| Russian | English |
| активированная окись кремния | reactive silica |
| активированный оксид кремния | activated silica |
| активный кремний | activated silica |
| аморфная двуокись кремния | silica |
| аморфный кремний | amorphous silica |
| БИС фирмы General Instrument, изготовляемые по усовершенствованной технологии с использованием нитрида кремния | General Instrument advanced nitride technology |
| бумага на основе оксида алюминия 51% и диоксида кремния | alumina-silica paper (47 %) |
| гетеропереход германий-кремний | germanium-silicon heterojunction |
| гетеропереход кремний-диоксид кремния | silicon-silicon dioxide heterojunction |
| гетеропереход халькогенидное стекло-кремний | chalcogenide-silicon heterojunction |
| гетеропереход халькогецидное стекло-кремний | chalcogenide-silicon heterojunction |
| геттер из поликристаллического кремния | polysilicon getter |
| геттерирование с помощью слоя из поликристаллического кремния | polysilicon gettering |
| геттерирование с помощью слоя из пористого кремния | porous silicon gettering |
| геттерирующий слой из поликристаллического кремния | polysilicon getter |
| гидрофобный диоксид кремния | hydrophobic silica |
| диод, выполненный по технологии кремний на сапфире | silicon-on-sapphire diode |
| диод, изготовленный по технологии "кремний на сапфире" | SOS diode |
| диод, изготовленный по технологии "кремний на сапфире" | silicon-on-sapphire diode |
| диод со структурой металл-оксид-кремний | MOS diode |
| диод со структурой металл-оксид-кремний | metal-oxide-silicon diode |
| диоксид кремния, легированный фосфором | phosphorous doped oxide |
| дисплей на структуре типа "жидкий кристалл на кремнии" | liquid-crystal-on-silicon display |
| дисплей на структуре типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS display |
| диффузионный датчик давления кремния | diffused silicon pressure transmitter |
| диффузия в замкнутой системе из порошка кремния | powdered-silicon source closed-tube diffusion |
| диффузия из легированного поликристаллического кремния | doped-polysilicon diffusion |
| диэлектрическая изоляция диоксидом кремния и поликристаллическим кремнием | silicon dioxide-polysilicon dielectric isolation |
| запоминающая ЭЛТ с мишенью из диоксида кремния | silicon-dioxide storage tube |
| затвор из поликристаллического кремния n+-типа | n+ poly gate |
| затвор с изолирующим слоем из нитрида кремния | nitride gate |
| изоляция пористым оксидированным кремнием | insulation by porous oxidized silicon |
| изоляция элементов ИС двуокисью кремния и поликристаллическим кремнием | dioxide-polysilicon isolation |
| изоляция элементов ИС методом шлифовки обратной стороны подложки до обнажения предварительно вытравленных и заполненных поликристаллическим кремнием канавок | shape-back dielectric isolation |
| ИС на структурах металл-оксид-кремний | MOS integrated circuit |
| ИС на структурах металл-оксид-кремний | metal-oxide-silicon integrated circuit |
| ИС на структурах металл-оксид-кремний-сапфир | MOS-on-sapphire integrated circuit |
| ИС на структурах типа кремний на диэлектрике | silicon-on-insulating substrate device |
| ИС со структурой "кремний на сапфире" | silicon on sapphire (IC) |
| ИС типа "кремний на сапфире" | silicon-on-sapphire integrated circuit |
| ИС типа "кремний на сапфире" | silicon-on-sapphire IC |
| ИС типа кремний на сапфире | SOS integrated circuit |
| ИС типа кремний на сапфире | silicon-on-sapphire integrated circuit |
| исходный диоксид кремния | native silicon dioxide |
| канал пересечения разводок из высоколегированного кремния | heavily-doped-silicon conduit |
| КМОП-структура с двойным слоем поликристаллического кремния | double-polysilicon complementary metal-oxide-semiconductor |
| КМОП-структура типа "кремний на сапфире" | CMOS-on-sapphire |
| конвольвер на структуре кремний-ниобат лития | silicon-lithium niobate convolver |
| конденсатор со структурой металл-нитрид кремния-оксид-полупроводник | metal-silicon nitride-oxide-semiconductor capacitor |
| конденсатор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник | metal-silicon nitride-silicon capacitor |
| кремний, выращенный методом зонной плавки | float-zone silicon |
| кремний металлургической чистоты | metallurgical grade silicon |
| кремний-органическая изоляция | silicone resin |
| кремний полупроводниковой чистоты | electronic grade silicon |
| кремний с дислокациями | defective silicon |
| кремний с дырочной электропроводностью | p-type silicon |
| кремний с собственной электропроводностью | i-type silicon |
| кремний с собственной электропроводностью | intrinsic silicon |
| кремний с электронной электропроводностью | n-type silicon |
| кремний i-типа | intrinsic silicon |
| кремний i-типа | i-type silicon |
| лазер на парах кремния | silicon vapor laser |
| лазер на парах кремния | Si laser |
| маска из нитрида кремния | silicon-nitride mask |
| межсоединение из поликристаллического кремния | polysilicon interconnection |
| металлургический кремний | metallurgical grade silicon |
| метод двукратного наращивания поликристаллического кремния | two-level polysilicon gate technology |
| метод изготовления биполярных транзисторов и ИС, в котором в качестве источника диффузии используется легированный поликристаллический кремний | doping of silicon |
| метод изготовления ИС, по которому для изоляции отдельных элементов применяется поликристаллический кремний | polycrystal isolation |
| метод изготовления матричных ИС с использованием низкотемпературного поликристаллического кремния | LTPS |
| метод изготовления матричных ИС с использованием низкотемпературного поликристаллического кремния | low-temperature polycrystalline silicon |
| монокристаллический кремний | single-crystal Si (moscow-translator.ru mazurov) |
| МОП ИС типа "кремний на сапфире" | MOS-on-sapphire IC |
| МОП ИС типа "кремний на сапфире" | MOS-on-sapphire integrated circuit |
| МОП ИС типа кремний на сапфире | metal-oxide-semiconductor-on- circuit |
| нагревательный стержень из карбида кремния | silicon carbide heating rod |
| насыщение кремнием | silicon impregnation |
| неактивный кремний | non-activated silica |
| неколлоидная окись кремния | noncolloidal silica |
| нерастворимая окись кремния | insoluble silica |
| низкотемпературный поликристаллический кремний | low-temperature polycrystalline silicon |
| окись кремния | silicon dioxide |
| органическое соединение кремния | organic silicon compound |
| пассивация диоксидом кремния | silicon dioxide passivation |
| пассивация нитридом кремния | nitride passivation |
| пассивированный кремний | passivated silicon |
| ПЗС с электродами из поликристаллического кремния | polysilicon CCD |
| полевой транзистор на основе поликристаллического кремния | polysilicon FET |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник | metal-silicon nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник | metal- nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-окисел-кремний | metal-oxide-silicon FET |
| поликристаллический кремний, полученный путём двукратного наращивания | double-poly (silicon) |
| полная изоляция элементов МОП ИС пористым оксидом кремния | full isolation by porous oxidized silicon |
| полуизолирующий поликристаллический кремний | semiinsulating polycrystalline silicon |
| прибор для измерения кремния | silica-meter |
| прибор на структуре типа "кремний на сапфире" | SOS device |
| проводящая перемычка из высоколегированного кремния | silicon interconnection conduit (осаждается на подложку и сверху изолируется диэлектриком) |
| проводящая перемычка из высоколегированного кремния | silicon conduit (осаждается на подложку и сверху изолируется диэлектриком) |
| проводящая перемычка из высоколегированного кремния | heavily-doped silicon conduit (осаждается на подложку и сверху изолируется диэлектриком) |
| процесс изготовления ИС с толстым защитным слоем из двуокиси кремния фирмы Philips | local oxidation of silicon |
| рамка из эвтектического сплава золота и кремния | gold-silicon preform |
| с вытравленным под ними кремнием | Mo-Au |
| СБИС, выполняемая на цельной, не разрезаемой на кристаллы пластине кремния | wafer-scale integration |
| сверхрешётка на основе кремния | silicon-based superlattice |
| сверхрешётка на основе кремния | silicon superlattice |
| слой диоксида кремния сформированный электронно-лучевой обработкой | e-beam quartz |
| слой из поликристаллического кремния | polysilicon layer |
| структура "кремний на диэлектрике" | insulated gate structure |
| структура металл-нитрид кремния-окисел кремния-полупроводник | metal-nitride-oxide-semiconductor |
| структура металл-нитрид кремния-оксид кремния-кремний | MSNSOS structure (metal-silicon nitride-silicon oxide-silicon structure ssn) |
| структура металл-нитрид кремния-оксид кремния-кремний | metal-silicon nitride-silicon oxide-silicon structure |
| структура металл-оксид-кремний | metal-oxide-silicon structure |
| структура металл-оксид-кремний, полученная методом боковой диффузии | laterally diffused metal-oxide-silicon |
| структура металл-оксид-кремний, полученная методом горизонтальной диффузии | laterally diffused metal-oxide-silicon |
| структура металл-оксид кремния-кремний с толстым слоем оксида | metal-thick oxide-silicon structure |
| структура металл-оксид-нитрид кремния-кремний с толстым слоем оксида | metal-thick oxide-nitride-silicon structure |
| структура металл-полимер-кремний | metal-polymer-silicon |
| структура с двухслойным пассивирующим покрытием из оксида и нитрида кремния | nitrox |
| структура с покрытием из оксида и нитрида кремния | nitride-oxide structure |
| структура типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS |
| структура типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulator structure |
| структура типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulator |
| структура типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulated substrate structure |
| структура типа кремний на диэлектрике | silicon-on-insulated substrate structure |
| структура типа "кремний на шпинели" | silicon-on-spinel structure |
| технология изготовления дисплеев на структурах типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS |
| технология изготовления ИС с применением полукристаллического кремния и самосовмещением | polysilicon self-aligned |
| технология изготовления ИС с самосовмещённым затвором из поликристаллического кремния | advanced polysilicon self-aligned |
| технология изготовления лент из поликристаллического кремния путём вытягивания из расплава | edge stabilized ribbon |
| технология изготовления микродисплеев на структурах типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS |
| технология изготовления МОП ИС с толстым защитным слоем оксида кремния | local oxidation of silicon |
| технология изготовления МОП схем с изоляцией затвора толстым слоем нитрида кремния | metal thick nitride silicon |
| технология кремний на сапфире | silicon-on-sapphire |
| технология кремний на сапфире | silicon on sapphire |
| технология локального окисления кремния | locos technology |
| технология поверхностной пассивации полупроводниковых приборов с использованием легированных кислородом плёнок поликристаллического кремния | semi-insulating polycrystalline silicon |
| технология формирования диэлектрической изоляции с помощью пористого окисленного кремния | isolation by porous oxidized silicon |
| топливо с покрытием из карбида кремния | silicon carbide coated fuel |
| травитель для диоксида кремния | silicon-dioxide etch |
| травитель для диоксида кремния | silicon dioxide etch |
| травитель для кремния | silicon etch |
| травление диоксида кремния | silicon dioxide etching |
| травление кремния | silicon etching |
| транзистор со структурой металл-оксид-кремний | metal-oxide-silicon transistor |
| устройство свёртки на структуре кремний – ниобат | silicon-lithium niobate convolver |
| формирование маски из нитрида кремния | nitride masking |
| формирование рельефа в слое нитрида кремния | nitride definition |
| эвтектика золота и кремния | gold-silicon eutectic |
| эпитаксиальный осаждённый кремний | epitaxially deposited silicon |
