| Russian | English |
| антисегнетоэлектрический фазовый переход | antiferroelectric phase transition |
| антиферродисторсионный фазовый переход | antiferrodistortive phase transition |
| быстрый переход | rapid transition |
| быстрый переход | fast transition |
| варактор с плавным переходом | graded varactor |
| варактор с плавным переходом | graded-junction varactor |
| варактор с резким переходом | step p-n junction varactor |
| варактор со сверхрезким переходом | hyperabrupt varactor |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от высокого уровня к низкому | delay time in going from high to low (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от низкого уровня к высокому | delay time in going from low to high (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от состояния высокого уровня к состоянию низкого уровня | delay time in going from high to low state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от состояния логического 0 к состоянию логической 1 | delay time in going from logical 0 to logical 1 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от состояния логического нуля к состоянию логической единицы | delay time in going from logical 0 to logical 1 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от состояния логической единицы к состоянию логического нуля | delay time in going from logical 1 to logical 0 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от состояния логической 1 к состоянию логического 0 | delay time in going from logical 1 to logical 0 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при его переходе от состояния низкого уровня к состоянию высокого уровня | delay time in going from low to high state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня | delay time in going from high to low state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала из состояния логического 0 в состояние логической 1 | delay time in going from logical 0 to logical 1 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала из состояния логического нуля в состояние логической единицы | delay time in going from logical 0 to logical 1 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала из состояния логической 1 в состояние логического 0 | delay time in going from logical 1 to logical 0 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала из состояния логической единицы в состояние логического нуля | delay time in going from logical 1 to logical 0 state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня | delay time in going from low to high state (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала от высокого уровня к низкому | delay time in going from high to low (ssn) |
| величина задержки распространения сигнала при переходе сигнала от низкого уровня к высокому | delay time in going from low to high (ssn) |
| вероятности переходов | Einstein coefficients |
| вероятность вынужденного перехода | induced-transition rate |
| вероятность индуцированного перехода | induced-transition rate |
| вероятность перехода | transition rate |
| вероятность перехода в основное состояние | deexcitation rate |
| вероятность перехода при ударе | collision transition probability |
| вероятность спонтанного перехода | spontaneous-transition rate |
| ветвь программы или алгоритма при безусловном переходе | unconditional branch |
| ветвь программы или алгоритма при условном переходе | conditional branch |
| взаимодействующие p-n-переходы | interacting p-n junctions |
| возможность перехода из параллельного режима обработки данных в последовательный режим | serializability |
| возможность перехода от побайтовой передачи данных к побитовой | serializability |
| вплавной переход | fusion junction |
| вплавной переход | fused junction |
| вращательный переход | rotational transition |
| высоковольтный переход | high-voltage junction |
| гомоструктурный p-n-переход | p-n-homojunction |
| гомоструктурный p-n-переход | p-n homojunction |
| граф переходов | transition graph |
| граф переходов сигнального нумератора | state diagram of an annunciator (ssn) |
| граф переходов сигнального устройства | state diagram of an annunciator (ssn) |
| датчик для перехода в режим защиты от записи | write-protect sensor |
| двухфотонный переход | two-photon transition |
| детектирование переходов | detection of transitions (ssn) |
| детектирование переходов, которые могут происходить в любом направлении | detection of transitions that may occur in either direction (ssn) |
| детектор перехода сигнала через нуль | zero-crossing detector |
| джозефсоновский переход | Josephson barrier |
| джозефсоновский переход со слоем оксида | oxide-gap Josephson junction |
| диапазон частот, соответствующий переходу "чёрное-белое" | black-to-white frequency swing |
| динамический риск сбоя, связанный с переходом с высокого логического уровня на низкий | step-down hazard (ssn) |
| динамический риск сбоя, связанный с переходом с низкого логического уровня на высокий | step-up hazard (ssn) |
| диод на основе коллекторного перехода | collector-base diode |
| диод на основе перехода "эмиттер-база" | emitter-base diode |
| диод на основе эмиттерного перехода | base-emitter diode |
| диод с выращенным переходом | grown-junction diode |
| диод с выращенным переходом | grown diode |
| диод с диффузионным p-n-переходом | diffused diode |
| диод с мелким переходом | shallow diode |
| диод с неглубоким переходом | shallow diode |
| диод с обратным смещением перехода | reversebiased diode (ssn) |
| диод с обратным смещением перехода | reverse biased diode (ssn) |
| диод с обратным смещением перехода | reverse-biased diode |
| диод с обратным смещением перехода | reverse-biased rectifier |
| диод с обратным смещением перехода | back-biased diode |
| диод с прямым смещением перехода | forward-biased rectifier |
| диод с прямым смещением перехода | forward-biased diode |
| диод со сварным переходом | welded-junction diode |
| дисперсная матрица типа холестерик-нематик с фазовым переходом | phase change cholesteric-nematic guest-host (ssn) |
| дисторсионный структурный фазовый переход | distortive structural phase transition |
| дифференциальный метод передачи сигналов с минимизацией переходов | transition minimized differential signaling |
| дырочный переход | hole transition |
| задержка восстановления перехода | recovery delay of junction |
| задержка отклика выходного сигнала относительно входного при переходе от высокого уровня к низкому | delay in the output's response as it goes from high to low (ssn) |
| задержка перехода | transition delay (ssn) |
| задержка перехода предыдущего каскада | transition delay of the previous stage (ssn) |
| запись напр. на компакт-диск методом фазовых переходов | phase change recording (в материале рабочего слоя) |
| запись напр. на компакт-диск методом фазовых переходов | phase transition recording (в материале рабочего слоя) |
| запись методом фазовых переходов | phase change recording (напр., запись на компакт-диск в материал рабочего слоя, запись в энергонезависимую память ssn) |
| запрещённая зона с непрямыми переходами | undirect gap |
| запрещённая зона с непрямыми переходами | indirect band gap |
| запрещённая зона с прямыми переходами | direct gap |
| запрещённая зона с прямыми переходами | direct band gap |
| запрещённый переход | forbidden transition |
| идентификатор перехода | leg identifier |
| идентификация переходов | transition identification |
| изготовление перехода методом выращивания | grown-junction process |
| изготовление перехода методом диффузии | diffused-junction process |
| изготовление перехода методом сплавления | alloy-junction process |
| излучательный переход | emitting transition |
| излучательный переход в основное состояние | radiative deactivation |
| излучение при свободно-свободном переходе | free-free transition radiation (в плазме) |
| изображение с переходами от светлого к тёмному | half-tone picture |
| изображение с переходами от светлого к тёмному | half-tone image |
| изолирующий переход | isolation-substrate junction (в ИС) |
| изолирующий p-n-переход | isolation-substrate junction diode |
| изолирующий p-n-переход | isolation diode |
| инвертированный переход | inverted transition |
| инжектирующий переход | injector junction |
| инжекционный лазер с непрямыми переходами | indirect-gap injection laser |
| инжекционный лазер с прямыми переходами | direct-gap injection laser |
| интенсивный переход | strong transition |
| ионно-имплантированный переход | implanted junction |
| ИС с балочными выводами и герметизированными переходами | beam-lead sealed junction (технология фирмы Bell Labs, США) |
| ИС с вертикальными p-n-переходами | vertical junction device |
| ИС с герметизированными переходами | sealed-junction integration circuit |
| ИС с герметизированными переходами | sealed-junction IC |
| ИС с изолирующими p-n-переходами | junction-isolation integrated circuit |
| ИС с изолирующими p-n-переходами | junction-isolated device |
| ИС с изоляцией p-n-переходами | junction-isolation integrated circuit |
| ИС с изоляцией p-n-переходами | p-n junction isolated IC |
| ИС с изоляцией p-n-переходами | junction-isolation IC |
| каплевидный переход | solder blob junction |
| каплевидный переход | solder junction |
| каплевидный переход | bead junction |
| квадрупольный переход | quadrupole transition |
| коаксиально-волноводный переход | waveguide-to-coaxial adapter |
| коаксиально-волноводный переход пуговичного типа | doorknob transformer |
| коаксиально-волноводный переход с согласующим шлейфом на ребристом | tapered-ridge junction |
| коаксиально-полосковый переход электрического соединителя | coaxial-to-strip adaptor |
| коллекторный переход | collector diode |
| кольцевой переход | ring junction |
| команда перехода | transfer of control |
| команда перехода в режим шифрования | ciphering mode set |
| команда условного перехода | branch order |
| коммутация с помощью "взвешенных переходов" | weight-junction switching |
| конденсатор на обратносмещённом p-n-переходе | junction capacitor |
| конденсатор на обратносмещённом p-n-переходе | semiconductor capacitor |
| конденсатор на обратносмещённом p-n-переходе | p-n junction capacitor |
| конденсатор на обратносмещённом p-n-переходе | junction-type capacitor |
| контактная площадка со скруглёнными внутренними углами в месте перехода к проводнику | filleted pad (для снятия механических напряжений и улучшения теплоотвода) |
| коэффициент чувствительности к переходу | slope-sensitivity factor (ssn) |
| кривая фазового перехода | phase transition curve |
| кривая фазового перехода | phase equilibrium curve |
| кросс-релаксационный переход | cross-relaxation transition |
| круглый переход | circular junction |
| лазер на гомоструктурном переходе | homostructure laser |
| лазер на гомоструктурном переходе | homojunction laser |
| лазер на колебательно-вращательных переходах | vibrational-rotation laser |
| лазер на колебательно-вращательных переходах молекулы | hci vibrational-rotational laser |
| лазер на колебательных переходах | vibrational-transition laser |
| лазер на самоограниченных переходах | self-terminating laser |
| лазер на самоограниченных переходах | self-contained laser |
| лазер на электронно-колебательных переходах | electronic-vibrational transition laser |
| лазер на электронных переходах | electronic transition laser |
| лазерная генерация на самоограниченных переходах | self-terminating lasing (кв.) |
| линия фазового перехода | phase transition line |
| линия фазового перехода | phase equilibrium line |
| логическая схема на переходах Джозефсона | Josephson-junction logic circuit |
| логическая схема на переходах Джозефсона | Josephson logic circuit |
| логическая схема на приборах с переходами Джозефсона | Josephson-junction logic integrated circuit |
| логическая схема на приборах с переходами Джозефсона | Josephson logic integrated circuit |
| логические схемы на переходах Джозефсона | Josephson-junction logic |
| логические схемы на переходах Джозефсона | Josephson logic |
| логический элемент на основе p-n-перехода | p-n junction gate |
| логический элемент на переходах Джозефсона | Josephson-junction logic gate |
| логический элемент на приборах с переходами Джозефсона | Josephson-junction logic gate |
| логический элемент на приборах с переходами Джозефсона | Josephson logic gate |
| любая таблица переходов нормального режима | any normal mode flow table (ssn) |
| магнитный дипольный переход | magnetic dipole transition |
| магнитный резонансный переход | magnetic resonance transition |
| магнитный фазовый переход | magnetic phase transition |
| сверхпроводящий магнитометр на одном переходе | single-junction magnetometer |
| магнитометр на одном переходе | single-junction magnetometer |
| маломощная ТТЛ-схема с переходами Шоттки | low power Schottky transistor-transistor logic |
| маршрут перехода по гиперсвязям | clickstream |
| медленный переход | slow transition |
| межзонный электронный переход | electronic interband transition |
| межслойный переход | via hole |
| межслойный переход вне основания корпуса | fan-in via (ИС ssn) |
| метод выращивания перехода вытягиванием | grown-junction technique |
| метод изготовления ДМОП приборов с самосовмещением и изоляцией переходами | self-aligned junction isolation |
| метод исполнения программы по предположению с многократным предсказанием переходов и анализом потоков данных | dynamic execution |
| микросплавной переход | microalloyed junction |
| микросплавной переход | microalloy junction |
| модель задержки перехода | model for the transition delay (ssn) |
| мультипольный переход | multipole transition |
| набор нагрузок и переходов | set of loads and slopes (ssn) |
| наконечник перехода | jumper terminal |
| насыщение перехода | saturation of transition |
| неоднородный переход | nonuniform junction |
| непрямозонный полупроводник с непрямыми переходами | indirect-gap semiconductor |
| непрямозонный полупроводник с непрямыми переходами | indirect-band-gap semiconductor |
| непрямой переход | indirect transition |
| несимметричный переход | one-sided junction |
| несимметричный переход | nonsymmetrical junction |
| несобственный фазовый переход | improper phase transition |
| нешунтированный переход Джозефсона | unshunted Josephson junction |
| нешунтированный переход Джозефсона | hysteretic Josephson junction |
| обедненная область перехода | junction depletion zone |
| обедненная область перехода | junction depletion region |
| обеспечивать плавный переход | blend (напр. от одного цветового оттенка к другому) |
| область перехода | junction (между разнородными материалами) |
| область p-n-перехода | transistor region |
| область перехода от затухания к усилению ультразвуковых | ultrasonic crossover |
| область перехода от затухания к усилению ультразвуковых колебаний | ultrasonic crossover |
| обратносмещённый переход | reversebiased junction (ssn) |
| обратносмещённый переход | reverse biased junction (ssn) |
| обратносмещённый p-n переход | reverse-biased junction (ssn) |
| обратносмещённый p-n-переход | reverse-biased junction |
| обратносмещённый переход | reverse-biased rectifier |
| обратносмещённый p-n-переход | backward-biased p-n junction |
| ограничение, которое связывает изменения входных переменных в течение перехода с некоторым интервалом времени | restriction that input changes associated with an input transition occur within a specified interval (ssn) |
| однофазный переход | single-phase passage |
| оперативная память на магнитных туннельных переходах | MTJRAM |
| оперативная память на магнитных туннельных переходах | magnetic tunnel junction random-access memory |
| операция условного или безусловного перехода | BR |
| оптический переход | optical-frequency transition |
| осаждённый переход | deposited junction |
| основной переход | basic transition |
| переход в аморфное состояние | amorphization |
| переход в более высокое состояние | rising transition (ssn) |
| переход в сверхтекучее состояние | superfluid transition |
| переход в спектре флуоресценции | fluorescent transition |
| переход вверх | upward jump |
| переход верхнего затвора | top gate junction (полевого транзистора) |
| переход вниз | downward jump |
| переход, выращенный при изменяющейся скорости кристаллизации | rate-grown junction |
| переход Джозефсона | Josephson junction |
| переход Джозефсона без гистерезиса | shunted Josephson junction |
| переход Джозефсона с гистерезисом | unshunted Josephson junction |
| переход Джозефсона с гистерезисом | hysteretic Josephson junction |
| переход, запрещённый по спину | spin-forbidden transition |
| переход, запрещённый по чётности | parity-forbidden transition |
| переход затвор-исток | gate-to-source junction (полевого транзистора) |
| переход затвор-исток | gate-source junction (полевого транзистора) |
| переход затвор-канал | gate-to-channel junction (полевого транзистора) |
| переход затвор-канал | gate-to-channel diode (в полевом транзисторе) |
| переход затвор-канал | gate-channel junction (полевого транзистора) |
| переход затвор-сток | gate-to-drain junction (полевого транзистора) |
| переход затвор-сток | gate-drain junction (полевого транзистора) |
| переход из аморфного состояния | crystalline transition |
| переход из аморфного состояния | amorphous transition |
| переход из аморфного состояния в кристаллическое | amorphous-crystalline transition |
| переход из зоны на примесный уровень | band-to-impurity transition |
| переход из зоны проводимости в валентную зону | conduction-to-valence-band transition |
| переход из зоны проводимости на акцепторный уровень | conduction-band-to-acceptor transition |
| переход из любого входного состояния | transition from any input state (ssn) |
| переход из нормального состояния в сверхпроводящее | normal-superconducting transition |
| переход из сверхпроводящего состояния в нормальное | superconducting-normal transition |
| переход из состояния логического нуля в состояние логической единицы | going from logical 0 to logical 1 state (ssn) |
| переход из состояния логической единицы в состояние логического нуля | going from logical 1 to logical 0 state (ssn) |
| переход изолированного ЦМД в ЦМД решётки | isolated-bubble-to-bubble-lat transition |
| переход, индуцированный излучением лазера | laser-induced transition |
| переход, индуцированный фононами | phonon-stimulated transition |
| переход, индуцированный фотонами | photon-stimulated transition |
| переход, индуцированный фотонами | photon-induced transition |
| переход исток-канал | source channel junction (ssn) |
| переход "коаксиал-микрополосковая линия" | coaxial-to-microstrip transducer |
| переход между уровнями | hyperfine transition |
| переход металл-полупроводник | metal-to-semiconductor junction |
| переход металл-полупроводник | metal-semiconductor junction |
| переход на более высокий уровень | upward transition |
| переход на более высокий уровень | upward jump |
| переход на более низкий уровень | downward transition |
| переход на более низкий уровень | downward jump |
| переход на границе с подложкой | substrate junction (в ИС) |
| переход на транзисторы | transistorization (с вакуумных ламп) |
| переход накачки | pumping transition |
| переход накачки | pump transition |
| переход нижнего затвора | bottom gate junction (полевого транзистора) |
| переход нормальный металл-барьер-сверхпроводник | normal metal-barrier-superconductor junction |
| переход Оже | Auger transition |
| переход от бестоковой посылки к рабочей посылке | space-to-mark transition |
| переход от бестоковой посылки к токовой посылке | space-to-mark transition |
| переход от паузы к рабочей посылке | space-to-mark transition |
| переход от паузы к токовой посылке | space-to-mark transition |
| переход от рабочей посылки к бестоковой | mark-to-space transition |
| переход от рабочей посылки к паузе | mark-to-space transition |
| переход от токовой посылки к бестоковой | mark-to-space transition |
| переход от токовой посылки к паузе | mark-to-space transition |
| переход по знаку минус | jump on minus |
| переход по знаку плюс | jump on positive |
| переход по нечётности | jump on parity odd |
| переход по нулю | jump on zero |
| переход по отсутствию переноса | jump on no carry |
| переход по переносу | jump on carry |
| переход по чётности | jump on parity even |
| переход под воздействием ВЧ-поля | RF transition |
| переход, полученный методами выращивания и диффузии | grown-diffused junction |
| переход, полученный методом диффузии бора | boron-diffused junction |
| переход, полученный методом диффузии бора | boron junction |
| переход, полученный методом диффузии фосфора | phosphorus-diffused junction |
| переход, полученный методом диффузии фосфора | phosphorus junction |
| переход, полученный методом послесплавной диффузии | post-alloy diffused junction |
| переход, полученный методом рекристаллизации | remelt junction |
| переход, полученный методом рекристаллизации | recrystallized junction |
| переход, полученный методом сегрегации примесей | segregation junction |
| переход пользователей на новое аппаратное обеспечение | users migration |
| переход пользователей на новое программное обеспечение | users migration |
| переход порога генерации | trigger action (ssn) |
| переход потока | flux transition |
| переход, разрешённый по спину | spin-allowed transition |
| переход резиста в нерастворимое состояние | resist insolubilization |
| переход резистор-изолирующий слой | resistor-isolation junction (в ИС) |
| переход резистор-подложка | resistor-substrate junction (в ИС) |
| переход с захватом | capture transition |
| переход с захватом электрона | electron-capture transition |
| p-n-переход с защитным кольцом | PN junction guard ring (Maxim Sh) |
| p-n-переход с коммутацией электронным пучком | electron-beam switched p-n junction |
| p-n-переход с коммутацией электронным пучком | electron switched p-n junction |
| переход с переворотом двух спинов | double-spin flip transition |
| переход с переворотом нескольких спинов | multiple spin-flip transition |
| переход с переворотом спина | spin-flip transition |
| переход с поглощением | absorbing transition |
| переход с участием фононов | phonon-assisted transition |
| переход сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник | superconductor-normal metal-superconductor junction |
| переход сверхпроводник-полупроводник- сверхпроводник | semiconductor-barrier sandwich junction |
| переход сверхпроводник-полупроводник- сверхпроводник | semiconductor-barrier junction |
| переход сигнала из состояния логического нуля в состояние логической единицы | going from logical 0 to logical 1 state (ssn) |
| переход сигнала из состояния логической единицы в состояние логического нуля | going from logical 1 to logical 0 state (ssn) |
| переход сигнала ненулевой амплитуды | finite transition (ssn) |
| переход сигнала ненулевой амплитуды от минимального до максимального ослабления в динамическом диапазоне системы | finite transition from minimum to maximum attenuation on system dynamic range (ssn) |
| переход сток-канал | drain-channel junction |
| переход сток-подложка | drain-substrate junction |
| переход "эмиттер-база" | emitter-base junction |
| переходы ВВ кабелей | HV cables interface drawing (Komron) |
| переходы, которые могут происходить в любом направлении | transitions that may occur in either direction (ssn) |
| переходы переменных состояния | state variable transitions (ssn) |
| переходы переменных состояния для счётчика с четырьмя состояниями | state variable transitions in 4-state counter (ssn) |
| переходы с кратными частотами | harmonically coupled transitions |
| планарный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | planar-junction field-effect transistor |
| плечо термоэлемента с плавным переходом | graded thermoelectric arm |
| плоскопараллельный переход | plane parallel junction |
| побочные переходы | branching |
| побочный переход | branching transition |
| поверхность раздела областей p-n перехода | junction interface |
| поверхность фазового перехода | phase transition surface |
| поверхность фазового перехода | phase equilibrium surface |
| подложка с изоляцией p-n-переходом | p-n junction isolated substrate |
| поле p-n-перехода | junction field |
| поле перехода | transition field |
| поле фазового перехода | transition field |
| поле p-n-перехода | built-in field |
| поле рассеяния p-n-перехода | fringing field of junction |
| поле фазового перехода | transition field |
| полевой транзистор с p-n переходом | junction gate FET |
| полевой транзистор с p-n переходом, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode junction fet |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction unipolar transistor |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | p-n-junction FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction-gate FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n переходом | junction-gate fet |
| полиморфный переход | polymorphic transition |
| полиморфный фазовый переход | polymorphic transition |
| полная проводимость перехода | admittance of junction |
| полное сопротивление перехода затвор-исток | gate-to-source impedance |
| полное сопротивление перехода затвор-сток | gate-to-drain impedance |
| полноэкранное устранение резких переходов | full-screen antialiasing (в компьютерной графике) |
| полноэкранное устранение ступенек при отображении резких переходов | full-screen antialiasing (в компьютерной графике) |
| полупроводник с непрямыми переходами | undirect-gap semiconductor |
| полупроводник с непрямыми переходами | undirect-band-gap semiconductor |
| полупроводник с прямыми переходами | direct-band-gap semiconductor |
| полупроводниковая пластина с выращенными переходами | grown-junction wafer |
| последовательный переход из одной позиции в другую | circulation |
| потенциал поля p-n-перехода | built-in voltage |
| потеря перехода | transition losses |
| правила отбора при оптических переходах | optical-transition selection rules |
| при переходе с 1 в 0 | 1-to-0 (ssn) |
| прибор, представляющий собой комбинацию стандартного n-p-n транзистора и полевого транзистора с р-n переходом | gate underlaid transistor |
| прибор с вертикальным p-n-переходом | vertical junction device |
| прибор с одним переходом | single-junction device |
| прибор с p-n-переходом | all-junction device |
| прибор с p-n-переходом | junction device |
| прибор с p-n-переходом | p-n junction device |
| прибор с p-n-переходом большой площади | large area p-n junction device |
| прибор с p-n-переходом большой площади | large-area p-n junction device |
| прибор с p-n-р-переходом | p-n-p device |
| прибор с n-р-n-переходом | n-p-n device |
| прибор с p-n-р-n-переходом | p-n-p-n device |
| примесь, имплантируемая для формирования p-n-перехода | barrier implant |
| пространственные колебания времени прибытия перехода тактового сигнала в интегральную схему | spatial variation in arrival time of a clock transition on an integrated circuit (ssn) |
| Пространственные колебания времени прибытия перехода тактового сигнала в интегральную схему принято называть расфазировкой тактовых импульсов | the spatial variation in arrival time of a clock transition on an integrated circuit is commonly referred to as clock skew (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003) |
| процедура сокращения таблицы переходов | procedure to reduce a flow table (ssn) |
| процесс изготовления перехода методом выращивания | grown-junction process |
| процесс изготовления перехода методом диффузии | diffused-junction process |
| процесс изготовления перехода методом сплавления | alloy-junction process |
| процесс перехода | conversion process |
| прямой переход | forward transfer |
| прямой переход | direct transition |
| прямосмещённый p-n-переход | forward-biased p-n junction |
| разрешённый переход | nonforbidden transition |
| разрешённый переход | allowed transition |
| распределённый туннельный переход | distributed tunnel junction |
| рассеиваемая мощность диода при обратном напряжении на переходе | reverse power loss |
| рассеиваемая мощность диода при прямом напряжении на переходе | forward power loss |
| расчётная температура фазового перехода | design transition temperature |
| реализация плавного перехода | blending (напр. от одного цветового оттенка к другому) |
| режим представления изображения с переходами от светлого к тёмному | half-tone mode |
| рекомбинационный переход | recombination transition |
| с резкими переходами | hueless |
| сварной переход | weld-ed junction |
| сварной переход | weld junction |
| сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик с двумя переходами Джозефсона | two-junction Josephson interferometer |
| сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик с одним переходом Джозефсона | one-junction Josephson interferometer |
| сверхпроводящий магнитометр на одном переходе | single-junction magnetometer |
| сверхпроводящий переход | superconducting transition |
| сверхпроводящий переход со слабой связью | superconducting weak-link junction |
| сверхпроводящий фазовый переход | superconducting transition |
| сверхрезкий переход | hyperabrupt junction |
| световой сигнал перехода | pedestrian crossing light |
| светоизлучающий p-n-переход | light-emitting p-n junction |
| светоизлучающий p-n-переход | emitting p-n junction |
| светоизлучающий p-n-переход | laser p-n junction |
| светоизлучающий транзистор с переходом металл – диэлектрик – полупроводник – органический слой | MIS-OLET (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы ВВладимир) |
| светоизлучающий транзистор с переходом металл диэлектрик полупроводник органический слой | MIS-OLET (активно-матричная электролюминесцентная панель /EL-панель/ с использованием органической TFT-матрицы ВВладимир) |
| секция перехода | transition section |
| символ "переход на верхний регистр" | SO |
| символ "переход на верхний регистр" | shift-out |
| символ "переход на нижний регистр" | SI |
| символ "переход на нижний регистр" | shift-in |
| управляющий символ перехода на следующую страницу | page skip |
| симметричный переход | two-sided junction |
| симметричный переход | symmetrical junction |
| скорость перехода | conversion rate |
| слабозапрещённый переход | weakly forbidden transition |
| слабый переход | weak transition |
| собственный фазовый переход | proper phase transition |
| соглашение о передаче исходной программы разработчиком на хранение третьему лицу и переходе права на собственность к покупателю в случае прекращения разработчиком поддержки данного программного продукта | source code escrow |
| спиновая температура перехода | spin temperature of transition |
| спиновый переход | spin transition |
| спонтанные ядерные переходы | spontaneous nuclear transition |
| стоковый переход | drain diode (в полевом транзисторе) |
| сходящийся переход | converging transition |
| температура вязко-хрупкого перехода | ductile-brittle transition temperature |
| температура магнитного перехода | magnetic-transition temperature |
| температура магнитного фазового перехода | magnetic transition point |
| температура магнитного фазового перехода | magnetic-transition temperature |
| температура перехода в изотропное состояние | isotropic transition point (для жидкого кристалла) |
| температура перехода в изотропное состояние | isotropic transition temperature |
| температура перехода к нулевой пластичности | nil ductility transition temperature |
| температура перехода к хрупкому состоянию | brittle transition temperature |
| температура перехода от вязкости к хрупкости | ductile-brittle transition temperature |
| температура ударного перехода | impact transition temperature |
| температура фазового перехода | phase-transition temperature |
| температура фазового перехода | phase-transition point |
| теплота фазового перехода | heat of phase change (превращения) |
| трансформация таблицы переходов | flow table transformation (ssn) |
| магнитный туннельный переход, зависящий от спина | spin-dependent tunnel junction |
| туннельный переход сверхпроводник-оксид-сверхпроводник | superconductor-oxide-supercon tunnel junction |
| туннельный переход со слоем оксида | oxide-barrier tunnel junction |
| туннельный пробой p-n-перехода | zener breakdown |
| узкий переход | thin junction |
| умножающий переход | multiplying junction |
| уровни с разрешённым по импульсу переходом | matched momentum states |
| усилитель на джозефсоновском переходе | Josephson-junction amplifier |
| условный переход на следующую страницу | conditional paging (при печати) |
| фазовый переход в твёрдой фазе | solid-solid phase transformation |
| фазовый переход второго рода | second-order phase change |
| фазовый переход второго рода | second-order phase transition |
| фазовый переход из ферромагнитного состояния в состояние | ferromagnetic-spiral phase transition |
| фазовый переход первого рода | first-order phase change |
| фазовый переход первого рода | first-order phase transition |
| фазовый переход типа порядок – беспорядок | order-disorder phase change |
| фазовый переход типа порядок – порядок | order-order phase change |
| фазовый переход типа "порядок-беспорядок" | order-disorder phase change |
| фазовый переход типа "порядок-порядок" | order-order phase change |
| фазовый переход типа ферримагнетик-парамагнетик | ferrimagnetic-paramagnetic phase transition |
| фазовый переход типа ферромагнетик-антиферромагнет ик | ferromagnetic-antiferromagnet phase transition |
| фазовый переход типа ферромагнетик-парамагнетик | ferromagnetic-paramagnetic phase transition |
| фазовый переход типа ферромагнетик-ферримагнетик | ferromagnetic-ferrimagnetic phase transition |
| фазовый переход типа холестерик – нематик | cholestric-nematic phase change |
| фазовый переход типа "холестерик-нематик" | cholesteric-nematic phase change (в жидком кристалле) |
| ферродисторсионный фазовый переход | ferrodistortive phase transition |
| формула Эйнштейна для частоты квантового перехода | Einstein frequency condition |
| фотоассоциативный переход | photoassociative transition |
| фотодиссоциативный переход | photodissociative transition |
| холостой переход | idle transition |
| частота перехода | transition frequency (в грамзаписи) |
| частота перехода | crossover frequency (в грамзаписи) |
| частота перехода, обусловленная сверхтонким расщеплением | hyperfine transition frequency |
| частота перехода, обусловленная сверхтонким расщеплением | hyperfine frequency |
| частота перехода, обусловленного сверхтонким расщеплением | hyperfine transition frequency |
| частота перехода, обусловленного сверхтонким расщеплением | hyperfine frequency |
| часть перехода | transition section |
| чувствительность к переходу | slope sensitivity (ssn) |
| шум p-n-перехода | junction noise |
| шунтированный переход | shunted junction |
| шунтированный переход Джозефсона | shunted Josephson junction |
| шунтированный переход Джозефсона | nonhysteretic Josephson junction |
| экситон-магнонный переход | exciton-magnon transition |
| экспоненциальный переход | exponentially graded junction |
| экспоненциальный переход | exponential junction |
| электронно-дырочный переход | p-n junction (of a semiconductor; см. статью p–n junction в Википедии) |
| электронно-колебательный переход | electronic-vibrational transition |
| электронный переход | electronic transition |
| элемент матрицы вероятностей перехода | transition probability matrix element |
| элемент с вертикально расположенным переходом | vertical junction cell |
| эллипс вероятности перехода | transition probability ellipse |
| эмиттерный переход | emitter diode |
| эмиттерный переход | base-emitter diode |
| эталонная температура перехода | reference transition temperature |
| эффект, обусловленный переходом сигнала ненулевой амплитуды от минимального до максимального ослабления в динамическом диапазоне системы | effect of the finite transition from minimum to maximum attenuation on system dynamic range (ssn) |
| ядерная батарея с p-n-переходом | p-n-junction battery |
| ядерная батарея с p-n-переходом | junction battery |
| ячейка ЗУ на магнитном туннельном переходе | magnetic tunnel junction memory cell |
| ячейка памяти на магнитном туннельном переходе | magnetic tunnel junction memory cell |
