| English | Russian |
| adjustable threshold MOS | МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением |
| adjustable threshold MOS | МОП-структура с регулируемым порогом |
| adjustable-threshold MOS | МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением |
| aluminum-gate MOS | МОП-структура с алюминиевыми затворами |
| anodized MOS | МОП-структура, образованная анодированием металла |
| back gate MOS | МОП-структура с нижним затвором |
| back-gate MOS | МОП-структура с нижними затворами |
| beam addressable MOS memory | прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией |
| beam addressable MOS memory | МОП запоминающее устройство с адресацией по лучу |
| beam addressable MOS memory | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией |
| beam addressable MOS memory | ЗУ на запоминающей ЭЛТ с полупроводниковой мишенью и электронной адресацией |
| beam addressed MOS | МОП запоминающее устройство с адресацией по лучу |
| beam addressed MOS | прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией |
| beam addressed MOS | запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией |
| beam addressed MOS | ЗУ на запоминающей ЭЛТ с полупроводниковой мишенью и электронной адресацией |
| beam-addressed MOS | МОП-структура с электронно-лучевой адресацией |
| bipolar MOS | биполярная МОП-структура |
| bipolar MOS FET | МОП ИС на биполярных и полевых транзисторах |
| bipolar MOS field-effect transistor | МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом |
| bipolar MOS-field-effect transistor | МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом |
| bipolar MOS-field-effect transistor | биполярно-полевой МОП-транзистор |
| bipolar-MOS process | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| bipolar-MOS process | комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| bulk complementary MOS | КМОП-структура с монолитной подложкой |
| buried channel MOS | структура металл-оксид-полупроводник со скрытым каналом |
| buried channel MOS | МОП-структура со скрытым каналом |
| buried channel MOS technology | технология МОП-транзисторов со скрытым каналом (изготовления) |
| buried load logic MOS | логическая МОП-структура со скрытой нагрузкой |
| buried oxide MOS | МОП-структура с углублённым оксидным слоем |
| buried oxide MOS | МОП-структура с углублённой оксидной изоляцией |
| buried-channel MOS technology | технология изготовления МОП-транзисторов со скрытым каналом |
| buried-oxide MOS | МОП-структура со скрытым оксидом |
| buried-oxide MOS | МОП-структура с углублённым оксидным слоем |
| buried-oxide MOS structure | МОП-структура со скрытым оксидом |
| buried-oxide MOS transistor | МОП-транзистор с углублённым оксидом |
| clocked complementary MOS | тактируемая интегральная схема на КМОП-транзисторах |
| clocked complementary MOS | синхронизированная ИС на комплементарных МОП-транзисторах |
| clocked complementary MOS | тактируемая ИС на КМОП-транзисторах |
| clocked complementary MOS | тактируемая КМОП интегральная схема |
| clocked complementary MOS | тактируемая КМОП ИС |
| clocked complementary MOS | тактируемая КМОП-структура |
| closed C-MOS logic | логические схемы на транзисторах с кольцевой структурой |
| closed C-MOS logic | кольцевые логические схемы на КМОП-транзисторах |
| complementary MOS | комплементарная МОП-структура |
| complementary MOS | КМОП-структура |
| complementary MOS | дополняющая МОП-структура |
| complementary MOS device | КМОП-прибор |
| complementary MOS logic | комплементарная МОП-логика |
| complementary MOS logic | КМОП-логика |
| complementary MOS logic | логические схемы на комплементарных МОП-транзисторах |
| complementary MOS memory | запоминающее устройство на комплементарных МОП-приборах |
| complementary MOS memory | ЗУ на комплементарных МОП-приборах |
| complementary MOS memory | КМОП ЗУ |
| complementary MOS structure | КМОП-структура |
| complementary MOS structure | комплементарная МОП-структура |
| complementary MOS structure | дополняющая МОП-структура |
| complementary MOS technology | технология производства интегральных схем на комплементарных МОП-транзисторах |
| complementary symmetric MOS | комплементарная симметричная МОП-структура |
| complementary symmetric MOS | комплементарная МОП-структура |
| complementary symmetric MOS | КМОП-структура |
| computer analysis and simulation MOS circuits | автоматизированная моделирующая установка для проектирования МОП ПС (CAS MOS) |
| customer organized MOS integrated circuit | заказная интегральная схема металл-оксид-полупроводник |
| customer organized MOS integrated circuit | заказная МОП ИС |
| depletion MOS | МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения |
| depletion MOS | обедненный МОП-транзистор |
| depletion MOS transistor | обеднённый МОП-транзистор |
| dielectric insulated MOS | МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| dielectric isolated MOS | МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| dielectric-insulated MOS | МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| dielectric-isolated complementary MOS | комплементарная МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| diffusion self-aligned MOS | диффузионная МОП-структура с самосовмещением |
| double poly MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
| double polysilicon MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
| double-diffused MOS | МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии |
| double-diffused MOS | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии |
| double-diffused MOS | двухдиффузионный МОП-транзистор |
| double-diffused MOS | двухдиффузионная МОП-структура |
| double-diffused MOS | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| double-diffused MOS structure | МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии |
| double-diffused MOS technology | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии |
| double-diffused MOS technology | технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией |
| double-diffused MOS technology | технология двухдиффузионных МОП-структур |
| double-diffused MOS technology | ДМОП-технология |
| double-diffused MOS transistor | двухдиффузионная МОП-структура |
| double-diffused MOS transistor | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии |
| double-diffused MOS transistor | двухдиффузионный МОП-транзистор |
| double-diffused MOS transistor | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| double-diffused MOS transistor | ДМОП-структура |
| double-implanted MOS | МОП-структура, формируемая методом двойной ионной имплантации |
| double-implanted MOS | МОП-структура, изготовленная методом двойной ионной имплантации |
| double-poly MOS transistor | МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором |
| double-polysilicon MOS | МОП-структура с двумя слоями поликремния |
| double-polysilicon MOS transistor | МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором |
| dual-injection floating-gate MOS | МОП-приборы с плавающими затвором и двумя инжекторами (DIF MOS) |
| dynamic complementary MOS | динамическая КМОП-структура |
| dynamic complementary MOS | динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах |
| electrically erasable floating-gate avalanche injection MOS structure | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием информации |
| enhancement MOS | МОП-структура, работающая в режиме обогащения |
| enhancement MOS | обогащённый МОП-транзистор |
| enhancement MOS | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| enhancement MOS FET | полевой МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| enhancement MOS FET | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| enhancement MOS transistor | обогащённый МОП-транзистор |
| enhancement/depletion MOS | МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения и обеднения |
| enhancement-depletion MOS | схема на МОП-транзисторах с обедненными нагрузками (обогащённых) |
| floating gate MOS structure | МОП-структура с плавающим затвором |
| floating-gate avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающими затворами |
| floating-gate MOS | МОП-структура с плавающими затворами |
| high-density complementary MOS | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов |
| high-density complementary MOS | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки |
| high-density complementary MOS | КМОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов |
| high-density complementary MOS | технология изготовления КМОП ИС с высокой плотностью упаковки элементов |
| high-density complementary MOS | КМОП интегральная схема с высокой плотностью упаковки |
| high-density MOS | МОП-структура с высокой степенью интеграции |
| high-density MOS technology | технология изготовления МОП-структур с высокой плотностью упаковки |
| high-performance complementary MOS | высококачественная КМОП-структура |
| high-performance MOS | технология изготовления высококачественных МОП ИС |
| high-performance MOS | МОП-структура с улучшенными характеристиками |
| high-performance MOS | высококачественная МОП-структура |
| high-performance MOS | МОП ИС с высокими эксплуатационными характеристиками |
| high-performance MOS structure | выскокачественная МОП-структура |
| high-threshold MOS | высокопороговая МОП-структура |
| high-voltage MOS | высоковольтная МОП-структура |
| Hitachi complementary MOS | комплементарная МОП-структура фирмы "Хитачи" |
| horizontal switching MOS | МОП-структура с горизонтальным переключением |
| insulated gate MOS | МОП-структура с изолированным затвором |
| insulated gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| insulated-gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| ion implanted MOS | МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации |
| ion implanted MOS | МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации |
| ion implanted MOS | МОП-структура с ионной имплантацией |
| ion-implanted MOS | МОП-структура, формируемая методом ионной имплантации |
| ion-implanted n-type MOS | n-МОП интегральная схема, выполненная методом ионной имплантации (IIN MOS) |
| ion-implanted p-type MOS | р-МОП ИС, выполненная методом ионной имплантации (IIP MOS) |
| isolated gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| isolated-gate MOS | МОП-структура с изолированными затворами |
| junction gate MOS | МОП-структура с управляющим p-n переходом |
| junction-gate MOS | МОП-структура с управляющим p-n- переходом |
| lateral double-diffused MOS transistor | горизонтальный МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии |
| lateral-planar MOS | планарная МОП-структура с горизонтальным каналом |
| local oxidation MOS | комплементарная МОП интегральная схема с местной оксидной изоляцией |
| local oxidation MOS | МОП-структура с локальным окислением |
| local-oxidation complementary MOS | комплементарная МОП интегральная схема с местной оксидной изоляцией |
| local-oxidation complementary MOS | МОП-структура с использованием локального окисления |
| local-oxidation MOS | МОП-структура с локальным окислением |
| long MOS | МОП-транзистор с длинным каналом |
| long MOS | МОП-структура с удлинённым каналом |
| low-threshold MOS | низкопороговая МОП-структура |
| LSI MOS technology | технология изготовления БИС на МОП-транзисторах |
| maximum complementary MOS | серия комплементарных больших интегральных схем типа МОП |
| maze-geometry MOS transistor | МОП-транзистор со сложной геометрией |
| metal-gate MOS | МОП-структура с металлическими затворами |
| micrometer MOS | МОП-структура с микронными размерами элементов |
| micrometer MOS | МОП-схемы с микронными размерами элементов |
| micron MOS | МОП-структура с микронными размерами элементов |
| micron MOS | МОП-схемы с микронными размерами элементов |
| MOS array | МОП-матрица |
| MOS array | матричная МОП ИС |
| MOS array integrated circuit | матричная интегральная схема со структурой "металл-оксид-полупроводник" |
| MOS array integrated circuit | матричная МОП БИС |
| MOS array integrated circuit | матричная БИС на МОП-транзисторах |
| MOS-capacitor | МОП-конденсатор |
| MOS device | прибор с переходом "металл-оксид-полупроводник" |
| MOS device | МОП-транзистор |
| MOS device | прибор на структурах "металл-оксид-полупроводник" |
| MOS device | прибор на структурах металл – оксид – полупроводник |
| MOS device | прибор с переходом металл – оксид – полупроводник |
| MOS device | МОП-прибор |
| MOS FET integrated circuit | интегральная схема на полевых транзисторах со структурой "металл-оксид-полупроводник" |
| MOS FET integrated circuit | ИС на полевых МОП-транзисторах |
| MOS field-effect transistor | металлоксидный полевой полупроводниковый транзистор |
| MOS field-effect transistor | полевой МОП-транзистор |
| MOS field-effect transistor | полевой транзистор с МОП структурой затвора |
| MOS field-effect transistor | полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник |
| MOS field-effect transistor | канальный полевой униполярный МОП-транзистор |
| MOS large-scale integrated circuit | БИС со структурой "металл-оксид-полупроводник" (MOS LSI) |
| MOS large-scale integrated circuit | БИС на МОП-транзисторах |
| MOS logic | логическая схема на структуре "металл-оксид-полупроводник" |
| MOS logic | МОП-логика |
| MOS metal-insulator-silicon switch | переключатель на МОП-и "металл-диэлектрик-полупроводник" структурах |
| MOS microprocessor | микропроцессор на МОП-структурах |
| MOS process | МОП-технология |
| MOS silicon-on-sapphire | МОП-структура типа "кремний на сапфире" |
| MOS silicon-on-sapphire | МОП-структура на сапфире |
| MOS silicon-on-sapphire | МОП структура "кремний на сапфире" |
| MOS structure | структура "металл-оксид-полупроводник" |
| MOS structure | структура металл-окисел-полупроводник |
| MOS technology | технология приборов со структурой металл – оксид – полупроводник |
| MOS technology | технология изготовления интегральных схем на МОП-структурах |
| mos technology | технология изготовления приборов со структурой "металл оксид полупроводник" |
| MOS technology | МОП-технология (изготовления) |
| MOS transistor | транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник |
| MOS transistor | транзистор с МОП-структурой |
| MOS transistor | транзистор со структурой "металл оксид полупроводник" |
| MOS transistor | МОП-транзистор |
| MOS transistor logic | логические схемы на МОП-транзисторах |
| MOS transistor logic | логические МОП ИС |
| MOS transistor logic | логические ИС на МОП-транзисторах |
| multidrain MOS | многостоковая МОП-структура |
| n-MOS structure | n-канальная МОП-структура |
| n-channel MOS | n-канальная МОП-структура |
| n-channel MOS | п- МОП-структура (канальная) |
| n-channel MOS transistor | МОП-транзистор с каналом n- типа |
| n-channel MOS transistor | МОП-транзистор с каналом n-типа |
| n-channel MOS transistor | n-МОП-транзистор |
| p-MOS structure | p-канальная МОП-структура |
| p-MOS structure p | МОП-структура |
| p-channel MOS | p-канальная МОП-структура |
| p-channel MOS p- | МОП-структура (канальная) |
| p-channel MOS transistor | р-МОП-транзистор |
| p-channel MOS transistor | МОП-транзистор с каналом p- типа |
| p-channel MOS transistor | МОП-транзистор с каналом р-типа |
| poly self-aligned MOS | МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| polysilicon self-aligned MOS | МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| power MOS | мощный МОП-прибор |
| power MOS device | мощный МОП-прибор |
| quadruple self-aligned MOS | МОП-структура, формируемая методом четырёхкратного совмещения |
| quadruple self-aligned MOS technology | четырёхкратная саморегулирующаяся МОП-технология (QSA MOS) |
| refractory gate MOS | МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла |
| refractory gate MOS | МОП-структура с высокой термостойкостью |
| refractory MOS | МОП-структура с высокой термостойкостью |
| refractory MOS | МОП-структура с тугоплавкими электродами затвора |
| refractory MOS transistor | МОП-транзистор с тугоплавким электродом затвора |
| resistive-gate MOS | МОП-структура с резистивными затворами |
| scaled MOS | МОП-структура с пропорционально-уменьшенными размерами элементов |
| scaled-down MOS | МОП-структура с пропорционально уменьшенными размерами элементов |
| Schottky-barrier MOS | МОП-структура с барьером Шотки |
| Schottky-barrier MOS | МОП-структура с затворами Шотки |
| screen-grid N-channel MOS | n-канальный МОП-прибор с экранирующей сеткой |
| self-aligned gate metal-oxide-semiconductore self-aligned gate MOS | МОП-структура с самосовмещёнными затворами |
| self-aligned gate MOS | МОП-структура с самосовмещённым затвором |
| self-aligned MOS | самосовмещённая МОП-структура |
| self-registered gate p-channel MOS | р-канальные МОП-ИС с самосовмещёнными затворами |
| silicon and aluminium MOS | МОП-структура кремний-алюминий |
| silicon gate MOS | МОП-структура с кремниевым затвором |
| silicon-gate MOS | МОП-структура с кремниевыми затворами |
| silicon-gate MOS bipolar technology | технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах с кремниевым затвором |
| silicon-gate MOS process | технология МОП ИС с кремниевыми затворами (поли) |
| silicon-gate MOS transistor | МОП-транзистор с кремниевым затвором |
| silicon-gate technology MOS | МОП-структура с кремниевыми затворами |
| silicon-on-sapphire complementary MOS | кремний-сапфировая МОП-структура |
| silicon-on-sapphire complementary MOS | КМОП-структура типа "кремний на сапфире" |
| silicon-on-sapphire complementary MOS | комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке |
| silicon-on-sapphire complementary MOS | КМОП КНС |
| stacked complementary MOS | комплементарная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| stacked transistors complementary MOS | многоуровневая КМОП-структура |
| stacked-gate avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| stacked-gate avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором |
| stacked-gate injection MOS | инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| submicrometer MOS | МОП-структура с субмикронными размерами элементов |
| submicron MOS | МОП-структура с субмикронными размерами элементов |
| surface gate MOS | МОП-структура с поверхностными затворами |
| surface-gate MOS | МОП-структура с поверхностными затворами |
| Telefunken MOS process | технология производства МОП БИС фирмы "Телефункен" |
| three-dimensional MOS | трёхмерная МОП-структура |
| total implanted MOS transistor | ионно-имплантированный МОП-транзистор |
| transverse MOS | вертикальная МОП-структура |
| Triac MOS device | триак с МОП-структурой |
| triple-poly MOS | МОП-структура с тремя слоями поликремния |
| triple-polysilicon MOS | МОП-структура с тремя слоями поликремния |
| V MOS | МОП-структура с V-образной канавкой |
| V- MOS transistor | МОП-транзистор с V-образной канавкой |
| vertical MOS field-effect transistor | полевой МОП-транзистор с вертикальной структурой |
| V-groove MOS | МОП-структура с V-образной канавкой |
| V-groove MOS structure | МОП-структура с V -образными канавками |
| V-groove MOS technology | технология производства схем на МОП-структурах с V-образными канавками |
| V-groove MOS transistor | МОП-транзистор с v- образной канавкой |
| V-groove MOS transistor | МОП-транзистор с V-образной канавкой |
| V-groove vertical-geometry power MOS transistor | мощный МОП-транзистор с вертикальной геометрией и V-образной канавкой |
