| Russian | English |
| асинхронные входы, которые управляются низким уровнем напряжения | active-low asynchronous inputs (ssn) |
| асинхронный вход, который управляется низким уровнем напряжения | active-low asynchronous input (ssn) |
| атрибут группа атрибутов, от которого зависит любой другой атрибут | determinant (любая другая группа атрибутов) |
| быстродействие, которого можно добиться с использованием обычных методов проектирования | performance that can be achieved using a conventional design methodology (ssn) |
| в машинном проектировании ПП: метод размещения компонентов на ПП, по которому все компоненты с требуемыми соединениями высвечиваются на ЭЛТ произвольно расположенными на матрице, после чего проектировщик начинает их передвигать, стремясь оптимизировать их расположение, а линии соединений "тянутся" за компонентами, растягиваясь | rat's nest |
| в машинном проектировании ПП: метод размещения компонентов на ПП, по которому все компоненты с требуемыми соединениями высвечиваются на ЭЛТ произвольно расположенными на матрице, после чего проектировщик начинает их передвигать, стремясь оптимизировать их расположение, а линии соединений "тянутся" за компонентами, сокращаясь | rat's nest |
| вариант метода RIM см., при котором в олигомер добавляют упрочняющий армирующий материал | reinforced RIM (напр., рубленое стекловолокно) |
| внешние асинхронные входы, которые управляются низким уровнем | external active-low asynchronous inputs (ssn) |
| внешний асинхронный вход, который управляется низким уровнем | external active-low asynchronous input (ssn) |
| время, в течение которого данные недостоверны | period where data is not valid (ssn) |
| время, в течение которого данные остаются достоверными | period where data is valid (ssn) |
| время, в течение которого смола препрега при определённой температуре переходит в гелеобразное состояние | gel time |
| время от начала отверждения клея до момента, после которого склеиваемыми деталями можно манипулировать без нарушения их взаимной фиксации | fixturing time |
| ГИС, в которой на керамической подложке нанесёны тонкоплёночные танталовые резисторы и смонтированы кристаллы ИС | silicon tantalum integrated circuit |
| гребёнка штырьков, верхняя часть которой выполнена в виде гнёзд | socket-terminal strip |
| детектирование переходов, которые могут происходить в любом направлении | detection of transitions that may occur in either direction (ssn) |
| дефект поверхности слоистого материала, появляющийся в результате ломки армирующих волокон, концы которых выступают на поверхность механически обработанных участков материала | fiber exposure |
| диапазон входного сигнала, который воспринимается как высокий логический уровень | logic high input range (ssn) |
| диапазон входного сигнала, который воспринимается как низкий логический уровень | logic low input range (ssn) |
| диффузионный резистор, толщину которого уменьшают созданием в нём второй диффузионной области с противоположным типом проводимости | squeeze resistor |
| ещё раз рассмотрим в качестве примера схему, в которой триггер подавителя дребезга разрешает прохождение последовательности импульсов | as an example, let's reconsider the circuit in which a debouncer flip-flop gated a pulse train (см. The Art of Electronics by Horowitz & Hill 2015) |
| заготовка, на которой одновременно изготовляются несколько ПП | breakaway panel (после завершения обработки разделяется путём ломки по перфорированным линиям) |
| значение, которое на диаграмме показано как DR | value on the diagram which is shown as DR (ssn) |
| преднамеренное использование предложений, смысл которых зависит от логического ударения | accent fallacy |
| калькулятор, схема и дисплей которого изготовлены на общей стеклянной подложке | calculator on substrate |
| квалификационное испытание изделия для использования его вне диапазона использования, для которого оно было разработано | up-screening (не путать с sreening = reliability testing geseb) |
| количество проводов из которых составлена скрученная жила | number of wires composing stranded conductor (Komron) |
| контакты которого подвержены окислению | dry circuit |
| корпус, выводы которого расположены по двум сторонам | split DIP (но загнуты вниз на разных расстояниях от стенок корпуса, так что образуется четыре ряда вертикальных штырьков) |
| кремниевый датчик давления, чувствительный элемент которого имеет крестообразную форму | X-ducer |
| линейная ИС например, операционный усилитель, которой для осуществления требуемой функции необходимы внешние компоненты | undefined function circuit |
| лицо, которому доверено | trustee |
| логическая схема, выходное состояние которой определяется предыдущим входным состоянием | sequential logic |
| МДП структура, в которой управляемый канал расположен глубже, чем обычно | bulk metal-insulator-semiconductor |
| Мезохронным называется сигнал, который имеет ту же частоту, что и локальный тактовый сигнал, но сдвиг фаз которого относительно этого сигнала неизвестен | A mesochronous signal is one that has the same frequency but an unknown phase offset with respect to the local clock (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003 ssn) |
| метод внутрисхемной проверки, при котором с помощью контактирующего приспособления с измерительными иглами обеспечивается доступ к любой точке любого компонента на ПП | bed-of-nails technique |
| метод внутрисхемной проверки, при котором с помощью контактирующего приспособления с измерительными штифтами обеспечивается доступ к любой точке любого компонента на ПП | bed-of-nails technique |
| метод групповой пайки, при котором ПП протягивается по наклонному конвейеру, так что нижняя её сторона касается поверхности статичной ванны припоя | float soldering |
| метод изготовления биполярных транзисторов и ИС, в котором в качестве источника диффузии используется легированный поликристаллический кремний | doping of silicon |
| метод изготовления ГИС, при котором на подложку с обеих сторон наносится плёнка | back-to-back |
| метод изготовления ИС, в котором отдельные области изолируются слоем окисла | oxide isolated monolith |
| метод изготовления ИС, по которому для изоляции отдельных элементов применяется поликристаллический кремний | polycrystal isolation |
| метод изготовления МОП-структур, в котором длина канала регулируется с помощью процесса "дифференциальной диффузии" примесей | diffusion self-alignment |
| метод изготовления ПП, при котором на те участки, где должны быть проводники, наносится специальное вещество | direct-circuited multiple |
| метод измерения контактного сопротивления, при котором исключаются все сопротивления, кроме сопротивления в точке контакта | crossed wire method |
| метод макетирования печатных узлов, в котором по разработанному макету подбирается одна из комплекта готовых ПП | one-off design |
| метод переноса рисунка схемы на ПП, в котором используется техника термомагнитографии | cirtrak (разработка фирмы Du Pont, США) |
| метод поиска неисправностей ПП, при котором оператор ведёт зонд от выходного контакта, на котором появился ошибочный сигнал, по узловым точкам ПП вплоть до нахождения неисправности | internal trace technique |
| метод поиска неисправностей ПП, при котором оператор ведёт зонд от выходного контакта, на котором появился ошибочный сигнал, по узловым точкам ПП вплоть до нахождения неисправности | guided probe |
| метод получения эпитаксиальных плёнок, при котором пластина-источник располагается параллельно подложке | sandwich method |
| метод соединения однокристальных ИС между собой при помощи тонкой диэлектрической плёнки, на которой нанесёны токоведущие дорожки и укреплены балочные выводы | beam-lead laminated system |
| метод ультразвуковой пайки, при котором применяется противень, плавающий в вибрирующей ванне с припоем | boat-in-solder |
| минимальная мощность, при которой КПД становится отличным от нуля | minimum power where the efficiency is non-zero (Konstantin 1966) |
| минимальное изменение амплитуды, которое ещё может воспринимать ухо человека | smallest change in amplitude that can be detected (амплитуды чистого тона ssn) |
| минимальное изменение амплитуды, которое может быть выявлено | smallest change in amplitude that can be detected (напр., анализатором ssn) |
| минимальное изменение амплитуды, которое может быть выявлено анализатором | smallest change in amplitude that can be detected by the analyzer (ssn) |
| минимальное изменение амплитуды, которое может воспринимать ухо человека | smallest change in amplitude that human ear can perceive (амплитуды чистого тона ssn) |
| МОП структура, на которой регистрация и считывание информации осуществляется с помощью электронного луча | beam addressed MOS |
| МОП транзистор, в котором области истока и стока выполнены из поликремния | polysilicon source and drain MOS transistor |
| МОП-структура, в которой затвор располагается с обратной стороны кристалла | back-gate MOS |
| МПП, в которой контакт между слоями осуществляется посредством сквозных металлизированных отверстий | plated-through laminate |
| МПП, для изготовления слоёв которой используются необожжённые керамические заготовки | ceramic tape multilayer board |
| намоточный станок, в котором шпуля и водитель провода вращаются вокруг неподвижного каркаса | turret type winder |
| намоточный станок, в котором шпуля и водитель провода вращаются вокруг неподвижного каркаса | fly winder |
| напряжение на затворе полевого транзистора, при котором ток стока уменьшается до нуля | pinch-off voltage |
| неисправности, которые детектируются одними и теми же тестовыми векторами | faults detected by the same test vectors (ssn) |
| область памяти, к которой в многопроцессорной системе обращается большое число процессоров | hot spot |
| объект, на котором происходит дифракция | diffractor |
| ограничение, которое связывает изменения входных переменных в течение перехода с некоторым интервалом времени | restriction that input changes associated with an input transition occur within a specified interval (ssn) |
| основание, к которому выводы элементов прикрепляются поверхностным способом | surface-mounting substrate (без использования сквозных отверстий) |
| основной тон, на котором располагается изображение | background |
| основной цвет, на котором располагается изображение | background |
| относящийся к электронным устройствам, которые пыле-и водонепроницаемы, выдерживают падение с определённой высоты, устойчивый к электромагнитной интерференции и соответствуют кодам IPR | rugged (qwarty) |
| отношение сопротивлений которых определяет диапазон изменения измеряемой | ratio arms |
| пайка потоком припоя, который подаётся тонким слоем на плату, расположенную чуть наклонно обрабатываемой стороной вверх | flow-over mass soldering |
| панелька для монтажа на ПП двух корпусов типа DIP, которые располагаются один над другим | stacked DIP socket |
| переменные, которые изменяются в процессе перехода | variables that change during a transition (ssn) |
| переходы, которые могут происходить в любом направлении | transitions that may occur in either direction (ssn) |
| плечи моста, отношение сопротивлений которых определяет диапазон изменения измеряемой величины | ratio arms |
| полевой МОП транзистор, в котором изолирующий окисел затвора получен методом анодирования | anodized MOS field effect transistor |
| полевой транзистор, в котором металлическое покрытие затвора играет роль "химической мембраны" | chemical FET |
| полевой транзистор, в котором электрод затвора заменен жидкостью | ion sensitive FET |
| ПП, изготовленная методом химического травления фольгированного диэлектрика, на котором предварительно кислотоупорной краской нанесён рисунок схемы | print-and-etch board (наиболее распространённый способ изготовления ПП) |
| прикладная программа, результаты работы которой не заносятся в базу данных общего пользования | non-transactional application |
| прямоугольный гнездовой соединитель для ПП, в котором контактные пружины имеют Z-образную форму | accordion |
| расстояние, на которое вывод ЭРЭ выступает над ПП со стороны пайки | lead projection |
| Сигнал, который может выполнять переходы в любой момент времени, называется асинхронным | A signal that can transition at arbitrary times is considered asynchronous (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003 ssn) |
| симметричная вибраторная антенна с центральным возбуждением, точки возбуждения которой смещены в направлении, поперечном вибратору | dipole antenna with feed points displaced transverse to dipole axis |
| специальная трафаретная лента, через которую производится нанесение толстых плёнок на неровную, ступенчатую поверхность | transfer tape |
| способ монтажа ИС, при котором присоединение проволоки к контактной площадке кристалла осуществляется методом оплавленного шарика, а к внешним выводам – путём стежкового сшивания | ball/wedge bonding (инструментом служит один и тот же капилляр) |
| способ монтажа ИС, при котором присоединение проволоки к контактной площадке кристалла осуществляется методом оплавленного шарика, а к внешним выводам – путём стежкового сшивания | ball-and-stitch bonding (инструментом служит один и тот же капилляр) |
| срок, в котором налог освобождён | tax holidays |
| сторона, на которой образуется фотоизображение | emulsion side (применительно к стеклянным и плёночным фотошаблонам) |
| структура МОП, в которой слой окисла постепенно наращивается разными методами | metal-graded oxide-semiconductor |
| схема, в которой триггер подавителя дребезга разрешает прохождение последовательности импульсов | circuit in which a debouncer flip-flop gated a pulse train (ssn) |
| счётчик по модулю M, счётный цикл которого задаётся заранее выбранным числом M | modulo-M counter, the counting cycle of which is determined by the preselected number M (ssn) |
| технология изготовления аналоговых ИС, которая заключается в комбинации p-канального полевого транзистора, созданного ионной имплантацией, на одном кристалле со стандартным биполярным транзистором | bipolar-FET |
| технология изготовления аналоговых ИС, по которой на одном кристалле размещаются биполярные и МОП транзисторы | bipolar-MOS |
| технология изготовления ИС "вертикальной" структуры, в котором один общий затвор управляет n-и p-канальными МОП транзисторами | joint metal-oxide-semiconductor |
| транзистор, в котором переход база-коллектор шунтирован диодом Шоттки | Schottky-barrier collector transistor |
| JK-триггер, который управляется по отрицательному фронту тактового импульса | J-K FF that responds to a NGT on its clock input (ssn) |
| JK-триггер с асинхронными входами, которые управляются низким уровнем напряжения | J-K flip-flop with active-low asynchronous inputs (ssn) |
| универсальные устройства, которые можно использовать для решения самых разнообразных задач | versatile devices that can be used in a wide variety of applications (ssn) |
| Управляемые фронтом тактового импульса триггеры синхронные триггеры – это универсальные устройства, которые можно использовать для решения самых разнообразных задач, включая вычисления, хранение двоичной информации, передачу данных в двоичной форме и многие другие | Edge-triggered clocked flip-flops are versatile devices that can be used in a wide variety of applications including counting, storing of binary data, transferring binary data, and many more (см. Digital Systems: Principles and Applications 8th Edition by Ronald J. Tocci, Neal S. Widmer 2001 ssn) |
| уровень сборки, на котором более целесообразно произвести замену, чем ремонт | throwaway level (напр., уровень элемента, платы, модуля и т.п.) |
| установка ЭРЭ, при которой выводы не вставляют в отверстия ПП, а отгибают горизонтально и припаивают к контактным площадкам | reflow mount (методом оплавления припоя) |
| устройства, которые нельзя напрямую подключить к портам, для прямого соединения необходим внешний адаптер | non-insertable devices (Alexandra_Kalacheva) |
| устройство напр. магнитный диск, с которого производится копирование данных | source |
| устройство напр. магнитный диск, с которого производится копирование данных | S |
| фотодетектор, выходной сигнал которого зависит от положения источника воспринимаемого луча | position sensitive detector |
| часть корпуса ИС, на которой крепится кристалл | header |
| штепсельная розетка, в которой электрическое соединение осуществляется после введения вилки и поворота её на некоторый угол | twist-lock receptacle |
| штыревой контакт, плотное сочленение которого с гнездовым обеспечивается за счёт особой конструкции штыря | active pin (расщеплённый штырь, штырь С-образного сечения) |
| электронный коттедж-дом, который оборудован электронным оборудованием необходимым для запуска бизнеса | electronic cottage (Interex) |
| электрохимический струйный процесс, в котором в качестве электрода-инструмента используются стеклянные капиллярные трубки | electro-stream process |
| электрохимический струйный процесс, отличительной особенностью которого является применение платинового сопла-катода | electro-jet process |
| эти колебания фундаментально ограничивают быстродействие, которого можно добиться с использованием обычных методов проектирования | these variations fundamentally limit the performance that can be achieved using a conventional design methodology (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003) |
