 |
| German | Russian |
| n-Ge-p-GaAs-Hetero-pn-Übergang | гетеропереход со структурой n-Ge-p-GaAs |
| NH4H2P04 | дигидрофосфат аммония |
| P2CMOS | П2КМОП-структура |
| P2CMOS | П2КМОП-технология |
| P2CMOS | КМОП-структура с двумя уровнями поли кристаллического кремния |
| parts per billion | частей на миллиард (единица измерения малых концентраций; 1 ppb-10-7 %) |
| parts per billion | частей на миллиард |
| parts per million | частей на миллион (единица измерения малых концентраций; 1 ppm-10-4 %) |
| parts per million | частей на миллион |
| parts per trillion | частей на триллион (единица измерения малых концентраций; 1 ppt-10-10 %) |
| parts per trillion | частей на триллион |
| PEM-Effekt | фотомагнитоэлектрический эффект |
| units per hour | изделий в час (единица производительности технологического оборудования) |
| units per hour | штук в час (единица производительности технологического оборудования) |
| units per hour | изделий в час |
| units per hour | штук в час |