Russian | English |
активация примеси отжигом | annealing activation |
акцепторная примесь | p-dopant modifier |
акцепторная примесь | p-dopant |
алиовалентная примесь | asymmetric impurity |
амфотерная примесь | amphoteric impurity |
атом легирующей примеси | dopant atom |
атом примеси | dopant atom |
атом примеси внедрения | interstitial impurity atom |
атом примеси внедрения | interstitial atom |
атом примеси замещения | substitutional impurity atom |
атом примеси замещения | substitutional atom |
атомная примесь | atomic impurity |
быстроиспаряющиеся примеси | light volatile impurities |
введение примесей в полупроводник | drive-in diffusion |
введение примеси | impurity doping |
введение примеси | doping |
вертикальное введение легирующей примеси | depth placement |
взаимодействие электронов с примесями | electron-impurity interaction |
взвешенная примесь | suspended impurity |
внешний источник примесей | external sources of impurities |
вносить примеси | dope (в полупроводник) |
внутриреакторные источники примеси | internal sources of impurities |
водородоподобная примесь | hydrogen-like impurity |
водостойкий примесь | Water-resisting admixture |
время разгонки примеси | drive time |
высокая растворимость примеси | high-impurity solubility |
вытеснение примесей | rejection of impurity |
газообразный источник примеси | gas-phase impurity source |
газообразный источник примеси | gas source (источник газообразной примеси Oleksandr Spirin) |
гетеропереход с модуляцией концентрации легирующей примеси | modulation-doped heterojunction |
гетероструктура с модуляцией концентрации легирующей примеси | selectively doped heterostructure |
гидрофобная примесь | water-repellent admixture |
глубокая примесь | deep-lying impurity |
глубокая примесь | deep-level impurity |
градиент распределения легирующей примеси | dopant gradient |
градиент распределения примесей при диффузии | diffusion gradient |
грубодисперсная примесь | coarsely dispersed impurity |
группирование примесей | impurity bunching |
деионизация примесей | impurity deionization |
диффузионный поток примеси | impurity diffusion current |
диффузия двух различных примесей | differential diffusion |
диффузия донорной примеси | n-type diffusion |
диффузия примеси p-типа | p-type diffusion |
диффундирующая примесь | diffusor |
доза имплантируемых ионов примеси | ion-implantation dosage |
доля примесей, уносимая парами кипящей воды | carryover rate fraction |
дрейфовый транзистор с экспоненциальным распределением примеси | exponentially-graded drift transistor |
жидкий источник примеси | liquid-phase impurity source |
жидкий источник примеси | liquid source |
загонка ионов примеси | predeposit implant |
загонка примесей | predeposition diffusion |
загонка примесей | predeposition |
загонка примесей | predeposition process |
загонка примесей | predeposition diffusion process |
загонка примесей | deposition diffusion process |
загонка примеси | spin-on (первая стадия двухстадийного процесса диффузии) |
загонка примеси | predeposition (первая стадия двухстадийной диффузии) |
загонка примеси | dopant spin-on |
загонка примеси | dopant deposition |
загонка примеси | infusion |
загонка примеси | prediffusion |
зона изменения концентрации примесей | impurity concentration transition zone |
изовалентная примесь | symmetric impurity |
изоэлектронная примесь | isoelectronic impurity |
имплантируемая примесь | implant |
ионная примесь | ion impurity |
ионная примесь | ionic contaminant |
ионно-имплантированная примесь | ion-implanted impurity |
ионные примеси | ionogenous impurities |
ионогенная примесь | impurity in ionized state |
испарение легирующей примеси | dopant evaporation |
источник донорной примеси | n-dopant source |
источник примеси в твёрдой фазе | solid-phase impurity source |
источник примеси в твёрдой фазе | solid impurity source |
коллоидная примесь | colloidal impurity |
компенсация легирующей примесью | doping compensation |
компенсация примеси | impurity compensation |
компенсирующая примесь | compensating impurity |
концентрация диффундирующей примеси | diffusant-impurity concentration |
концентрация имплантированных ионов примеси | dosage concentration |
концентрация легирующей примеси | doping concentration |
концентрация легирующей примеси | doping density |
концентрация легирующей примеси | doping density |
концентрация примеси в эмиттерной области | emitter impurity concentration |
коэффициент диффузии примесей | impurity diffusion coefficient |
коэффициент диффузии примеси | impurity diffusivity |
кристалл, окрашенный примесями | additively coloured crystal |
кристалл, окрашенный примесями | additively colored crystal |
легирование акцепторной примесью | p-type doping |
легирование акцепторной примесью | p-dopant incorporation |
легирование донорной примесью | n-type doping |
легирование компенсирующей примесью | counterdoping |
легирование примесью | impurity doping |
легирование примесями | lifetime-killer doping |
легирование примесями, уменьшающими время жизни неосновных носителей заряда | lifetime-killer doping |
легирующая примесь | additive agent |
легирующая примесь | impurity dopant |
легирующая примесь | dope additive |
легколетучие примеси | light volatile impurities |
летучая примесь | volatile impurity |
локализованная примесь | localized impurity |
мазер на оксиде титана с примесью хрома | chromium doped titania maser |
мелкая примесь | shallow-lying impurity |
мелкая примесь | shallow-level impurity |
метод изготовления МОП-структур, в котором длина канала регулируется с помощью процесса "дифференциальной диффузии" примесей | diffusion self-alignment |
многоуровневая примесь | multilevel impurity |
некомпенсированная примесь | noncompensated impurity |
неограниченный источник примеси | infinite source |
неокисляющаяся примесь | nonoxidizing dopant |
нерастворимая примесь | insoluble impurity |
отношение концентраций легирующих примесей | doping ratio |
отношение концентраций примесей | concentration ratio |
пара типа примесь внедрения-вакансия | Frenkel pair |
пара типа примесь внедрения-вакансия | interstitial-vacancy pair |
пара примесь внедрения-вакансия | Frenkel pair |
пара типа примесь внедрения-вакансия | interstitial-vacancy pair |
пара типа примесь внедрения-вакансия | Frenkel pair |
перенос ионов примеси | impurity ion transport |
перенос легирующей примеси | dopant transfer |
переход, полученный методом сегрегации примесей | segregation junction |
плавно меняющаяся концентрация примеси | graded-impurity concentration |
полупроводник с акцепторной примесью | acceptor-impurity semiconductor |
полупроводник с донорной примесью | donor-impurity semiconductor |
полупроводниковый прибор с очень низкой концентрацией примесей в области эмиттера | low emitter concentration (device) |
поляризуемая примесь | polarizable impurity |
прибор для измерения профиля распределения легирующей примеси | doping profiler |
примесь в базовой области | base impurity |
примесь в кристалле | crystal impurity |
примесь внедрения | interstitial impurity |
примесь водорода | H. T. delay time |
примесь для скрытого слоя коллектора | buried-collector dopant |
примесь для создания состояний на границе раздела | interfacial dopant |
примесь для формирования ограничителя канала | channel-stopper impurity |
примесь, имплантируемая для формирования p-n-перехода | barrier implant |
примесь, создающая глубокий уровень | deep-level impurity |
примесь, создающая несколько уровней | multilevel impurity |
примесь, уменьшающая время жизни носителей заряда | carrier killer |
проникновение примеси | impurity penetration |
прослоек включение примесей | impurity band |
профиль распределения концентрации примеси | concentration profile |
профиль распределения легирующей примеси | dopant profile |
профиль распределения легирующей примеси по глубине | depth profile |
профиль распределения примеси | impurity profile |
профиль распределения примеси при ионной имплантации | ion-implantation profile |
процент примесей | impurity level |
процесс загонки примеси | predeposition diffusion process (первая стадия двухстадийной диффузии) |
процесс загонки примеси | predeposition process (первая стадия двухстадийной диффузии) |
процесс загонки примеси | deposition diffusion process (первая стадия двухстадийной диффузии) |
процесс разгонки примеси | drive-in diffusion process (вторая стадия двухстадийной диффузии) |
равномерность распределение легирующей примеси | doping uniformity |
разгонка примесей | drive-in |
разгонка примесей | drive-in diffusion |
разгонка примесей | drive-in diffusion process |
разгонка примеси | drive-in (вторая стадия двухстадийной диффузии) |
разгонка примеси | drive-in diffusion (вторая стадия двухстадийной диффузии) |
разгонка примеси для формирования базовой области | base drive-in |
разгонка примеси из газообразного источника | gaseous-source predeposition |
разновалентная примесь | asymmetric impurity |
распределение легирующей примеси по глубине | depth distribution |
рассеяние на нейтральных примесях | neutral-impurity scattering |
рассеяние электронов на примесях | electron-impurity scattering |
растворимая примесь | soluble impurity |
регулирование глубины проникновения примесей | depth control |
регулирование концентрации примесей | doping modulation |
сверхрешётка с модуляцией концентрации легирующей примеси | doping superlattice |
сенсибилизация примесей | impurity sensitization |
скомпенсированная примесь | compensated impurity |
следовая примесь | trace impurity |
следы примеси | traces of impurity |
следы примеси | trace impurity |
слой с гауссовским распределением концентрации легирующей примеси | Gaussian-doped layer |
слой с гауссовским распределением концентрации примеси | Gaussian-doped layer |
содержащиеся в воде примеси | water borne contaminant |
содержащий примеси | coarse |
спин примеси | impurity spin |
способ загонки примеси | spin-on technique |
стадия загонки примесей | predeposition step |
стадия загонки примесей | predeposition step of diffusion |
стадия разгонки примесей | drive-in step of diffusion |
твёрдый источник легирующей примеси | dopant host |
твёрдый источник примеси | solid-phase impurity source |
травитель, чувствительный к примесям | impurity-sensitive etchant |
туннелирование примесей | impurity tunneling |
углеродная донорская примесь | carbon donor |
уран без примеси дочерних продуктов распада | uranium free from its daughters |
цикл разгонки примесей | drive-in cycle |
экспоненциальное плавное распределение примеси | exponential grading |
электрически активная примесь | electrically active impurity |
эпоксидная смола с примесью стекла | glass impregnated epoxy |