| German | Russian |
| integrierte p-Kanal-MOS-Schaltung | p-канальная интегральная МОП-схема |
| integrierter p-Kanal-MOS-Schaltkreis | p-канальная интегральная МОП-схема |
| MOS-p-Kanal-Netzwerk | схема на р-канальных МОП-транзисторах |
| MOS-p-Kanal-Netzwerk | ИС на р-канальных МОП-транзисторах |
| n-GaAs-p-Ge-Fotodiode | фотодиод с гетероструктурой на основе арсенида галлия n-типа, легированного германием р-типа |
| n-GaAs-p-Ge-Fotodiode | фотодиод с гетероструктурой n-GaAsp-Ge |
| n-Ge-p-GaAs-Hetero-pn-Übergang | гетеропереход со структурой n-Ge-p-GaAs |
| n-Ge-p-GaAs-Hetero-Übergang | гетеропереход со структурой n-Ge-p-GaAs |
| NH4H2P04 | дигидрофосфат аммония |
| P205 | пятиокись фосфора |
| p+Abschirmring | охранное кольцо р+-типа |
| p-Alg-MOS | технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| p-Alg-MOS | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| p-Anreicherungs-MOS-Transistor | МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Basis | база с проводимостью р-типа (биполярного транзистора с n-p-n-структурой) |
| p-Basis | p-база |
| p-Basisdiffusion | диффузия для формирования базы р-типа |
| p-Basisdiffusion | базовая p-диффузия |
| p-Basisdiffusion | диффузия для формирования базы p-типа |
| p-Basisdiffusion | базовая р-диффузия |
| p-Basisgebiet | базовая область с проводимостью р-типа |
| p-Bereich | участок с дырочной проводимостью |
| p-Bereich | p-часть |
| p-Bereich | р-область |
| p-Bereich | область с проводимостью р-типа |
| p-Bereich | область с дырочной проводимостью |
| p-Bereich | область с проводимостью p-типа |
| p-Bereich | область p-типа |
| p-Bereich | p-область |
| p-Bereich | область р-типа |
| Pup 2CCD | профилированный перистальтический ПЗС |
| Pup 2CD-Element | профилированный перистальтический ПЗС |
| P2CMOS | П2КМОП-технология |
| P2CMOS | П2КМОП-структура |
| P2CMOS | технология КМОП-транзисторов с двумя уровнями поликристаллического кремния |
| P2CMOS | КМОП-структура с двумя уровнями поли кристаллического кремния |
| p-Dichte | концентрация акцепторной примеси |
| p-diffundierte Zone | диффузионная p-область |
| p-Diffusion | диффузия акцепторной примеси р-типа |
| p-Diffusion | диффузия акцепторной примеси p-типа |
| p-Diffusion | диффузия акцепторной примеси |
| p-Dotieren | легирование акцепторной примесью р-типа |
| p-Dotieren | легирование акцепторной примесью p-типа |
| p-Dotieren | легирование акцепторной примесью |
| p-dotiert | легированный акцепторной примесью р-типа |
| p-dotiert | легированный акцепторной примесью |
| p-dotiertes Material | дырочный материал |
| p-dotiertes Silizium | кремний p-типа |
| p-Dotierung | легирование акцепторной примесью р-типа |
| p-Dotierung | допирование примесями p-типа |
| p-Dotierung | концентрация акцепторной примеси |
| p-Dotierung | легирование акцепторной примесью |
| p+-Elektrode | электрод р+-области |
| p+-Elektrode | р+-электрод |
| p-Epitaxieschicht | эпитаксиальный слой с проводимостью р-типа |
| p-Epitaxieschicht | эпитаксиальный р-слой |
| p-Ersatzschaltbild | гибридная р-модель (малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора) |
| p-Ga-As-Gebiet | слой арсенида галлия р-типа |
| p-Ga-As-Gebiet | p-GaAs-область |
| p-Ga-As-Gebiet p-GaAs-слой | слой арсенида галлия p-типа |
| p-Gate | управляющий электрод р-типа |
| p-Gate-Thyristor | тиристор с управляющим электродом р-типа |
| p-Gebiet | p-часть |
| p-Gebiet | участок с дырочной проводимостью |
| p-Gebiet | область с проводимостью р-типа |
| p-Gebiet | область с дырочной проводимостью |
| p+-Gebiet | р+-область |
| p+-Gebiet | область р+-типа |
| p-Germanium | p-германий |
| p-Germanium | германий с проводимостью p-типа |
| p-Germanium | германий с проводимостью р-типа |
| p-Halbleiter | дырочный полупроводник |
| p-Halbleiterplättchen | кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью p-типа |
| p-Halbleiterplättchen | кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью р-типа |
| p-Halbleitung | дырочная электропроводность |
| p-Insel | островок р-типа |
| p-Insel | карман p-типа |
| p-Inversionsschicht | p-инверсионный слой |
| p-Isolationsgebiet | разделительная р-область |
| p-Isolationsgebiet | изолирующая р-область |
| p+-Isolationsrahmen | охранная p+-область |
| p+-Isolationsrahmen | охранная р+-область |
| p-Isolationsschicht | изолирующий р-слой |
| p-JFET | полевой транзистор с каналом p-типа |
| p-JFET | p-канальный полевой транзистор |
| p-JFET | р-канальный полевой транзистор |
| p-JFET | полевой транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal | р-канал |
| p-Kanal | канал с проводимостью р-типа |
| p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| p-Kanal-Anreicherungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Kanal-Anreicherungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Kanal-Anreicherungstransistor | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Kanal-Anreicherungstransistor | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Kanal-Anreicherungstyp | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Kanal-Feldeffekttransistor | р-канальный полевой транзистор |
| p-Kanal-Feldeffekttransistor | полевой транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-FET | р-канальный полевой транзистор |
| p-Kanal-FET | полевой транзистор с каналом p-типа |
| p-Kanal-FET | p-канальный полевой транзистор |
| p-Kanal-FET | полевой транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | МДП-транзистор с каналом p-типа |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | р-канальный МДП-транзистор |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | p-канальный МДП-транзистор |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | МДП-транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-JFET | p-канальный полевой транзистор с p-n-переходом |
| p-Kanal-Metall-Gate-Technologie | технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами |
| p-Kanal-MISFET | р-канальный МДП-транзистор |
| p-Kanal-MISFET | МДП-транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| p-Kanal-MOS-Bauelement | p-канальный МОП-прибор |
| p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor | p-канальный полевой МОП-транзистор |
| p-Kanal-MOSFET | p-канальный полевой МОП-транзистор |
| p-Kanal-MOSFET | р-МОП-транзистор |
| p-Kanal-MOSFET | р-канальный МОП-транзистор |
| p-Kanal-MOSFET | МОП-транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-MOS-LSI-Technik | технология МОП БИС с каналом р-типа |
| p-Kanal-MOS-Speicherzelle | запоминающая ячейка на МОП-транзисторе с каналом р-типа |
| p-Kanal-MOS-Transistor | р-канальный МОП-транзистор |
| p-Kanal-MOS-Transistor | МОП-транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-SFET | р-канальный полевой транзистор с p-n-переходом |
| p-Kanal-Si-Gate-FET | р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| p-Kanal-Si-Gate-Technik | технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| p-Kanal-Si-Gate-Technik | технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| p-Kanal-Silicongate-Technologie | технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| p-Kanal-Silicongate-Technologie | технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| p-Kanal-Technik | технология р-канальных МОП-транзисторов |
| p-Kanal-Technik | технология р-канальных МОП-приборов |
| p-Kanal-Technologie | технология p-канальных МОП-транзисторов |
| p-Kanal-Technologie | технология p-канальных МОП-приборов |
| p-Kanal-Transistor | транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-Transistor | р-канальный транзистор |
| p-Kanal-Typ | р-канальный транзистор |
| p-Kanal-Typ | р-канальный прибор |
| p-Kanal-Verarmung-MOS-FET | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения |
| p-Kanal-Verarmungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения |
| p-Kanal-Verarmungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения |
| p-Kanal-Verarmungstyp | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения |
| p-Kanal-Verarmungstyp | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения |
| p-Kanal-VFET | вертикальный полевой транзистор с каналом р-типа |
| p-Karte | контрольная карта числа дефектных изделий или числа дефектов |
| p-Karte | контрольная карта числа дефектных единиц продукции или числа дефектов |
| p+-Kontakt | р+-контакт |
| p+-Kontakt | p+-контакт |
| p+-Kontakt | p+-контакт p+-области |
| p+-Kontakt | контакт р+-области |
| p+-Kontaktgebiet | контактная р+-область |
| p-Ladungsträger | дырки-носители заряда |
| p-Ladungsträger | дырки носители заряда |
| p-leitend | с проводимостью р-типа |
| p-leitend | с дырочной проводимостью |
| p-leitende Bahn | токоведущая p-дорожка |
| p-leitende Bahn | токоведущая р дорожка |
| p-leitende Probe | дырочный образец |
| p-leitende Schicht | слой с проводимостью р-типа |
| p-leitende Schicht | слой (с проводимостью p-типа, p-слой) |
| p-leitende Schicht | р-слой |
| p-leitende Zone | область с проводимостью р-типа |
| p-leitende Zone | p-часть |
| p-leitende Zone | участок с дырочной проводимостью |
| p-leitende Zone | p-слой |
| p-leitende Zone | p-область |
| p-leitender Kanal | канал p-типа |
| p-leitender Kristall | кристалл с проводимостью р-типа |
| p-leitendes Gebiet | область дырочной проводимости |
| p-leitendes Gebiet | область с проводимостью р-типа |
| p+-leitendes Gebiet | р+-область |
| p-leitendes Germanium | p-германий |
| p-leitendes Halbleitergebiet | полупроводниковая р-область |
| p-leitendes Halbleitergebiet | полупроводниковая область с проводимостью р-типа |
| p-leitendes Halbleitermaterial | полупроводниковый материал с проводимостью р-типа |
| p-leitendes Halbleiterplättchen | кристалл ИС с проводимостью p-типа |
| p-leitendes Halbleiterplättchen | кристалл ИС с проводимостью р-типа |
| p-leitendes Material | дырочный материал |
| p-leitendes Siliziumplättchen | кремниевый кристалл ИС с проводимостью p-типа |
| p-leitendes Substrat | подложка с проводимостью р-типа |
| p-Leiter | полупроводник р-типа |
| p-Leiter | проводник с p-проводимостью |
| p-Leiter | дырочный полупроводник |
| p-Leitung | проводимость р-типа |
| p-Material | дырочный материал |
| p-Material | полупроводниковый материал с проводимостью р-типа |
| p+-Metallkontakt | омический контакт со структурой типа Ме-p+-p |
| p-MO-Inverter | р-МОП-инвертор |
| p-MOS-Technik | технология p-канальных МОП ИС |
| p-MOS-Technik PMOS-Technik | технология р-канальных МОП-приборов |
| p-MOS-Technik PMOS-Technik | р-МОП-технология |
| p-MOS-Technik PMOS-Technik | технология р-канальных МОП ИС |
| p-n-Doppeldiffusion | двойная диффузия для формирования p-n-перехода |
| p+-n-Übergang | р+-n-переход |
| p+-p-Übergang | фильтр с предсказанием |
| p+-p-Übergang | фильтр прогнозирования |
| p+-p-Übergang Prädiktionsfilter | фильтр с предсказанием |
| p+-p-Übergang Prädiktionsfilter | фильтр прогнозирования |
| p-Schicht | слой с проводимостью р-типа |
| p+-Schicht | p+-слой |
| p+-Schicht | р+-слой |
| p-SG-MOS | технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| p-SG-MOS | технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| p-Si | кремний с проводимостью р-типа |
| p-Siliziumplättchen | кремниевый кристалл ИС с проводимостью p-типа |
| p-Siliziumplättchen | кремниевый кристалл ИС с проводимостью р-типа |
| p-Siliziumscheibe | кремниевая пластина с проводимостью p-типа |
| p-Siliziumscheibe | кремниевая пластина с проводимостью р-типа |
| p-Si-n-Struktur | p-Si-n-структура (с полуизолирующей промежуточной областью) |
| p-Si-Scheibe | кремниевая пластина с проводимостью p-типа |
| p-Si-Scheibe | кремниевая пластина с проводимостью р-типа |
| p-Si-Substrat | кремниевая подложка с проводимостью р-типа |
| p+-Sperrschichtzaun | изолирующая p+-область |
| p-Störstelle | примесь p-типа |
| p-Substrat | подложка с проводимостью р-типа |
| Psub vtsub v-Produkt | работа переключения (параметр логических элементов) |
| Psub vtsub v-Produkt | произведение мощность задержка |
| p-Teil | участок с дырочной проводимостью |
| p-Teil | p-часть |
| p-Typ | с проводимостью р-типа |
| p-Typ | с дырочной проводимостью |
| p-Typ-Halbleiter | полупроводник р-типа |
| p-Typ-Halbleiter | дырочный полупроводник |
| p-Verunreinigung | примесь p-типа |
| p-Wanne | карман с электропроводностью p-типа |
| p-Wanne | карман с электропроводностью р-типа |
| p-Wanne | карман p-типа |
| p-Wanne | карман с проводимостью p-типа |
| p-Wanne | карман с проводимостью р-типа |
| p-Wanne | карман р-типа |
| p-Wannen-CMOS-Technologie | технология КМОП ИС с карманами р-типа |
| p-Wannen-Technologie | технология КМОП ИС с карманами p-типа |
| p-Wannen-Technologie | технология КМОП ИС с карманами р-типа |
| p-Well-CMOS-Prozess | технология КМОП ИС с карманами p-типа |
| p-Well-CMOS-Prozess | технология КМОП ИС с карманами р-типа |
| p-Zone | участок с дырочной проводимостью |
| p+-Zone | p+-область |
| p+-Zone | область p+-типа |
| p-Zone | p-область |
| p-Zone | область p-типа |
| p-Zone | область с проводимостью p-типа |
| p-Zone | область с дырочной проводимостью |
| p-Zone | область с проводимостью р-типа |
| p-Zone | p-часть |
| p+-Zone | р+-область |
| p+-Zone | область р+-типа |
| PIN-Diode p-i-n-диод | диод с p-i-n-структурой |
| pin-Diode PIN-Diode p-i-n-диод | диод с р-i-n-структурой |
| pin-Fotodiode PIN-Fotodiode p-i-n-фотодиод | фотодиод с p-i-n-структурой |
