| Russian | German |
| алгоритм поиска пути в лабиринте | Maze-Routing-Algorithmus |
| беспорядок в кристалле | Kristallstörung |
| беспорядок в кристалле | Kristallfehlordnung |
| витая пара в экране | abgeschirmte verdrillte Leitung |
| возврат в программу | Rücksprung in das Programm |
| время входа коллекторного тока в насыщение | Sättigungsanstiegszeit |
| время переключения в схеме с общим эмиттером | Einschaltzeitkonstante in Emitterschaltung |
| время перехода из одного устойчивого состояния в другое | Kippzeit |
| время перехода из одного устойчивого состояния в другое | Kippdauer |
| время спада в области насыщения | Sättigungsabfallzeit |
| вход сигнала установки в состояние "1" | T-Input |
| вход установки в состояние 1 | Eins-Eingang |
| вход установки в состояние "0" | Nulleingang |
| входной сигнал установки в состояние "1" | T-Input |
| вывод данных в реальном времени | Echtzeitausgabe |
| вывод в цифровой форме | Digitalausgabe |
| выполнение в виде ГИС | Hybridisierung |
| выполненный в виде ГИС | hybridintegriert |
| выходной каскад, работающий в режиме с "утягиванием" потенциала "вверх" | Pull-up-Endstufe |
| выходной каскад, работающий в режиме с "утягиванием" потенциала "вниз" | Pulldown-Ausgangsstufe |
| герметизация в псевдоожиженном слое | Fließbettverkappung |
| глубина проникновения электрического поля в полупроводник | Debye-Abschirmungslänge |
| граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| граничная частота коэффициента передачи базового тока в схеме с общим эмиттером | b-Grenzfrequenz |
| граничная частота коэффициента передачи базового тока в схеме с общим эмиттером | β-Grenzfrequenz |
| граничная граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером | Grenzfrequenz für Verstärkung 1 |
| граничная частота усиления по току в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером | b-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером | β-Grenzfrequenz |
| групповое позиционирование компонентов на ленте-носителе в виде плёнки | Trägerfoliensimultanbonden |
| групповое позиционирование компонентов на ленточном носителе в виде плёнки | Trägerfoliensimultanbonden |
| дамп в шестнадцатиричной форме | Hexdump |
| дефект структуры монокристалла в виде чередующихся светлых и тёмных полос | striations |
| дешифратор двоично-десятичного кода в десятичный | BCD-Dezimal-Dekoder |
| дешифратор двоично-десятичного кода в десятичный | BCD-Dekoder |
| дешифратор двоично-десятичного кода в семиэлементный | BCD-zu-7-Segment-Dekoder |
| дешифратор двоично-десятичного кода в семиэлементный | Siebensegmentdekoder |
| дешифратор двоично-десятичного кода в семиэлементный | BCD-Siebensegment-Dekoder |
| дешифратор из 10 в 1 | 1-aus-10-Dekodern |
| дешифратор из 10 в 1 | 1-aus-10-Dekoder |
| диод в прямом включении | Durchflussdiode |
| диод в форме прямоугольного параллелепипеда с выводными площадками | Minimold-Diode (вместо выступающих выводов) |
| диод Ганна в ОНОЗ-режиме | LSA-Diode |
| диод, работающий в инверсном включении | Rückstromdiode |
| диод, работающий в инверсном включении | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Rückflussdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Rückstromdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в обратном включении | Inversdiode |
| диод, работающий в прямом включении | Durchflussdiode |
| диод, работающий в режиме накопления заряда | Speicherdiode |
| диод, работающий в режиме обратного включения | Rückstromdiode |
| диод, работающий в режиме обратного включения | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Rücklaufdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Inversdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Rückstromdiode |
| диод, работающий в режиме обратного тока | Rückflussdiode |
| диод, работающий в режиме прямого тока | Durchflussdiode |
| дисперсия в волноводе | Wellenleiterdispersion |
| дисперсия в материале | Materialdispersion (световода) |
| дифференциальное сопротивление в открытом состоянии | Durchlaßersatzwiderstand (тиристора) |
| диффузия в газе-носителе | Trägergasdiffusion |
| диффузия в газе-носителе | Diffusion im Trägergas |
| диффузия в запаянных эвакуированных кварцевых ампулах | Diffusion in verschmolzenen evakuierten Quarzampullen |
| диффузия в запаянных эвакуированных кварцевых ампулах | Ampullendiffusion |
| диффузия примесей в отпаянной кварцевой ампуле | Ampullendiffusion (метод диффузии примесей в замкнутом объёме) |
| диффузия в подложу | Diffusion in das Substrat |
| диффузия примесей в протоке газа-носителя | Trägergasdiffusion |
| диффузия в среде инертного газа | Diffusion in inerter Gasatmosphäre |
| добавочный резистор в цепи базы | Basisvorwiderstand |
| занесение в стек | Kellerung |
| занесение данных в стек | Einkellerung |
| запас помехоустойчивости в условиях наихудшего случая | Worst-case-Störabstand |
| запись в память | Abspeichern |
| запись в память | Eingabe in den Speicher |
| запись в память | Abspeicherung |
| запись в порт | Portschreiben |
| запись в стек | Kellerung |
| подвижный заряд в канале | Kanalladung |
| заряд, накопленный в базе | Basisspeicherladung |
| заряд подвижных электронов в канале | Elektronenladung im Kanal |
| затухание в волокне | Faserdämpfung |
| затухание в канале | Kanaldampfung |
| затухание в световоде | Lichtwellenleiterdämpfung |
| затухание в стыках | Koppeldampfung (световодного кабеля) |
| знак совмещения в виде штриха | Fadenmarke (на фотошаблоне) |
| верхний значение в конечной точке шкалы | FS-Wert (напр., выходного напряжения) |
| зонная плавка в лодочке | Zonenschmelzen im Tiegel |
| зонная плавка в тигле | Tiegelverfahren |
| ЗУ, интегрированное в кристалле | On-Chip-Speicher |
| избыточные атомы в междоузлиях | Überschusszwischengitteratome |
| избыточный заряд в базе | Basisspeicherladung |
| изготовление в чистом виде | Reindarstellung |
| изделий в час | units per hour |
| изделий в час | units per hour (единица производительности технологического оборудования) |
| изделий в час | Stück pro Stunde |
| изображение в слое фоторезиста | Resistbild |
| изображение в слое фоторезиста | Fotoresistbild |
| изображение, получаемое в слое негативного фоторезиста | Negativresistbild |
| изображение, получаемое в слое позитивного фоторезиста | Positivresistbild |
| изображение, полученное в просвечивающем электронном микроскопе | TEM-Bild |
| изображение, полученное в растровом электронном микроскопе | REM-Abbildung |
| инжекционная логика с использованием подложки в качестве инжектора | substratgespeiste Logik |
| инжекционная логика с использованием подложки в качестве инжектора | Substrate-Fed Logic |
| инжекционная логика с использованием подложки в качестве инжектора | SFL |
| инжекция в неправильной фазе | phasenfalsches Einschießen |
| инжекция в подложку | Substratinjektion |
| инжекция в правильной фазе | phasenrichtiges Einschießen |
| информация, записанная в памяти | Belegung (программы, константы) |
| ионная имплантация в нагретый полупроводник | Hochtemperaturimplantation |
| ИС в безвыводном корпусе | LID |
| ИС в безвыводном кристаллоносителе | Leadless Inverted Device |
| ИС в корпусе | verkappter integrierter Schaltkreis |
| ИС в малогабаритном корпусе типа SO | Small-Outline package IC |
| испаритель в виде тигля | Verdampfertiegel |
| испытание в контрольных точках | Benchmark-Test |
| испытание в эксплуатации | Betriebsprüfung |
| испытание в эксплуатации | Prüfung |
| испытание в эксплуатации | während des Betriebes |
| испытание в эксплуатации | Betriebserprobung |
| испытания в атмосфере насыщенного водяного пара при повышенных давлении и температуре | Dampfdrucktest |
| испытания на коррозионную стойкость в атмосфере SO2 | SO2-Test |
| испытания на коррозионную стойкость в солевом тумане | Salznebeltest |
| кабель в виде скрученной пары проводов | Twisted-Pair-Kabel |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения | n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| колебания атомов в узлах кристаллической решётки относительно положения равновесия | Nullpunktgitterschwingungen |
| коллектор в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor |
| коллекторный переход в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor |
| команда, хранящаяся в памяти | gespeicherter Befehl |
| компенсация погрешности преобразования в конечной точке шкалы | FS-Abgleich (АЦП, ЦАП'а) |
| компенсация погрешности преобразования в конечной точке шкалы | Endwertabgleich (АЦП, ЦАП) |
| компонент в виде быстродействующей КМОП ИС с ТТЛ-совместимым затвором | HCT-Baustein |
| интегральный компонент в форме прямоугольного параллелепипеда с выводными площадками | Minimold-Chip (вместо выступающих выводов) |
| компонент в форме прямоугольного параллелепипеда с выводными площадками | Minimold-Bauelement (вместо выступающих выводов) |
| компонент, предназначенный для навесного монтажа в ГИС | hybridgerechtes Bauelement |
| конденсатор в цепи компенсационной обратной связи | Bootstrapkondensator |
| контроллер с двойным входом в канал | Zweikanaltorsteuerung |
| концентрация легирующей примеси в эмиттере | Emitterdotierung |
| концентрация неосновных носителей в приграничном слое | Minoritätsträgerrandkonzentration (обедненной области) |
| концентрация носителей в приграничном слое | Randkonzentration (p-n-перехода) |
| концентрация носителей в приграничном слое | Bandkonzentration (р-n-перехода) |
| концентрация носителей заряда в приграничном слое коллекторного перехода | Kollektorrandkonzentration |
| концентрация легирующей примеси в подложке | Substratdotierung |
| коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstärkungs-faktor |
| коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstarkungsfaktor |
| коэффициент передачи тока в схеме с общей базой в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstärkungs-faktor in Basisschaltung |
| коэффициент передачи тока в схеме с общей базой в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstarkungsfaktor in Basisschaltung |
| коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstärkungs-faktor in Emitterschaltung |
| коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstarkungsfaktor in Emitterschaltung |
| коэффициент потерь в диэлектрике | dielektrischer Verlustfaktor |
| коэффициент усиления в прямом направлении | Durchlassverstärkung |
| коэффициент усиления в цепи обратной связи | Schleifenverstärkung |
| коэффициент усиления в цепи ООС | negative Schleifenverstärkung |
| коэффициент усиления в цепи ООС | Schleifenverstärkung |
| коэффициент усиления в цепи отрицательной обратной связи | negative Schleifenverstärkung |
| коэффициент усиления в цепи положительной обратной связи | positive Schleifenverstärkung |
| коэффициент усиления в цепи ПОС | positive Schleifenverstärkung |
| коэффициент усиления по постоянному току в схеме с общим эмиттером | Beta |
| коэффициент усиления тока в прямом направлении | Vorwärtsstromverstärkungsfaktor |
| кремниевая ИС в монолитном исполнении | monolithisch integrierrte Siliziumschaltung |
| кристалл, выращенный методом Чохральского в магнитном поле | MCZ-Kristall |
| кристалл, установленный в микроуглубление подложки | eingebetteter Chip |
| критическая длина волны в световоде | Lichtleitergrenzwellenlänge |
| критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии | didt-Wert (тиристора) |
| лазер в импульсном режиме | gepulster Laser |
| лазер, работающий в непрерывном режиме | CW-Laser |
| лазер, работающий в режиме с модулированной добротностью | gütegeschalteter Laser |
| лазер, работающий в режиме с модулированной добротностью | gutegeschalteter Laser |
| легирование в вакууме | Vakuumlegierung |
| легирование в вакууме | Vakuumdotierung |
| легирование в вакууме | Dotierung im Vakuum |
| гибкий ленточный носитель в виде плёнки | Trägerfilm-Carrier |
| линия в виде витой пары проводников | verdrillte Leitung |
| линия в виде скрученной пары проводников | verdrillte Leitung |
| линия связи в состоянии готовности | Hotline |
| логическая схема, сформированная в кристалле | Chipschaltung |
| логические схемы, выполненные в базисе ТЛЭС | ECTL-Schaltungen |
| логические схемы для работы в ненасыщенном режиме | ungesättigte Logik |
| логические схемы для работы в режиме насыщения | gesättigte Logik |
| логические схемы, сформированные в кристалле | interne Chiplogik |
| логический элемент ИЛИ-НЕ, выполненный в базисе логики на буферных полевых транзисторах | NOR in BFL-Schaltung |
| логический элемент ИЛИ-НЕ, выполненный в базисе логики на полевых транзисторах с непосредственными связями | NOR in DCFL-Schaltung |
| метод диффузии в газоносителе | Trägergasdiffusionsverfahren |
| метод диффузии в газоносителе | Trägergasdiffusion |
| метод диффузии в замкнутом объёме | Ampullendiffusionsverfahren |
| метод диффузии в замкнутом объёме | Ampullendiffusion |
| метод диффузии примесей в протоке газа-носителя | Trägergasdiffusionsverfahren |
| метод кристаллизация в пламени | Verneuil-Verfahren |
| метод пайки в ванне | Badlötverfahren |
| метод проекционной литографии с передачей рисунка в масштабе Х:1 | X:1-Projektionsbelichtung |
| метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или Si3N4 в монокристалле кремния имплантацией ионов кислорода или азота с последующим термическим отжигом | Separation by Implanted Oxygen |
| метод Чохральского в магнитном поле | Magnetic field Czochralski |
| метод Чохральского, осуществляемый в атмосфере высокого давления | Hochdruck-Czochralski-Prozess |
| метод Чохральского с обволакиванием расплава инертной жидкостью в магнитном поле | Magnetfeld-LEC-Verfahren |
| методы выращивания монокристаллов плавкой в тигле | Tiegelzüchtungsverfahren (по Чохральскому или Бриджмену) |
| микроЭВМ, работающая в режиме реального времени | Echtzeitrechner |
| микро-ЭВМ, работающая в режиме реального времени | Echtzeitrechner |
| моделирование в реальном времени | Echtzeitsimulation |
| модель поведения транзистора в режиме больших сигналов | Großsignalmodell |
| МОП-прибор в режиме обеднения | MOS-Bauelement in Entblößungsmode |
| МОП-прибор в режиме обеднения | MOS-Bauelement in Verarmungsmode |
| МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Verstärkungsmode |
| МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Anreicherungsmode |
| МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор во встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOSFET vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| мощность в непрерывном режиме | Dauerstrichleistung |
| мощность потерь в закрытом состоянии | Blockierverlustleistung (тиристора) |
| мощность потерь в обратном непроводящем состоянии | Sperrverlustleistung (тиристора) |
| мощность потерь в обратном непроводящем состоянии | Sperrverlust (тиристора) |
| мощность потерь в открытом состоянии | Durchlassverlustleistung (тиристора) |
| мощность потерь в открытом состоянии | Durchlassverlust (тиристора) |
| мощность рассеяния в запертом состоянии | Sperrverlustleistung |
| мощность рассеяния в запертом состоянии | Sperrverlust |
| мощность рассеяния в прямом направлении | Durchlassverlustleistung |
| мощность рассеяния в прямом направлении | Durchlassverluste |
| наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника | Ladungstragerinfluenz (под действием электрического поля или поверхностных состояний) |
| наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника | Ladungsinfluenz (под действием электрического поля или поверхностных состояний) |
| нагрузочный транзистор в интегральном исполнении | integrierter Transistorwiderstand |
| нагрузочный транзистор, работающий в режиме обеднения | Verarmungstyp-Lasttransistor |
| напряжение в закрытом состоянии | Sperrspannung (тиристора) |
| постоянное напряжение в закрытом состоянии | Blockierspannung (тиристора) |
| напряжение в обратном проводящем состоянии | Rückwärtsspannung (тиристора) |
| напряжение в точке перегиба | Abknickspannung (характеристики) |
| напряжение в управляемой выходной цепи | geschaltete Spannung (транзисторного ключа) |
| напряжение диода в пропускном направлении | Flussspannung der Diode |
| напряжение диода в пропускном направлении | Durchlassspannung der Diode |
| напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи эмиттер-база | Kollektor-Emitter-Spannung bei Anschluss eines Widerstandes zwischen Basis und Emitter |
| напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения | Uce sat |
| напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения | Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbetrieb |
| напряжение между эмиттером и базой в режиме насыщения | Ueb sat |
| напряжение между эмиттером и базой в режиме насыщения | Emitter-Basis-Spannung im Sättigungsbetrieb |
| напряжённость электрического поля в приграничном слое | Randfeldstärke |
| напыление в сверхвысоком вакууме | Ultrahochvakuumaufdampfung |
| находится в обратном смещении | sperren (о p-n-переходе alfadeus) |
| находится в прямом смещении | durchschalten (о p-n-переходе alfadeus) |
| неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии | nichtperiodische Spitzenblockierspannung (тиристора) |
| непроводящее состояние тиристора в обратном направлении | Sperrzustand |
| область генерации полупроводникового лазера в виде полоски с поперечным p-n-переходом | Transverse Junction Strip |
| область объёмного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| область пространственного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| обработка в замкнутом объёме | In-Situ-Processing |
| обработка в замкнутом объёме | in situ |
| обработка в реальном времени | Echtzeitverarbeitung |
| окисление в атмосфере влажного кислорода | Feuchtoxydation |
| окисление в атмосфере сухого кислорода | Trockenoxydation |
| окисление в водяном паре | Feuchtoxydation |
| окисление в водяном паре | Dampfoxydation |
| окисление в газовом разряде | Oxydation in der Gasentladung |
| окисление в жидком электролите | elektrolytische Oxydation |
| окисление в жидком электролите | Eloxieren |
| окисление в жидком электролите | elektrochemische Oxydation |
| окисление в парах воды | Oxydation mit Wasserdampf |
| окисление в парах воды | Feuchtoxydation |
| окисление в сухом кислороде | Trockenoxydation |
| окисление в сухом кислороде | Oxydation mit trockenem Sauerstoff |
| окно в оксидном слое | Oxidfenster |
| операционный усилитель в инвертирующем включении | Umkehrverstärker |
| ориентированный на использование в составе автоматизированного рабочего места | arbeitsplatzorientiert |
| ослабление в прямом направлении | Durchgangsdämpfung |
| отказ в период нормальной эксплуатации | Normalausfall |
| отклонение выходной величины в АЦП, ПАП от номинального значения в конечной точке шкалы | Endwertfehler |
| отладка в символических адресах | symbolisches Testen |
| отношение сопротивлений p-n-перехода в запертом и открытом состояниях | Sperrverhältnis |
| отсутствие натекания в вакуумный | Vakuumdichtheit |
| отсутствие натекания в вакуумный объём | Vakuumdichtheit |
| ошибка в данных | Datenfehler |
| ошибка в системе программного обеспечения | Softwarefehler |
| падение напряжения при переключении в прямом направлении | Durchlassspannungsabfall (напр., на диоде) |
| параллельное преобразование данных в режиме реального времени | Parallelreduktion |
| параметры в режиме сильных сигналов | Großsignalparameter |
| передача изображения в масштабе 1:1 | 1:1-Abbildung |
| переключатель в DIP-корпусе | DIP-Schalter |
| переключатель в DIP-корпусе | DIL-Schalter |
| переключатель установки в начальное состояние | Reset-Schalter |
| p-n-переход в германии | Ge-pn-Übergang |
| p-n-переход в кремнии | Silizium-pn-Übergang |
| переход из нормального состояния в сверхпроводящее | n-s-übergang |
| переход из одного связанного состояния в другое | Gebunden-gebunden-Übergang |
| ПЗУ, интегрированное в кристалле | On-Chip-ROM |
| плотность записи или передачи в битах | Bitdichte |
| плотность носителей заряда в инверсионном слое | Inversionsdichte |
| плотность упаковки ИС в эквивалентных логических элементах | Gatterdichte |
| поведение транзистора в высокочастотном режиме | Hochfrequenzverhalten |
| поведение транзистора в режиме малых переменных сигналов | Wechselstromkleinsignalverhalten |
| поведение в режиме переключения | Schaltverhalten (напр., транзистора) |
| поведение транзистора в режиме больших сигналов | Großsignalverhalten |
| повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии | periodische Spitzenblockierspannung (тиристора) |
| повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии | periodischer Spitzendurchlaßstrom (тиристора) |
| подвижность электронов, дырок в слабых полях | Niedrigfeldbeweglichkeit |
| подвижность носителей заряда в объёме полупроводника | Volumenträgerbeweglichkeit |
| поле в зазоре | Spaltfeld z. B. im Luftspalt |
| полевой транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-FET |
| полевой транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | DFET |
| полевой транзистор с затвором в виде диода Шоттки | Schottky-FET |
| полевой транзистор с затвором в виде диода Шоттки | Schottky-Feldeffekttransistor (ПТШ) |
| полевой транзистор с затвором в виде диода Шоттки | Schottky-Sperrschichtfeldeffekttransistor |
| полевой транзистор с затвором в виде диода Шоттки | Schottky-Barrieren-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с затвором в виде диода Шоттки | Schottky-Barrieren-FET |
| полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия, работающий в режиме обеднения | GaAs-D-MESFET |
| полевой транзистор Шоттки со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion mode MESFET |
| полевой транзистор Шоттки со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | DMESFET |
| полевой транзистор Шоттки со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | D-MESFET |
| полевой транзистор Шоттки, работающий в режиме обогащения | ENFET |
| полевой транзистор Шоттки, работающий в режиме обогащения | Enhancement mode MESFET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MESFET |
| полная проводимость в режиме малого сигнала | Kleinsignaladmittanz |
| полное сопротивление в режиме малого сигнала | Kleinsignalimpedanz |
| полупроводниковая пластина, используемая в качестве подложки | Substratscheibe |
| полупроводниковая пластина, используемая в качестве подложки | Halbleitersubstratscheibe |
| порядок расположения в пространстве | räumliche Anordnung |
| порядок расположения в пространстве | Raumordnung |
| потери в изгибах | Biege-Verluste (световода) |
| потери в лазере | Laserverluste |
| потери в стыках | Koppeldampfung (световодного кабеля) |
| потери за счёт утечки в поперечном направлении | Querverluste |
| представление в двоично-десятичном коде | BCD-Zahlendarstellung |
| представление в двоично-десятичном коде | BCD-Darstellung |
| представление в десятичном коде | Dezimaldarstellung |
| преобразователь видеосигнала в цифровой код | Videodigitizer |
| цифровой преобразователь временных интервалов в напряжение | Zeitintervall-Spannung-Umsetzer |
| преобразователь входного аналогового сигнала в частоту | frequenzanaloger Umsetzer |
| преобразователь двоичного кода в десятичный | Binär-Dezimal-Umsetzer |
| преобразователь двоичного кода в код "1 из 8" | Binär-1-aus-8-Dekoder |
| преобразователь двоично-десятичного кода в двоичный | BCD-Dual-Umsetzer |
| преобразователь двоично-десятичного кода в двоичный с обработкой знака | BCD-Dual-Umsetzung mit Vorzeichenbehandlung |
| преобразователь двоичнодесятичного кода в десятичный | BCD-Dezimal-Umsetzer |
| преобразователь двоично-десятичного кода в код "1 из 16" | BCD-zu-1-aus-16-Dekoder |
| преобразователь двоично-десятичного кода в семиэлементный | BCD-Siebensegment-Umsetzer |
| преобразователь из десятичной формы в двоичную | Dezimal-Dual-Umsetzer |
| преобразователь из десятичной формы в двоичную | Dezimal-Binär-Umsetzer |
| преобразователь изображения в цифровой код | Image Digitizer |
| преобразователь изображения в цифровой код | Bilddigitalisiergerät |
| преобразователь оптического излучения в электрические сигналы | optisch-elektrischer Wandler |
| преобразователь оптического излучения в электрические сигналы | optischelektrischer Wandler |
| преобразователь переменного напряжения в постоянное | ACDC-Wandler |
| преобразователь постоянного напряжения в переменное | DC/AC-Wandler |
| преобразователь постоянного напряжения в переменное | DC/AC-Converter |
| преобразователь уровней ТТЛ в КМОП | TTL-CMOS-Pegelwandler |
| преобразователь уровней ТТЛ в ЭСЛ | TTL-zu-ECL-Translator |
| преобразователь уровней ТТЛ в ЭСЛ | TTL-ECL-Pegelumsetzer |
| преобразователь уровней ЭСЛ в ТТЛ | ECL-TTL-Pegelwandler |
| преобразователь уровней ЭСЛ в ТТЛ | ECL-zu-TTL-Translator |
| преобразователь уровней ЭСЛ в ТТЛ | ECL-TTL-Pegelwandler ECL-zu-TTL-Translator |
| преобразователь уровней ЭСЛ в ТТЛ | ECL-TTL-Pegelumsetzer |
| примесь в междоузлии | Zwischengitterverunreinigung |
| примесь в междоузлии | Zwischengitterstörstelle |
| примесь в приповерхностном слое | flache Störstelle |
| пробивная прочность в обратном направлении | Sperrspannungsfestigkeit |
| пробой перехода в связи с увеличением напряжённости электрического поля в переходе | elektrischer Durchbruch |
| пробой перехода в связи с увеличением напряжённости электрического поля в переходе | Felddurchbruch |
| проводимость в запирающем направлении | Sperrleitwert |
| проводимость в примесной зоне | Störbandleitung |
| проводимость в пропускном направлении | Flussleitwert |
| проводимость в прямом направлении | Vorwärtsleitfähigkeit |
| прокаливание в вакууме | Vakuumglühen |
| процесс, проводимый в замкнутом объёме | In-Situ-Prozess |
| работа транзистора в малосигнальном высокочастотном режиме | Kleinsignalhochfrequenzverhalten |
| работа транзистора в низкочастотном малосигнальном режиме | Niederfrequenzkleinsignalverhalten |
| работа транзистора в режиме малого сигнала на высокой частоте | Kleinsignalhochfrequenzverhalten |
| работа транзистора в режиме малого сигнала на высокой частоте | Hochfrequenzkleinsignalverhalten |
| работа транзистора в режиме малого сигнала на низкой частоте | Niederfrequenzkleinsignalverhalten |
| работа транзистора в режиме малых сигналов | Kleinsignalverhalten |
| работа транзистора в режиме малых сигналов на переменном токе | Wechselstromkleinsignalbetrieb |
| работа в режиме разделения времени | Zeitscheibenbetrieb |
| работающий в режиме обеднения | Depletion FET |
| рабочий фотошаблон для переноса изображения в масштабе 1:1 | Arbeitsmaske für 1:1-Übertragung |
| рабочий фотошаблон для переноса изображения в масштабе 1:1 | Arbeitsmaske für l:l-Übertragung |
| размеры корпуса ИС в дюймах | Zollraster |
| распечатка в шестнадцатиричном коде | Hexdump |
| рассасывание неосновных носителей в базе | Ausräumen der Basis |
| рассасывание неосновных носителей в обеднённом слое | Ausräumen der Ladungsträger in der Sperrschicht (p-n-перехода) |
| рассасывание неосновных носителей в области базы | Ausräumen der Basis |
| рассеиваемая мощность при отсутствии тока в нагрузке | Ruheverlustleistung |
| рассеяние в валентной зоне | Valenzbandstreuung |
| реакция в газовой фазе | Gasphasenreaktion |
| реакция в газовой фазе | Dampfreaktion |
| реакция в паровой фазе | Gasphasenreaktion |
| реакция в паровой фазе | Dampfreaktion |
| резистивная полоска в форме меандра | mäanderförmiger Widerstandsstreifen |
| рекомбинация в слое объёмного заряда | Rekombination in der Raumladungsschicht |
| рисунок в плёнке | Schichtmuster (напр., на поверхности фотошаблона) |
| рисунок в слое | Schichtmuster |
| сборка и монтаж кристаллов в кристаллодержатели с паучковыми выводами на гибком ленточном носителе | Spinnenmontage |
| сброс в начальное состояние | Reset |
| сброс в нуль | Nullstellen |
| сброс в нуль | Nullsetzen |
| сброс системы в начальное состояние | Systemreset |
| свет, распространяющийся в сердцевине | Kernlicht (волокна) |
| скорость изменения заряда конденсатора хранения схемы выборки хранения в режиме хранения | Drooprate |
| скорость изменения напряжения конденсатора хранения схемы выборки хранения в режиме хранения | Drooprate |
| скорость передачи данных в бодах | Baudrate |
| скорость передачи данных в байтах | Byterate |
| скорость передачи данных в битах в секунду | Bitrate |
| скорость передачи данных в битах в секунду | Bitgeschwindigkeit |
| скорость передачи данных в битах в секунду | Bitfrequenz |
| средний ток в обратном проводящем состоянии | Nennsperrstrom (тиристора) |
| средний ток в открытом состоянии | Nenndurchlaßstrom (тиристора) |
| средний ток в открытом состоянии | Dauergrenzstrom (тиристора) |
| степень функциональной сложности БИС, СБИС в эквивалентных логических элементах | Gatterkomplexität |
| стирание данных в ЗУ | Abspeicherung |
| стирание данных в ЗУ | Abspeichern |
| стирание данных в памяти | Abspeicherung |
| стирание данных в памяти | Abspeichern |
| столкновение в результате теплового движения | thermischer Zusammenstoß |
| столкновение в результате теплового движения | thermischer Stoß |
| ступенька в оксидном слое | Oxidstufe |
| сушка в вакууме | Vakuumtrocknung |
| сушка в вакууме | Vakuumtrocknen |
| сформированный в кристалле | chipintern (о компонентах ИС) |
| схема в базисе логики на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL-Schaltung |
| схема ИЛИ НЕ в базисе ЭСЛ | ECL-NOR-Schaltkreis |
| схема ИЛИ-НЕ в базисе ЭСЛ | ECL-NOR-Schaltkreis |
| тактовый генератор, работающий в режиме автоколебаний | astabiler Taktgenerator |
| температура перехода в жидкое состояние | Liquidustemperatur |
| температура перехода в твёрдое состояние | Solidustemperatur |
| термообработка в СВЧ-печи | Mikrowellenhärtung |
| техника выполнения ИС в базисе ДТЛ | DTL-Technik |
| техника выполнения ИС в базисе РТЛ | RTL-Technik |
| техника выполнения ИС в базисе ТТЛ | TTL-Technik |
| техника выполнения ИС в базисе ТТЛ | T2L-Technik |
| травление островок в маскирующем слое | Freiätzen der Inseln in der Maske |
| транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| трассировщик соединений в многослойных печатных платах | Multilayer-Router |
| углубление в основании корпуса | Chipversenkung (для прямого монтажа кристалла) |
| ударный неповторяющийся ток в обратном проводящем состоянии | Stoßstrom in Sperrichtung (тиристора) |
| ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии | Stoßstrom (тиристора) |
| ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии | Stoßstrom in Durchlassrichtung (тиристора) |
| узел в плоском исполнении | Flachbaugruppe |
| узел в сетке дислокаций | Knoten im Versetzungsgitter |
| упаковка в гибкий ленточный носитель | Gurtung |
| управляемый в режиме меню | menügeführt |
| уровень Ферми в беспримесном полупроводнике | Eigenleitungs-Ferminiveau |
| уровень Ферми в собственном полупроводнике | Eigenleitungs-Ferminiveau |
| усилитель в релейном режиме | Kippverstarker |
| усилитель в схеме с общей базой | Basisverstärker |
| усилитель в схеме с общим истоком | Sourceverstärker |
| усилитель в схеме с общим коллектором | Kollektorverstärker |
| усилитель в схеме с общим стоком | Drainverstärker |
| усилитель в схеме с общим эмиттером | Emitterverstärker |
| усилитель на паре Дарлингтона в цепи коллектора | Darlington-Kollektorverstärker |
| ускоренные испытания в форсированном режиме | Stresstest |
| ускоренные испытания в форсированных режимах | verschärfte Prüfung |
| установка в ноль | Rücksetzung (напр., регистра) |
| установка проекционной литографии с передачей рисунка в масштабе 1:1 | 1:1-Projektionsanlage |
| установка проекционной фотолитографии с передачей рисунка в масштабе 1:1 | 1:1-Projektionsbelichtungaanlage |
| формирование рисунка в слое резиста | Resiststrukturierung |
| формирование рисунка в слое фоторезиста | Resiststrukturierung |
| формирование структур в слое резиста | Resiststrukturierung |
| формирование структур в слое фоторезиста | Resiststrukturierung |
| формирователь, работающий в мультиплексном режиме | Multiplextreiber |
| фотолитография в оптическом диапазоне длин волн | lichtoptische Fotolithografie |
| химическое осаждение из газовой фазы в вакууме | Vakuum-CVD |
| химическое осаждение из газовой фазы в вакууме | V-CVD |
| химическое осаждение из паровой фазы в вакууме | V-CVD |
| химическое осаждение из паровой фазы в вакууме | Vakuum-CVD |
| хранение в ЗУ | Abspeicherung |
| хранение в ЗУ | Abspeichern |
| хранение в памяти | Abspeicherung |
| хранение в памяти | Abspeichern |
| шифратор "из 8 в 3" | 8-aus-3-Encoder |
| штук в час | units per hour |
| штук в час | units per hour (единица производительности технологического оборудования) |
| штук в час | Stück pro Stunde |
| электроны в кристаллах | Kristallelektronen |
| элементы, находящиеся в резерве | passive Redundanz |
| элементы, находящиеся в резерве | nicht funktionsbeteiligte Redundanz |
| энергопотребление в режиме резерва | Ruheleistungsaufnahme |
| энергопотребление в режиме хранения | Ruheleistungsaufnahme (информации в ячейках памяти) |
| эффект генерации переменного СВЧ-тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstromeffekt |
| эффект генерации переменного СВЧ-тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstrom-Josephson-Effekt |
| эффект генерации переменного тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstromeffekt |
| эффект генерации переменного тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstrom-Josephson-Effekt |
| эффект перехода резистивных свойств субмикронных элементов микросхем в изолирующие при достижении предельной степени миниатюризации | Size-Induced Metal-Insulator Transition |
| эффекты в полупроводниках | Halbleitereffekte |
| близкий к естественному язык, используемый в системах искусственного интеллекта | KI-Sprache |
