| Russian | German |
| база с проводимостью р-типа | p-Basis (биполярного транзистора с n-p-n-структурой) |
| базовая область с проводимостью р-типа | p-Basisgebiet |
| базовая р-диффузия | p-Basisdiffusion |
| вертикальный полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-VFET |
| германий с проводимостью р-типа | p-Germanium |
| гибридная р-модель | p-Ersatzschaltbild (малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора) |
| диод с р-i-n-структурой | pin-Diode PIN-Diode p-i-n-диод |
| диффузия акцепторной примеси р-типа | p-Diffusion |
| диффузия для формирования базы р-типа | p-Basisdiffusion |
| запоминающая ячейка на МОП-транзисторе с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Speicherzelle |
| изолирующая р-область | p-Isolationsgebiet |
| изолирующий р-слой | p-Isolationsschicht |
| изоляция элементов ИС обратносмещёнными р-n-переходами | Isolation mit pn-Übergangen |
| ИС на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltung |
| ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltkreis |
| канал с проводимостью р-типа | p-Kanal |
| карман р-типа | p-Wanne |
| карман с проводимостью р-типа | p-Wanne |
| карман с электропроводностью р-типа | p-Wanne |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| контакт р+-области | p+-Kontakt |
| контактная р+-область | p+-Kontaktgebiet |
| кремниевая пластина с проводимостью р-типа | p-Siliziumscheibe |
| кремниевая пластина с проводимостью р-типа | p-Si-Scheibe |
| кремниевая подложка с проводимостью р-типа | p-Si-Substrat |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью р-типа | p-Siliziumplättchen |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью р-типа | gleitendes Siliziumplättchen |
| кремний с проводимостью р-типа | p-Si |
| кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью р-типа | p-Halbleiterplättchen |
| кристалл с проводимостью р-типа | p-leitender Kristall |
| кристалл ИС с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleiterplättchen |
| легирование акцепторной примесью р-типа | p-Dotierung |
| легирование акцепторной примесью р-типа | p-Dotieren |
| легированный акцепторной примесью р-типа | p-dotiert |
| полупроводниковый материал с проводимостью р-типа | p-Material |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| нормально-закрытый р-МОП-транзистор | selbstperrender pMOS-Transistor |
| область р-типа | p-Bereich |
| область р+-типа | p+-Zone |
| область с проводимостью р-типа | p-leitende Zone |
| полупроводниковая область с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleitergebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-leitendes Gebiet |
| область р+-типа | p+-Gebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-Zone |
| область с проводимостью р-типа | p-Gebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-Bereich |
| островок р-типа | p-Insel |
| охранная р+-область | p+-Isolationsrahmen |
| охранная р+-область | Isolationsrahmen |
| охранное кольцо р+-типа | p+Abschirmring |
| подложка с проводимостью р-типа | p-Substrat |
| подложка с проводимостью р-типа | p-leitendes Substrat |
| полевой транзистор с гексагональными р-областями | HEXFET |
| полевой транзистор с гексагональными р-областями | Hexagonal FET |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-FET |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-JFET |
| полупроводник р-типа | Defektelektronenleiter |
| полупроводник р-типа | Löcherhalbleiter |
| полупроводник р-типа | p-Leiter |
| полупроводник р-типа | p-Typ-Halbleiter |
| полупроводник р-типа | Fehlstellenhalbleiter |
| полупроводник р-типа | Defektelektronenhalbleiter |
| полупроводниковый материал с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleitermaterial |
| проводимость р-типа | p-Leitung |
| проводимость р-типа | Mangelleitung |
| р-канал | p-Kanal |
| р-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-MISFET |
| р-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| р-канальный МОП-транзистор | PIGFET |
| р-канальный МОП-транзистор | p-Kanal-MOS-Transistor |
| р-канальный МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| р-канальный МОП-транзистор | pMOS-Transistor |
| р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором | p-Kanal-Si-Gate-FET |
| р-канальный полевой транзистор | p-Kanal-FET |
| р-канальный полевой транзистор | p-Kanal-Feldeffekttransistor |
| р-канальный полевой транзистор | p-JFET |
| р-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-SFET |
| р-канальный прибор | p-Kanal-Typ |
| р-канальный транзистор | p-Kanal-Typ |
| р-канальный транзистор | p-Kanal-Transistor |
| р+-контакт | p+-Kontakt |
| р-МОП-инвертор | p-MO-Inverter |
| р-МОП-схема | PMOS-Schaltung |
| р-МОП-схема | PMOS-Schaltkreis |
| р-МОП-технология | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| р-МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| р-МОП-транзистор | pMOS-Transistor |
| р-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| р-МОП-транзисторная ИС | PMOS-Schaltung |
| р-МОП-транзисторная ИС | PMOS-Schaltkreis |
| р-область | p-Bereich |
| полупроводниковая р-область | p-leitendes Halbleitergebiet |
| р+-область | p+-Zone |
| р+-область | p+-leitendes Gebiet |
| р+-область | p+-Gebiet |
| р+-n-переход | p+-n-Übergang |
| р-слой | p-leitende Schicht |
| р+-слой | p+-Schicht |
| р+-электрод | p+-Elektrode |
| разделительная р-область | p-Isolationsgebiet |
| с проводимостью р-типа | p-leitend |
| с проводимостью р-типа | p-Typ |
| слой арсенида галлия р-типа | p-Ga-As-Gebiet |
| слой с проводимостью р-типа | p-leitende Schicht |
| слой с проводимостью р-типа | p-Schicht |
| схема на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| технология высоковольтных р-канальных МОП-транзисторов | PMOS-Hochvolttechnik |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-CMOS-Technologie |
| технология МОП БИС с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-LSI-Technik |
| технология низковольтных р-канальных МОП-транзисторов | PMOS-Niedervolttechnik |
| технология р-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie |
| технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| технология р-канальных МОП-приборов | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| технология р-канальных МОП-приборов | p-Kanal-Technik |
| технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами | p-Kanal-Metall-Gate-Technologie |
| технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Silicongate-Technologie |
| технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Si-Gate-Technik |
| технология р-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-Technik |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-Siliziumgate-Technik |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pSGT |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-SGT |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-SG-MOS |
| тиристор с управляющим электродом р-типа | p-Gate-Thyristor |
| токоведущая р дорожка | p-leitende Bahn |
| транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Transistor |
| управляющий электрод р-типа | p-Gate |
| фотодиод с гетероструктурой на основе арсенида галлия n-типа, легированного германием р-типа | n-GaAs-p-Ge-Fotodiode |
| электрод р+-области | p+-Elektrode |
| эпитаксиальный р-слой | p-Epitaxieschicht |
| эпитаксиальный слой с проводимостью р-типа | p-Epitaxieschicht |
