транзистор со структурой металл оксид полупроводник | Metal Oxide Silicon Field-Effect Transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник | integrierter MIS-Transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник | Metal Insulator Silicon Field-Effect Transistor |
| транзистор со структурой металл-нитрид-оксид-полупроводник | MNOS-Feldeffekttransistor |
| транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | MOSFET |
| транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | Metal Oxide Silicon Field-Effect Transistor |
| транзистор со структурой металл-сегнетоэлектрик-полупроводник | MFS-Transistor |
| триггер со счётным входом | Triggerflipflop |
| экранное управление действиями оператора со стороны системы | Bedienerführung (напр., АРМ, персонального компьютера) |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | Advanced Standard Buried-Collector |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC-Technik |
| усовершенствованная ИС со скрытым коллекторным слоем, выполненная по базовой технологии ASBC | ASBC-Schaltkreis |
| установка электронно-лучевой литографии со сканированием | Wafer-Scanner |
| установка электронолитографии со сканирующим пучком электронов | Wafer-Scanner |
| формирование со-единений | Verdrahtung |
| форсированные испытания со ступенчатым приложением нагрузки | Step-Stress-Test |
| фотодиод со структурой металл полупроводник | Schottky-Fotodiode |
| фотодиод со структурой металл полупроводник | Metall-Halbleiter-Fotodiode |
| фотошаблон со сформированным изображением | strukturierte Fotomaske |
| щелевая ячейка со сформированным на её стенках транзистором | Trenchtransistorzelle |
| электронолитография со сканированием | Scanning Electron Beam Lithography |
| электронолитография со сканированием | Raster-elektronenstrahllithografie |
| электронолитография со сканированием | Rasterelektronenstrahllithografie |
| электронолитография со сканированием | SEBL |
| электронолитография со сканирующим сфокусированным пучком электронов | SEBL |
