| Russian | English |
| автоматическая установка для испытаний транзисторов | automatic transistor test set |
| адаптивный транзистор | adaptive transistor (can be dynamically switched during run-time to perform different logical tasks) |
| аналоговый транзистор | analog transistor |
| базовая характеристика транзистора в схеме с общим | common-emitter base characteristic |
| базовая характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером | common-emitter input characteristic |
| базовая характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером | common-emitter base characteristic |
| базовый ток двухбазового транзистора | interbase current |
| биполярный полевой транзистор с отрицательным сопротивлением | nesistor |
| биполярный транзистор на гомопереходах | homojunction bipolar transistor |
| бусинковый транзистор | bead transistor |
| буферизованные логические схемы на полевых транзисторах | bufferized field logic |
| буферный полевой транзистор | buffered FET (ssn) |
| вертикальный транзистор | substrate transistor |
| включение транзистора по схеме с общей базой | grounded-base connection |
| включение транзистора по схеме с общей базой | common-base connection |
| включение транзистора по схеме с общим коллектором | grounded-collector connection |
| включение транзистора по схеме с общим коллектором | common-collector connection |
| включение транзистора по схеме с общим эмиттером | grounded-emitter connection |
| включение транзистора по схеме с общим эмиттером | common-emitter connection |
| внутрисдвоенный транзистор с управляемым полем | internally-matched field-effect transistor (Челядник Евгений) |
| вплавной дрейфовый транзистор | drift-alloy transistor |
| вплавной плоскостной транзистор | alloy-junction transistor |
| вплавной транзистор | fused transistor |
| вплавной транзистор | fused-contact transistor |
| вплавной транзистор | alloy-type transistor |
| вплавной транзистор | fused-impurity transistor |
| вплавной транзистор | alloy transistor |
| высоковольтный тонкоплёночный транзистор | high voltage thin film transistor |
| высокочастотный транзистор | high-frequency transistor |
| высокоэффективный транзистор | high-performance transistor (Maxim Sh) |
| выходная характеристика транзистора в схеме с общей базой | common-base collector characteristic |
| выходная характеристика транзистора в схеме с общим | common-emitter output characteristic |
| выходная характеристика транзистора в схеме с общим | common-emitter collector characteristic |
| выходная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером | common-emitter output characteristic |
| выходная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером | common-emitter collector characteristic |
| выходная характеристика транзистора с общей базой | common-base output characteristic |
| выходная характеристика транзистора с общей базой | common-base collector characteristic |
| выходное сопротивление транзистора | transistor output resistance |
| выходной транзистор строчной развёртки | horizontal output transistor (x741) |
| гетероструктурный транзистор | heterotransistor |
| горизонтальная структура на дополняющих транзисторах | lateral complementary-transistor structure |
| горизонтальная структура на комплементарных транзисторах | lateral complementary-transistor structure |
| графические обозначения транзисторов | transistor symbols |
| датчик ИК-излучения на полевом транзисторе | infrared FET |
| двухбазовый транзистор | double base transistor (ssn) |
| двухбазовый транзистор | double-base transistor |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | D-MOS transistor (ssn) |
| двухдиффузионный транзистор | double-diffused transistor (ssn) |
| двухполярный транзистор | bipolar transistor |
| двухэмиттерный транзистор | duet transistor |
| двухэмиттерный транзистор | dual-emitter transistor |
| двухэмиттерный транзистор | double-emitter transistor |
| Джозефсоновский полевой транзистор | Josephson FET |
| диодное включение транзистора | diode connection of transistor |
| диффузионно-вплавной транзистор | diffused-alloy transistor |
| диффузионно-вплавной транзистор | alloy-diffused transistor |
| диффузионный планарный транзистор | diffused planar transistor |
| диффузионный транзистор | diffused transistor |
| диффузионный транзистор с выращенными переходами | grown-diffused transistor |
| дополняющие однопереходные транзисторы | complementary unijunction transistor |
| дополняющие транзисторы | complementary transistors (n-p-n и p-n-p транзисторы или МДП-транзисторы с каналами противоположных типов проводимости, сформированные в объёме одной подложки) |
| дополняющие транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник | complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor transistors |
| дополняющий транзистор | complementary transistor |
| дрейфовый транзистор | single-drift transistor |
| дрейфовый транзистор | nonuniform-base transistor |
| дрейфовый транзистор | drift-field transistor |
| дрейфовый транзистор | carrier-drift-type transistor |
| дрейфовый транзистор | built-in-field transistor |
| дрейфовый транзистор | aiding-field transistor |
| дрейфовый транзистор с экспоненциальным распределением примеси | exponentially-graded drift transistor |
| заряд, рассасываемый в эмиттере транзистора | emitter delay charge |
| зарядовый полевой транзистор | charge field-effect transistor (в нем большая часть металла затвора заменена тонкой полимерной плёнкой со сравнительно высоким сопротивлением) |
| ЗУ на биполярных транзисторах | bipolar-transistor memory |
| ЗУ на МОП-транзисторах с кремниевыми затворами | silicon-gate MOS memory device |
| изготовление ИС на комплементарных МОП-транзисторах | manufacturing CMOS integrated circuits (ssn) |
| инвертор на двух транзисторах | divertor diverter |
| инвертор на дополняющих транзисторах | complementary inverter |
| инвертор на комплементарных транзисторах | complementary inverter |
| инвертор на транзисторах | inverter transistor |
| ионно-имплантированный полевой транзистор | ion-implanted fet |
| ионно-имплантированный транзистор | fully ion-implanted transistor |
| ионно-имплантированный транзистор | all-implanted transistor |
| ионно-селективный полевой транзистор | ion-sensitive field-effect transistor |
| ИС на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами | bipolar-insulated gate fet ic |
| ИС на биполярных транзисторах | bipolar integrated circuit |
| ИС на биполярных транзисторах | bipolar-semiconductor integrated circuit |
| ИС на биполярных транзисторах | bipolar integrated IC |
| ИС на биполярных транзисторах | bipolar circuit |
| ИС на биполярных транзисторах | bipolar integration |
| ИС на КМОП-транзисторах | CMOS chip |
| ИС на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS chip |
| ИС на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS integrated circuit |
| ИС на комплементарных полевых МОП транзисторах с изолированным затвором | complementary insulated gate FET |
| ИС на МОП-транзисторах | MOS chip |
| ИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-silicon chip |
| ИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor chip |
| ИС на МОП-транзисторах с плавающими затворами | floating-gate ic |
| ИС на полевых транзисторах | unipolar IC |
| ИС на полевых транзисторах работающих в режиме обеднения | depletion-mode integrated circuit |
| ИС на полевых транзисторах, работающих в режиме обогащения | enhancement-mode integrated circuit |
| ИС на сапфировой подложке, содержащая комплементарные МОП транзисторы | complementary MOS/silicon-on-sapphire |
| ИС на транзисторах со статической индукцией | static-induction transistor integrated circuit |
| ИС с транзисторами | transistor IC |
| использование транзисторов | transistorization |
| использовать транзисторы | transistorize |
| канал полевого транзистора | field-effect transistor channel |
| канал полевого транзистора | fet channel |
| n-канальный полевой транзистор | n-channel junction fet |
| каскад на дополняющих транзисторах | complementary stage |
| каскад на комплементарных транзисторах | complementary stage |
| КМОП-транзистор | CMOS transistor (LOlga) |
| КМОП-транзисторы | complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor transistors |
| коллекторная характеристика транзистора в схеме с общей | common-base output characteristic |
| коллекторная характеристика транзистора в схеме с общей | common-base collector characteristic |
| коллекторная характеристика транзистора в схеме с общей базой | common-base collector characteristic |
| коллекторная характеристика транзистора в схеме с общим | common-emitter output characteristic |
| коллекторная характеристика транзистора в схеме с общим | common-emitter collector characteristic |
| коллекторная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером | common-emitter output characteristic |
| коллекторная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером | common-emitter collector characteristic |
| кольцевой транзистор | ring transistor |
| кольцевой транзистор | annular transistor |
| кольцевые логические схемы на комплементарных МОП-транзисторах | closed c-mos logic |
| комбинация полевого транзистора и биполярного фототранзистора | field effect modified transistor |
| комбинированная п / п структура на ПЗС и полевых транзисторах | charge-coupled fet |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor and bipolar (technology) |
| комплементарные однопереходные транзисторы | complementary unijunction transistors |
| комплементарные однопереходные транзисторы | complementary unijunction transistor |
| комплементарные транзисторы | complementary transistor |
| комплементарные транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник | complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor transistors |
| комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором | complementary insulated-gate fet |
| комплементарный транзистор | complementary transistor |
| компьютер на транзисторах | second generation computer |
| кремниевый однопереходный транзистор | silicon double-base diode |
| криогенный транзистор | high electron mobility transistor |
| кристалл с транзисторами | transistor chip |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | floating-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor (transistor) |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | floating-gate avalanche-injection MOS transistor |
| лавинный транзистор | avalanche triode |
| лавинный транзистор с закороченными базой и эмиттером | Miller-Ebers diode |
| логика на полевых транзисторах | FET logic (ssn) |
| логика на полевых транзисторах с диодами Шоттки | Schottky-diode FET logic |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direct-coupled FET logic |
| логика на проходных транзисторах | pass-transistor logic (ssn) |
| логика с "совмещёнными" транзисторами | mtl |
| логика с "совмещёнными" транзисторами | merged transistor logic |
| логическая ИС на полевых транзисторах из GaAs с барьером Шоттки, связанных между собой также барьерами Шоттки | Schottky-barrier-coupled Schottky-barrier-gate GaAs field-effect-transistor logic |
| логическая схема на многоэмиттерном транзисторе | multiemitter gate |
| логическая схема на полевом МОП транзисторе со "скрытыми" слоями | buried load logic MOS |
| логические микросхемы на комплементарных транзисторах | complementary transistor micrologic |
| логические схемы на дополняющих МОП транзисторах | closed complementary MOS logic |
| логические схемы на дополняющих транзисторах | complementary-transistor logic |
| логические схемы на многоэмиттерных транзисторах | multiemitter-transistor logic |
| логические схемы на полевых транзисторах | FET logic (ssn) |
| логические схемы на полевых транзисторах | field-effect transistor logic |
| логические схемы на полевых транзисторах, работающие в режиме обеднения | depletion-mode FET logic |
| логические схемы на полевых транзисторах, работающие в режиме обеднения | buffered-FET logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с барьерами Шотки | Schottky |
| логические схемы на полевых транзисторах с диодами Шоттки | Schottky-diode FET logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с непосредственными | direct-coupled field-effect transistor logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с непосредственными связями | direct-coupled field-effect-transistor logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с ёмкостной связью | capacitor-coupled fet logic |
| логические схемы на транзисторах и туннельных диодах | tunnel-diode transistor logic |
| логические схемы на транзисторах со статической индукцией | static-induction transistor logic |
| логические схемы на четвёрках транзисторов с параллельно-последовательным | quadded logic |
| логические схемы на четвёрках транзисторов с параллельно-последовательным включением | quadded logic (ssn) |
| логические схемы с буферными полевыми транзисторами | buffered FET logic (ssn) |
| логические схемы со связанными базами транзисторов | base coupled logic |
| логические схемы со скрытыми нагрузочными транзисторами | buried-load logic |
| логический элемент на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor gate |
| логический элемент на МОП-транзисторах с и-образными канавками | v-groove MOS gate |
| логический элемент на МОП-транзисторах с V-образными канавками | VMOS gate |
| логический элемент на МОП-транзисторах с V-образными канавками | V-groove MOS gate |
| логический элемент на транзисторах с барьерами Шоттки | Schottky gate |
| логический элемент на транзисторах с барьерами Шоттки | Schottky barrier gate |
| "магнитный" полевой транзистор | magnetic FET |
| малошумящий транзистор | quiet transistor |
| масштабирование транзисторов | transistor sizing (ssn) |
| полевой МДП-транзистор | insulated-gate FET |
| полевой МДП-транзистор | insulated-gate field-effect transistor |
| полевой МДП-транзистор | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой МДП-транзистор | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor |
| МДП-транзистор | conductor-insulator-semiconductor fet |
| мдп-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим | floating si-gate tunnel-injection mis transistor |
| МДП-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим затвором | floating Si-gate tunnel-injection MIS (transistor) |
| металлическая трубка вокруг радиатора транзистора | chimney (для усиления теплоотвода) |
| метод изготовления биполярных транзисторов и ИС, в котором в качестве источника диффузии используется легированный поликристаллический кремний | doping of silicon |
| микровплавной транзистор | microalloy transistor |
| микроминиатюрный транзистор | microminiature transistor |
| многозатворный МОП-транзистор | multiple-gate MOS transistor |
| полевой МНП-транзистор | metal- nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МНП-транзистор | metal-silicon nitride-semiconductor field-effect transistor |
| МНП-транзистор | metal-nitride-semiconductor transistor |
| МНП-транзистор с каналом n-типа | n-channel mns transistor |
| моделирование на уровне транзисторов | transistor level simulation (ssn) |
| моделирующая схема транзистора | transistor model |
| модель полевого транзистора с изолированным затвором и коротким каналом, разработанная Университетом Беркли | Berkeley short-channel IGFET model |
| модулирующий транзистор | modulating transistor (прибор нового типа с p-n-i структурой, обладающий высок стабильной вольтамперной характеристикой с отрицательной областью) |
| молекулярный транзистор | molecular transistor (Alex_Odeychuk) |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-silicon FET |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor FET |
| МОП транзистор | MOS transistor |
| МОП транзистор, в котором области истока и стока выполнены из поликремния | polysilicon source and drain MOS transistor |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused MOSFET |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | D-MOS transistor (ssn) |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor |
| полевой МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации | double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (DIMOSFET ssn) |
| полевой МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации | DIMOSFET (double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistor ssn) |
| МОП транзистор с вертикальной структурой, изготовленный способом двойной диффузии | vertical double-diffused MOS |
| МОП-транзистор с длинным каналом | long-channel MOSFET |
| МОП-транзистор с и-образной канавкой | v-mos transistor |
| МОП-транзистор с коротким каналом | short-channel MOSFET |
| МОП-транзистор с нижним затвором | backgate MOS-transistor |
| МОП-транзистор с V-образной канавкой | V-MOS device |
| МОП-транзистор с V-образной канавкой | VMOS device |
| МОП-транзистор с V-образной канавкой | V-groove MOS device |
| МОП-транзистор с v-образным затвором | grooved-gate mos-transistor |
| МОП-транзистор с палладиевым затвором | Pd-gate MOS transistor |
| МОП-транзистор с плавающим затвором | floating-gate transistor |
| МОП транзистор с "резонансным" затвором | resonant-gate transistor |
| МОП-транзистор со скрытым каналом | buried-channel transistor |
| полевой МОП-транзистор, чувствительный к ИК-излучению | infrared sensing metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, чувствительный к ИК-излучению | infrared metal-oxide-semiconductor FET |
| МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения | enhancement/depletion mos |
| мощность рассеяния транзистора | transistor dissipation |
| мощный МОП-транзистор с V-образной канавкой | V-groove power MOSFET |
| мощный полевой транзистор, имеющий планарную структуру и гексагональную геометрию | hexagonal field-effect transistor |
| мощный транзистор | high-current transistor |
| обращённый транзистор | inversely operated transistor |
| одиночный транзистор | isolated transistor |
| однобазовый транзистор | single-base transistor (ssn) |
| однозатворный МОП-транзистор | single-gate MOSFET |
| однозатворный полевой МОП-транзистор | single-gate MOSFET |
| одномолекулярный транзистор | single-molecule transistor (Alex_Odeychuk) |
| операционный усилитель на биполярных и полевых транзисторах | bipolar-field-effect transistor operational amplifier |
| операционный усилитель на биполярных и полевых транзисторах | bi-FET operational amplifier |
| оптоэлектронный транзистор | opto electronic transistor (ssn) |
| параметры транзистора в схеме включения с общей | transistor common-base parameters |
| параметры транзистора в схеме включения с общей базой | transistor common-base parameters (ssn) |
| параметры транзистора в схеме включения с общим | transisfor common-collector parameters |
| параметры транзистора в схеме включения с общим коллектором | transistor common-collector parameters (ssn) |
| параметры транзистора в схеме с общим эмиттером | transistor common-emitter parameters |
| параметры транзистора в т-образной схеме замещения | transistor t-equivalent parameters |
| пассивированный транзистор | surface-passivated transistor |
| пассивированный транзистор | passivated transistor |
| переключающий транзистор | switching-type transistor |
| переход на транзисторы | transistorization (с вакуумных ламп) |
| ПЗС типа пожарная цепочка на полевых транзисторах | insulated-gale field-effect transistor bucket brigade |
| ПЗУ на биполярных транзисторах | bipolar read-only memory |
| плавленый транзистор | fused transistor |
| планарно-эпитаксиальный транзистор | planar epitaxial transistor |
| планарный многоканальный полевой транзистор | planar multichannel field-effect transistor |
| планарный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | planar-junction field-effect transistor |
| планарный транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | DDP transistor (ssn) |
| планарный транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused planar transistor |
| плоскостный униполярный транзистор | junction gate FET |
| полевой мдп-транзистор | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor |
| полевой мдп-транзистор | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой МДП транзистор с изолированным затвором | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-silicon FET |
| полевой МОП-транзистор | MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) |
| полевой МОП-транзистор | MOSFET |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide semiconductor field-effect transistor (abbr. MOSFET) |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor FET |
| полевой МОП транзистор, в котором изолирующий окисел затвора получен методом анодирования | anodized MOS field effect transistor |
| полевой МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS insulated-gate field-effect transistor |
| полевой работающий транзистор в режиме обеднения | depletion-type field-effect transistor |
| полевой транзистор | gate-controlled diode |
| полевой транзистор | gate-triggered diode |
| полевой транзистор | fieldistor |
| полевой транзистор в корпусе с ламповым цоколем | fetron |
| полевой транзистор, в котором металлическое покрытие затвора играет роль "химической мембраны" | chemical FET |
| полевой транзистор, в котором электрод затвора заменен жидкостью | ion sensitive FET |
| полевой канальный транзистор в режиме обогащения | enchancement-type field-effect transistor |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим затвором | grounded-gate FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим затвором | common-gate FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим истоком | grounded-source FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим истоком | common-source FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим стоком | grounded-drain FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим стоком | common-drain FET |
| полевой транзистор, изготовленный методом анодирования | anodized FET |
| полевой транзистор на гетеропереходе | heterojunction FET |
| полевой транзистор на гетероструктуре с селективным легированием | selectively doped heterojunction transistor |
| полевой транзистор на гетероструктуре с селективным легированием | modulation-doped field-effect transistor |
| полевой транзистор на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor field-effect device |
| полевой транзистор на нитриде галлия | gallium-nitride FET |
| полевой транзистор на основе поликристаллического кремния | polysilicon FET |
| полевой транзистор работающий в режиме обеднения | depletion-mode fet |
| полевой транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode fet |
| полевой транзистор, работающий в режиме смыкания базового | pinched-base FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | Schottky-barrier FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | Schottky-gate FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | Schottky |
| полевой транзистор с барьером Шотки | metal-Schottky FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | barrier-gate fet |
| полевой транзистор с барьером Шотки работающий в режиме обеднения | depletion metal-schottky fet |
| полевой транзистор с барьером Шоттки | metal-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор с барьером Шоттки | Schottky-barrier field-effect transistor |
| полевой транзистор с барьером Шоттки | metallized semiconductor FET |
| полевой транзистор с вертикальной геометрией | vertical field-effect transistor |
| полевой транзистор с встроенным каналом | internal-channel FET |
| полевой транзистор с встроенным каналом | internal-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с двумя управляющими p-n-переходами | two-junction FET |
| полевой транзистор с длинным затвором | long gate length field effect transistor (ssn) |
| полевой транзистор с длинным затвором | long gate length field-effect transistor (ssn) |
| полевой транзистор с длинным затвором | long gate length FET (ssn) |
| полевой транзистор с запирающим слоем и накоплением зарядов | charge storage junction FET |
| полевой транзистор с затвором в виде V-образной канавки | V-groove FET |
| полевой транзистор с затвором на гетеропереходе | heterojunction-gate FET |
| полевой транзистор с затвором, образованным барьером Шоттки | metallized semiconductor FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | Schottky |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | Schottky-gate FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | Schottky-barrier FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | metal-Schottky FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | metal-Schottky gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | barrier-gate FET |
| полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения | enhancement metal schottky fet |
| полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения | enhancement metal schottky gate fet |
| полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения | enhancement-type schottky-barrier gate fet |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-oxide-semiconductor FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-oxide-silicon FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором | isolated-gate fet |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | p-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | n-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | p-channel depletion insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | n-channel depletion insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и нитридным изолирующим слоем | metal-nitride-semiconductor/insulated gate FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором, работающий | enhancement-type field-effect insulated-gate transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором в виде барьера Шотки | Schottky-barrier isolated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором | silicon insulated gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с индуцированным каналом | induced-channel FET |
| полевой транзистор с индуцированным каналом | induced-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом на эпитаксиальном коллекторном | collector field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом на эпитаксиальном коллекторном слое | collector FET |
| полевой транзистор с каналом p-типа | p-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом n-типа | electron-conducting FET |
| полевой транзистор с каналом n-типа | electron-conducting field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-channel fet |
| полевой транзистор с каналом p-типа | hole-conducting field-effect transistor |
| полевой транзистор с канальной инжекцией | channel-injection FET |
| полевой транзистор с коротким затвором | short-gate FET |
| полевой транзистор с коротким затвором | short-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с коротким каналом | short-channel FET |
| полевой транзистор с металлическим затвором | metal-gate transistor |
| полевой транзистор с многослойным затвором | multilayer-gate FET |
| полевой транзистор с многослойным затвором | multilayer-gate transistor |
| полевой транзистор с модулированным легированием | modulation doped FET |
| полевой транзистор с модулированным легированием | MOD FET |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk FET |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk-channel FET |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk field-effect transistor |
| полевой транзистор с однородным каналом | uniform-channel FET |
| полевой транзистор с однородным каналом | uniform-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с p-n переходом | junction gate FET |
| полевой транзистор с p-n переходом, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode junction fet |
| полевой транзистор с поверхностным каналом | surface-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с поверхностным каналом | unipolar surface transistor |
| полевой транзистор с проницаемой базой | punch-through FET |
| полевой транзистор с проницаемой базой | pinched-base FET |
| полевой транзистор с резистивным затвором | resistive-gated FET |
| полевой транзистор с резонансным затвором | resonant-gate FET |
| полевой транзистор с резонансным затвором | resonant-gate transistor |
| полевой транзистор с самовыравнивающимся затвором | self-aligned gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с субмикронным затвором | submicron gate FET |
| полевой транзистор с удалённой отсечкой | remote-cutoff FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction-gate FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | p-n-junction FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | JG FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction unipolar transistor |
| полевой транзистор с управляющим p-n переходом | junction-gate fet |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и вертикальным каналом | static-induction transistor |
| полевой транзистор со смыканием | pinched-base FET |
| полевой транзистор со смыканием | punch-through FET |
| полевой транзистор со смыканием | punch-through field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник | metal-silicon nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник | metal- nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид -полупроводник | metal-silicon nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид -полупроводник | metal- nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-окисел-кремний | metal-oxide-silicon FET |
| полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | metal-oxide semiconductor field-effect transistor (abbr. MOSFET) |
| полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) |
| полевой транзистор со структурой металл-полупроводник | metal-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-полупроводник, работающий в режиме обеднения | D-MESFET (ssn) |
| полевой транзистор со структурой металл-полупроводник, работающий в режиме обеднения | depletion metal-semiconductor field-effect transistor (ssn) |
| полный сумматор на транзисторах | full-adder transistor |
| полупроводниковая ИС на дополняющих биполярных транзисторах | complementary integrated circuit |
| полупроводниковая ИС на дополняющих МОП транзисторах с каналами n- и p-типа проводимости | complementary metal oxide semiconductor (integrated circuit) |
| полупроводниковая ИС с дополняющими транзисторами | complementary (биполярными p-n-p и n-p-n или полевыми МДП транзисторами с проводящими каналами n- и p-типов проводимости) |
| порог разгрузочного n-МОП-транзистора | threshold of the NMOS pull-down transistor (ssn) |
| постоянное ЗУ на биполярных транзисторах | bipolar read-only memory |
| прибор для записи характеристик транзисторов | transistor-curve tracer |
| прибор на биполярных и КМОП-транзисторах | BICMOS |
| прибор на биполярных и КМОП-транзисторах | bi-CMOS |
| прибор на биполярных и МОП-транзисторах | bi-MOS |
| прибор на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| прибор на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-mos device |
| прибор на биполярных и полевых транзисторах | BIFET |
| прибор на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типа | BINMOS |
| прибор на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типа | bi-NMOS |
| прибор на основе комбинации биполярного и полевого транзистора | bi-FET |
| прибор на основе комбинации биполярного транзистора и | bipolar insulated-gate field-effect transistor |
| прибор на основе комбинации биполярного транзистора и полевого транзистора с изолированным затвором | bipolar insulated-gate field-effect transistor |
| прибор на полевых транзисторах | field-effect transistor device |
| прибор на полевых транзисторах | FET device |
| прибор на полевых транзисторах | field-effect device |
| прибор, представляющий собой комбинацию стандартного n-p-n транзистора и полевого транзистора с р-n переходом | gate underlaid transistor |
| принцип действия транзистора | transistor action |
| программируемый однопереходный транзистор, управляемый световым лучом | light-activated programmable unijunction transistor |
| пятислойный транзистор | five-layer transistor |
| n-р-v-n-транзистор | n-p-v-n transistor |
| n-р-i-n-транзистор | n-p-i-n transistor |
| радиационно-стойкий транзистор | radiation damage-resistant transistor |
| разработка биполярных транзисторов | bipolar design |
| разработка ИС на биполярных транзисторах | bipolar design |
| реактивный транзистор | reactance transistor |
| реализация широких транзисторов | implementing wide transistors (ssn) |
| реальный транзистор | actual transistor |
| n-р-n-р-транзистор | n-p-n-p transistor |
| n-р-i-р-транзистор | n-p-i-p transistor |
| светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой | MIS-OLET (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы ВВладимир) |
| светоизлучающий транзистор с переходом металл диэлектрик полупроводник органический слой | MIS-OLET (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы ВВладимир) |
| сегнетоэлектрический полевой транзистор | ferroelectric field-effect transistor |
| сегнетоэлектрический полевой транзистор | ferroelectric FET |
| селективно-легированный полевой транзистор | selectively doped heterojunction transistor |
| селективно-легированный полевой транзистор | modulation-doped field-effect transistor |
| симметричный транзистор | symmetrical transistor |
| симметричный транзистор | bidirectional transistor |
| скорость переключения транзисторов | switching speed of transistors (ssn) |
| слоистый многоэмиттерный транзистор | laminated overlay transistor |
| слоистый транзистор | layer-type transistor |
| слоистый транзистор | laminar transistor |
| смеситель на биполярном транзисторе | BJT mixer |
| смеситель на биполярном транзисторе | bipolar-junction-transistor mixer |
| собранный на транзисторах | transistorized |
| собственно транзистор | intrinsic transistor |
| составной транзистор | Darlington circuit |
| составной транзистор | compound transistor (ssn) |
| составной транзистор, включённый по двухтактной схеме | push-pull transistor |
| составной транзистор Дарлингтона | Darlington pair (усилитель из двух транзисторов, соединённых по схеме с общим коллектором) |
| составной транзистор с объединёнными коллекторами | Darlington-connected transistor |
| составной транзистор с объединёнными коллекторами | compound transistors |
| составной транзистор с объединёнными коллекторами | compound connected transistors |
| сплавленный транзистор | alloyed-junction transistor (ssn) |
| статический индукционный транзистор, работающий в биполярном режиме | bipolar mode static induction transistor |
| статический индукционный транзистор с плоскостным затвором | junction gate static induction transistor |
| схема замещения транзистора | transistor equivalent circuit |
| таблеточный транзистор | tab transistor |
| телевизионный приёмник на электронных лампах и транзисторах | hybrid television receiver |
| телевизор на транзисторах | transistor TV set |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BICMOS |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | bi-CMOS |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-MOS |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах | bi-FET |
| технология изготовления n-канальных полевых МОП транзисторов, использующая два избыточных этапа маскирования | n-channel enhancement depletion technology |
| технология изготовления схем на биполярных транзисторах | bipolar technology |
| тип полевого транзистора | FET Type (Maxim Sh) |
| трёхбазовый транзистор | triple-base transistor |
| трёхвыводной прибор, состоящий из двух биполярных транзисторов и двух резисторов | transistor-resistor coupled device |
| тянутый транзистор | grown-junction transistor |
| тянутый транзистор | grown transistor |
| усилитель на дополняющих транзисторах | complementary transistor amplifier |
| усилитель на дополняющих транзисторах | complementary symmetry amplifier |
| усилитель на комплементарных транзисторах | complementary transistor amplifier |
| усилитель на комплементарных транзисторах | complementary symmetry amplifier |
| усовершенствованные логические схемы с малым энергопотреблением на полевых транзисторах с барьерами Шотки, логические схемы на полевых транзисторах с барьерами Шотки серии ALS | advanced low-power Schottky (ssn) |
| установка для сборки корпусов транзисторов | transistor encapsulation welder |
| фирменное название ИС, содержащей биполярные транзисторы на выходе и полевые транзисторы с изолированным затвором | bipolar insulated gate field-effect transistor |
| целиком на транзисторах | all-transistorized |
| четырсхслойный транзистор | three-junction transistor |
| четырсхслойный транзистор | four-region transistor |
| четырсхслойный транзистор | four-layer transistor |
| широкие транзисторы | wide transistors (ssn) |
| широкий транзистор | wide transistor (ssn) |
| эквивалентная схема транзистора | transistor equivalent circuit |
| электрод, управляющий переносом заряда в транзисторе с поверхностным зарядом | transfer gate |
| электроды для органических полевых транзисторов | OFET (Himera) |
| электрохимический плоскостной транзистор | electrochemical junction transistor |
| эмиттерная характеристика транзистора в схеме с общей | common-base input characteristic |
| эмиттерная характеристика транзистора в схеме с общей | common-base emitter characteristic |
| эмиттерная характеристика транзистора в схеме с общей базой | common-base input characteristic |
| эмиттерная характеристика транзистора в схеме с общей базой | common-base emitter characteristic |
| эмиттерный повторитель на комплементарных транзисторах | complementary emitter follower |
| эпитаксиально-диффузионный плоскостной транзистор | epitaxial-diffused junction transistor |
| эпитаксиально-диффузионный полевой транзистор | epitaxial-diffused FET |
| эпитаксиально-диффузионный транзистор | epitaxial-diffused transistor |
| эпитаксиальный транзистор | all-epitaxial transistor |
| эпитаксиальный транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | DDE transistor (ssn) |
| эпитаксиальный транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused epitaxial transistor |
| ячеистый транзистор | mesh transistor |
| ячейка на МОП транзисторах с антиотражательным покрытием | anti-reflecting metal oxide semiconductor |
