| Russian | English |
| БИС фирмы General Instrument, изготовляемые по усовершенствованной технологии с использованием нитрида кремния | General Instrument advanced nitride technology |
| большинство логических устройств, реализованных по МОП-технологии | most logic devices in the MOS technology (ssn) |
| быстродействующие транзисторно-транзисторные логические схемы с барьерами Шотки, изготовленные фирмой Fairchild Semiconductor по улучшенной технологии | Fairchild advanced Schottky TTL |
| Группа Ассоциации по вычислительной технике США по направлению "Технология и применения компакт-дисков" | Special Interest Group for CD Applications and Technology |
| Группа по направлению "Технология и применения компакт-дисков" | Special Interest Group for CD Applications and Technology |
| диод, выполненный по технологии кремний на сапфире | silicon-on-sapphire diode |
| диод, изготовленный по технологии "кремний на сапфире" | SOS diode |
| диод, изготовленный по технологии "кремний на сапфире" | silicon-on-sapphire diode |
| изготовление по тонкоплёночной технологии | thin-film construction |
| изготовление по электронно-лучевой технологии | electron-beam fabrication |
| изготовленная по изопланарной технологии | isoplanar-based integrated circuit |
| изготовленная по сухой технологии | dry-processed integrated circuit (без применения жидких реактивов) |
| изготовленная по сухой технологии | dry-processed IC (без применения жидких реактивов) |
| изоляция по вакуумно-нагнетательной технологии | vacuum pressure impregnated insulation |
| ИС, изготовленная по биполярной и МОП-технологии | bipolar-metal-oxide-semiconductor device |
| ИС, изготовленная по биполярной и МОП-технологии | bi-mos device |
| ИС, изготовленная по изопланарной технологии | isoplanar integrated circuit |
| ИС, изготовленная по изопланарной технологии | isoplanar IC |
| ИС, изготовленная по изопланарной технологии | isoplanar-based IC |
| ИС, изготовленная по изопланарной технологии | isoplanar-based integrated circuit |
| ИС, изготовленная по планарно-эпитаксиальной технологии | planex integrated circuit |
| ИС, изготовленная по планарно-эпитаксиальной технологии | planex IC |
| ИС, изготовленная по сухой технологии | dry-processed integrated circuit |
| ИС, изготовленная по ЭПИК-технологии | epitaxial passivated integrated circuit |
| Комитет по мультимедийным технологиям | Committee on Multimedia Technology |
| компонент, изготовленный по TAB-технологии | tape-automatic bonding |
| компонент, изготовленный по TAB-технологии | tape-automated bonding |
| компонент с матрицей выводов, изготовленный по TAB-технологии | area array tape-automated bonding |
| конечная обработка поверхности по технологии, применяемой для оптических изделий | optical finish |
| логические устройства, реализованные по МОП-технологии | logic devices in the MOS technology (ssn) |
| логическое устройство, реализованное по МОП-технологии | logic device in the MOS technology (ssn) |
| метод обработки ПП по аддитивной технологии, предполагающий стравливание набухшего после специальной обработки покрытия | swell-and-etch technique |
| метод обработки ПП по полуаддитивной технологии, предполагающий стравливание набухшего после специальной обработки покрытия | swell-and-etch technique |
| обработка поверхности диэлектрика для нанесения металлических проводников по аддитивной технологии | electroless direct band |
| пассивированная ИС, изготовленная по планарной технологии | planar passivated-chip |
| печатная плата, изготовленная по аддитивной технологии | additive printed circuit |
| ПП, изготовляемые по субтрактивной технологии с сеткографическим переносом рисунка | print and etch |
| прибор изготовления по современной технологии | high-technology device |
| прибор, изготовленный по эпитаксиальной технологии | epitaxial device |
| Семинар по открытым системам Национального института по стандартам и технологиям | OSI Implementors Workshop |
| структура RMOS см., изготовленная по технологии с самосовмещением | self-aligned refractory MOS |
| технология изготовления аналоговых ИС, по которой на одном кристалле размещаются биполярные и МОП транзисторы | bipolar-MOS |
| фирменное название ПП, изготавливаемых фирмой Advanced Circuitry США по аддитивной технологии | fully additive technology |
| фотошаблон, изготовленный по электронно-лучевой технологии | electron-beam generated mask |
