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Adresse 0 als eigene erkennen | recognize address 0 as one of its own |
Anordnung mit einem Rastermaß von 0,1 mm | array having 0.1 mm pitch between diameters |
Anordnung mit 128 Fotodioden im Rastermaß von 0,1 mm | array with 128 photodiodes on 0.1 mm pitch |
auf 0 schalten | step to zero |
Bereich unter 0,1 μm | sub-tenth micron range |
Bitposition 0 des Datenbusses | bit position 0 of the data bus |
Bondzeit von 0,3 s | thermode dwell time of 0.3 s |
den Elektronenstrahl schrittweise um 0,5 μm in x-Richtung führen | step the electron beam by 0.5 μm in the x-direction |
den Koordinatentisch mit einer Genauigkeit von 0,01 μm positionieren | position the X-Y stage with an accuracy of 0.01 μm (einstellen) |
den rechteckigen Querschnitt <#0> zwischen 0,1 und 12 μm Kantenlänge variieren | vary the rectangular cross section between 0.1 and 12 μm on a side |
den unabgelenkten Strahl bis auf 0,3 mm genau positionieren | keep the beam within 0.3 mm of its undeflected position |
die Chipverlustleistung von 0,5 W nur um 3 % erhöhen | increase the chip's 0.5 W power dissipation by only 3 % |
die Strukturen bis zu einer Genauigkeit von etwa 0,2 Mikrometer positionieren | place geometries to an accuracy in the order of 0.2 micrometres |
Drainstrom bei 0 Volt Gatespannung | zero-access gate voltage drain current |
eine 1 in Bitposition 0 des Datenbusses ausgeben | output a 1 in bit position 0 of the data bus |
eine 0 und eine 1 speichern | store a zero and a one |
Einhaltung der Elementbreite bis auf ± 0,1 μm | feature contral to ± 0.1 μm |
Elektronenstrahl mit 0,5 μm Durchmesser | half-micrometre-diameter electron beam |
erreichbare Linienbreiten auf 0,5 μm reduzieren | advance attainable line widths to 0.5 micron |
Gehäusestandard für Bauelemente mit 0,05-Zoll-Anschlußraster | package standard for device with 0.05-in. centres |
Gitterkonstante unter 0,1 μm | sub-0.1 μm periodicity |
im Temperaturbereich von 0 bis 50 °C arbeiten | operate over the temperature range from 0 to 50 °C |
Justiergenauigkeit von 0,1 μm | tenth-micron alignment precision |
kleinste Strukturen von 0,5 μm schreiben | define minimum geometries of 0.5 μm (mit Elektronenstrahl) |
logischer Zustand 0 | logic 0 state |
μm mikrolithografische Versetzungen in Inkrementen von 0,1 μm | microlithographic displacements in increments of 0.1 |
μm Strukturbreiten in einem großen Variationsbereich von 1,5 μm bis 3,0 μm | features ranging from as small as 1.5 μm to as large as 3.0 |
mit einer Geschwindigkeit von 0,1 μm in jedem Bildfeld justieren | align to 0.1μm at each exposure field |
Registerbereich 0 | register bank 0 |
Schaltkreis mit 0,5-μm-Strukturbreiten | half-micron circuit |
Schaltkreiselement von 0,2 μm Breite | circuit line of 0.2 μm width |
Schichten von 0,5 μm Dicke aufschleudern | spin films of 0.5 μm thickness |
Schwellenspannungsverschiebung von weniger als 0,1 V | threshold shift of less than 0.1 V |
Source-Strom einer Gatespannung von 0 Volt | zero-access gate voltage source current |
Struktur mit Elementgrößen bis zu 0,5 Mikrometer | pattern with feature sizes to 0.5 micron |
Strukturen im Bereich von 0,5 bis 1 μm | geometry in the 0.5-to-1 μm range |
Strukturen mit Elementbreiten bis zu 0,2 μm scharf abbilden | define patterns with geometries as small as 0.2 micrometre |
Strukturen von 1,0 μm oder mehr erfordern | require geometries of 1.0 μm or greater |
um einen Faktor von 0,8 skalieren | scale by a factor of 0.8 |
Unsicherheit von höchstens 0,05 μm | uncertainty of no more than 0.05 μm |
Vektorgröße kleiner als 0,1 μm | vector magnitude less than 0.1 micron |
Verschiebung von 0 bis 15 Stellen nach links | left shift of from 0 to 15 places |
von 0 auf 1 springen | step to one (umschalten) |
Überdeckung von Strukturen verschiedener Masken auf einem Substrat mit einer Genauigkeit von 0,1 μm | superposition on a substrate of patterns from several masks to a precision of 0.1 μm |
Überdeckungstoleranz von 0,1 μm zwischen den Ebenen | level to-level registration tolerance of 0.1 μm |