| Russian | German |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
| групповая технология изготовления ИС | kollektive IS-Fertigung |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Wannen-Technologie |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Well-CMOS-Prozess |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Wannen-CMOS-Technologie |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| комбинированная технология ИС на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Mischtechnik |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| МОП-технология с двойной диффузией | MOS-Technologie mit Doppeldiffusion |
| МОП-технология с двойной диффузией | D/MOS-Technologie |
| одноуровневая технология ИС на поликристаллическом кремнии | Einebenen-Polysiliziumtechnik |
| планарно-эпитаксиальная технология с применением двойной диффузии | Epitaxie-Doppeldiffusionstechnik |
| технология автоматизирования проектирования и управления производством | CAD/CAM-Technologie (с помощью ЭВМ) |
| технология аналоговых СБИС | Analog-VLSI-Technik |
| технология изготовления арсенид-галлиевых мезатранзисторов | GaAs-Mesatechnik |
| технология биполярных БИС | Bipolargroßintegration |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | BEST |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных ИС | Bipolartechnik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | selbstjustierte Basis-Emitter-Technik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Self-aligned Technology |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Selfaligned Technology |
| технология биполярных приборов на эффекте расширения базы | POB-Technik |
| технология изготовления биполярных приборов с горизонтальной структурой с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskenlateraltechnik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskentechnik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | TRIM-Prozess |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | TRIMASK-Technik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskenprozess |
| технология биполярных транзисторов с диффузионной базой | DB-Technik |
| технология БИС | Hochintegrationstechnologie |
| технология БИС | LSI-Technik |
| технология БИС | LSI-Technologie |
| технология БИС | Großintegrationstechnik |
| технология БИС на одной полупроводниковой пластине | Full-Slice-Technik |
| технология БИС на основе библиотечных элементов | Zellentechnologie (и/или ячеек) |
| технология БИС на основе БМК | Universalschaltkreistechnik |
| технология БИС на основе БМК | Master-Slice-Technik |
| технология быстродействующих Би-КМОП ИС | Hi-BiCMOS-Technik |
| технология быстродействующих Би-КМОП ИС | High-Speed Bipolar CMOS |
| технология быстродействующих Би-КМОП ИС | HI-BICMOS |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Technik |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | High-Speed Bipolar CMOS |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | HCMOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | Hochgeschwindigkeits-CMOS |
| технология быстродействующих КМОП ИС | Quick MOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | High-Speed Complementary MOS |
| технология быстродействующих КМОП ИС | QMOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | HS-CMOS |
| технология изготовления быстродействующих КМОП ИС | HC |
| технология получения вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS |
| технология получения вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS-Technik |
| технология получения вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS-Technologie |
| технология изготовления вертикальных МОП-транзисторов | Vertikal-MOS-Technologie |
| технология изготовления вертикальных МОП-транзисторов | Vertikal-MOS-Technik |
| технология ВИС на одной полупроводниковой пластине | full-slice-Technik Full-Slice-Technik |
| технология высоковольтных МОП-транзисторов | Hochvolt-MOS-Technik |
| технология высоковольтных р-канальных МОП-транзисторов | PMOS-Hochvolttechnik |
| технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS-Technik |
| технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technik |
| технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technologie |
| технология высококачественных МОП ИС | High-Performance MOS |
| технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS |
| технология высококачественных МОП ИС | HMOS |
| технология высокопроизводительных КМОП ИС | High-Performance CMOS |
| технология высокопроизводительных КМОП ИС | CHMOS |
| технология ГИС | Hybridmikroschaltungstechnik |
| технология ГИС | Hybrid Integrated Circuit technology |
| технология ГИС | Hybridtechnik |
| технология ГИС | HIC |
| технология ГИС СВЧ | MIC-Technik |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | Double-diffused Metal-Isolator-Semiconductor |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | DMIS-Verfahren |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | DMIS-Technik |
| технология двухдиффузионных МДП-структур | DMIS |
| технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | DMOS-Verfahren |
| технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | DMOS-Technik |
| технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | D-MOS |
| технология динамических КМДП ИС | DYCMIS |
| технология динамических КМОП ИС | Dynamic Complementary MIS |
| технология динамических КМОП ИС | DYCMOS |
| технология динамических КМОПИС | Dynamic Complementary MOS |
| технология ДТЛ ИС | DTL-Technik |
| технология избирательного оксидирования | Selective Oxidation Process |
| технология изготовления ГИС, состоящих из нескольких смонтированных в одном корпусе кристаллов | Multichiphybridtechnologie |
| технология изготовления ГИС, состоящих из нескольких смонтированных в одном корпусе кристаллов | Multichiptechnik |
| технология изготовления ГИС, состоящих из нескольких смонтированных в одном корпусе кристаллов | Multichiphybridtechnik |
| технология изготовления диодов | Diodentechnik |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Flotox |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Floating-Gate Tunnel Oxide |
| технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | Ion-Implanted MOS |
| технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | IIMOS |
| технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| технология изготовления поверхностно-управляемых биполярных транзисторов | SCT-Technik |
| технология изготовления ППЗУ с плавкими перемычками | fuse-Technologie |
| технология изготовления приборов с использованием одного фотошаблона | Einmaskentechnik |
| технология изготовления СБИС методом микролитографии | VLSI-Mikrolithografietechnik |
| технология изготовления эпитаксиальных меза-транзисторов | Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология изготовления эпитаксиальных мезатранзисторов | Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология изготовления эпитаксиальных мезатранзисторов с каналом n-типа | n-Kanal-Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология И2Л-схем | PL-Technologie |
| технология И2Л-схем | PL-Technik |
| технология инжекционных логических схем с перехватом тока | CHIL-Technik |
| технология ионного напыления тонких плёнок | Sputtertechnik |
| технология ионного распыления | Sputtertechnik |
| технология ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | EPIC-Prozess |
| технология ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | Enhanced Performance Implanted CMOS |
| технология ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | EPIC-CMOS-Prozess |
| технология ионно-плазменного нанесения тонких плёнок | Sputtertechnik |
| технология ИС | Integrationstechnologie |
| технология ИС | IC-Technologie |
| технология ИС | IC-Technik |
| технология ИС | SK-Technologie |
| технология ИС | Hybridintegration |
| технология ИС типа "кремний в диэлектрике" на КВД-структуре | SII-Technik |
| технология ИС малой степени интеграции | Kleinintegrationstechnik |
| комбинированная технология ИС на биполярных | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Technik |
| комбинированная технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bi-CMOS-Technologie |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-Technik |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | SIGBIP |
| комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | Silicon Gate MOS Bipolar Technology |
| технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Technik |
| технология ИС на диодно-транзисторных логических схемах со стабилитронами | DTZL-Technik |
| технология ИС на ДТЛ | DTL-Technik |
| технология ИС на КВД-структуре | SII-Technik |
| технология ИС на КНД-структуре | SOI-Technik |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором | SIMOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным | Stacked-gate Injection MOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором | SIMOS |
| технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| технология ИС на насыщающихся биполярных транзисторах | Übersteuerungstechnik |
| технология ИС на однотипных МДП-транзисторах | Einkanaltechnik (с каналом или n-типа, или р-типа) |
| технология ИС на переключателях тока | Stromschalttechnik |
| технология ИС на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL-Technik |
| технология ИС на РТЛ | RTL-Technik |
| технология ИС на структуре типа КНД-структуре | SOI-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | SOS-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | Silizium-auf-Saphir-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | Silizium-auf-Saphir-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа КНС-структуре | SOS-Technik |
| технология ИС на структуре типа "кремний в диэлектрике" | SII-Technik |
| технология ИС на структуре типа "кремний на диэлектрике" | SOI-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | SOS-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | Silizium-auf-Saphir-Technologie |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | Silizium-auf-Saphir-Technik |
| технология изготовления ИС на структуре типа "кремний на сапфире" | SOS-Technik |
| технология ИС на основе ТЛНС | DCTL-Technik |
| технология ИС на ТТЛ | T2L-Technik |
| технология ИС на ТТЛ | TTL-Technik |
| технология ИС на ЭЭСЛ | E2CL-Technik |
| технология ИС с балочными выводами | Stegbefestigungstechnik |
| технология ИС с балочными выводами | beam-lead-Verfahren |
| технология ИС с балочными выводами | beam-lead-Technik |
| технология ИС с балочными выводами | Beam-lead-Technologie |
| технология ИС с высокой степенью интеграции | Hochintegrationstechnologie |
| технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами | Zweiebenen-Polysilizium-technik |
| технология ИС с многоуровневой структурой | Mehrebenenintegration |
| технология МОП ИС с одним поликремниевым слоем | Einschichtpolysiliziumtechnik (затвора) |
| технология ИС с распределённым затвором | Continuous-Gate-Technologie |
| технология ИС с самосовмещёнными силицидными базовыми контактами | Self-aligned silicide base Contact Technology |
| технология ИС с супервысокой степенью интеграции | Mega-Chip-Technologie (1 4 млн элементов на кристалл) |
| технология ИС со структурой типа "кремний на диэлектрике" | ESFI-Technik |
| технология ИС со структурой типа "кремний на диэлектрике" | ESFI |
| технология изготовления ИС со структурой типа "кремний на термопласте на диэлектрике" | SDI-Technik |
| технология изготовления ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silizium-Saphir-Technik |
| технология ИС ЭСЛ | ECL-Technologie |
| технология ИС ЭСЛ | ECL-Technik |
| технология p-канальных МОП ИС | PMOS-Technik |
| технология p-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik |
| технология n-канальных МОП ИС | n-MOS-Technik |
| технология n-канальных МОП ИС | NMOS-Technik |
| технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silicongate-Technologie |
| технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie |
| технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Si-Gate-Technik |
| технология n-канальных МОПИС | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| технология p-канальных МОП-приборов | p-Kanal-Technologie |
| технология n-канальных МОП-приборов | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| технология n-канальных МОП-приборов | n-Kanal-MOS-Technologie |
| технология n-канальных МОП-приборов | n-Kanal-MOS-Technik |
| технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Silicongate-Technologie |
| технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Si-Gate-Technik |
| технология n-канальных МОП-транзисторов | n-Kanal-MOS-Technologie |
| технология p-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-Technologie |
| технология n-канальных МОП-транзисторов | n-Kanal-MOS-Technik |
| технология n-канальных приборов | n-Kanal-Technik |
| технология получения КВС-структур | SIS-Technik |
| технология КМДП-транзисторных ИС | CMIS-Technik |
| технология КМДП-транзисторных ИС | Komplementartechnik |
| технология КМДП-транзисторных ИС | CMIS |
| технология КМОП БИС на КНС-структуре | CMOS-auf-Saphir-Technik |
| технология КМОП БИС на КНС-структуре | CMOS-SOS |
| технология КМОП БИС на сапфировой подложке | CMOS-auf-Saphir-Technik |
| технология КМОП ИС на полупроводниковой подложке | CMOS-Bulk-Technologie |
| технология КМОП ИС с высокой плотностью упаковки | High-Density CMOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Doppelwannentechnologie |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-CMOS-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами p-типа | p-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами n-типа | n-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами n-типа | n-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами p-типа | p-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами n-типа | n-Wannen-CMOS-Technologie |
| технология КМОП ИС с оксидной изоляцией | Local Oxydation CMOS |
| технология КМОП ИС с оксидной изоляцией | LOCMOS |
| технология КМОП ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumgate-CMOS-Technologie |
| технология изготовления КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | CMOS-Siliziumgate-Technik |
| технология изготовления КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | CMOS-Siliziumgate-Technologie |
| технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворами | SACMOS-Verfahren |
| технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворами | SAC~MOS-Verfahren |
| технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS |
| технология КМОП-транзисторных ИС | Komplementartechnik |
| технология КМОП-транзисторов с двумя уровнями поликристаллического кремния | PPCMOS |
| технология КМОП-транзисторов с двумя уровнями поликристаллического кремния | P2CMOS |
| технология КНС ИС с локальным оксидированием кремния на сапфире | LOSOS-Technik |
| технология КНС ИС с локальным оксидированием кремния на сапфире | LOSOS |
| технология кремниевых затворов | Silizium-Gate-Technologie |
| технология кремниевых МОП-транзисторов | Silizium-MOS Technik |
| технология кремниевых планарных приборов | Siliziumplanartechnologie |
| технология кремниевых планарных приборов | Siliziumplanartechnik |
| технология кремниевых пленарных приборов | Siliziumplanartechnologie |
| технология кремниевых пленарных приборов | Siliziumplanartechnik |
| технология изготовления кремниевых полупроводниковых приборов | Siliziumtechnologie |
| технология изготовления кремниевых полупроводниковых приборов | Siliziumtechnik |
| технология лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами | Stacked-Gate Avalanche Injection MOS |
| технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами | SAMOS |
| комбинированная технология линейных ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Linear Compatible CMOS |
| технология линейных совмещённых КМОП ИС | LC2MOS |
| технология линейных совмещённых КМОП ИС | Linear Compatible CMOS |
| технология линейных совмещённых КМОП ИС | LC2-MOS-Prozess |
| технология линейных совмещённых КМОП ИС | LC-CMOS |
| технология матричных БИС | Gate-Array-Technologie |
| технология матричных БИС | Gate-Array-Technik |
| технология матричных БИС на основе базовых матричных ТТЛ-кристаллов с диодами Шоттки | Schottky Gell Array Technology |
| технология матричных БИС на основе базовых матричных ТТЛ-кристаллов с диодами Шоттки | SCAT-Technik |
| технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки | PLANOX-Verfahren |
| технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки | PLANOX-Maskentechnologie |
| технология МДП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-groove MIS |
| технология МДП ИС с V-образными изолирующими канавками | Vertical MIS |
| технология МДП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMIS |
| технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии | DMIS-Verfahren |
| технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии | DMIS-Technik |
| технология изготовления МДП-транзисторных или биполярных ИС с V-образными изолирующими канавками | VATE-Technik |
| технология изготовления МДП-транзисторных или биполярных ИС с V-образными изолирующими канавками | V-ATE-Verfahren |
| технология МДП-транзисторных ИС с металлическим затвором | Metalltortechnik |
| технология МДП-транзисторных ИС с металлическим затвором | Metall-Tor-Technologie |
| технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | R/MIS-Verfahren |
| технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | RMIS-Verfahren |
| технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | RMIS-Technik |
| технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | RMIS-Verfahren |
| технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | R/MIS-Verfahren |
| технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | RMIS-Technik |
| технология изготовления микрополосковых устройств | Mikrostriptechnik |
| технология 1-мкм ионно-имплантированных КМОП ИС с улучшенными характеристиками | 1-μm-EPIC-CMOS-Prozess |
| технология 1-мкм ИС | 1-μm-Technologie |
| технология изготовления МНОП ИС с самосовмещёнными затворами | SAMNOS |
| технология изготовления МНОП ИС с самосовмещёнными затворами | SAMNOS-Technik |
| технология МНОП-структур с толстым слоем нитрида кремния | Metal-Thick Nitride Semiconductor |
| технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией | Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source process |
| технология МОП БИС с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-LSI-Technik |
| технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | Dual Injection Floating Gate MOS |
| технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | DIFMOS |
| технология МОП ИС | Bipolar-enhanced MOS |
| технология МОП ИС | BeMOS |
| технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS |
| технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS-Technik |
| технология МОП ИС с молибденовыми затворами | Molybdäntortechnik |
| технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворами | Molybdan-Gate-SAG |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | E/D-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technik |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-groove MOS |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | Vertical MOS |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technologie |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMIS-Technik |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS |
| технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-Graben-MOS-Technologie |
| технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затвором | Single-Poly-Si-Gate-Technik |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Si-Gate-Technik |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Silicon-Gate-Technik |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumgatetechnologie |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Silicon Gate Technology |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT-MOS |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Verfahren |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Technik |
| технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | D-MOS |
| технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем | SATO-Technik |
| технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | Poly-Si-Gate-SAG |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | Local Oxydation of Silicon |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS-Verfahren |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS |
| технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | High-performance Double-density MOS |
| технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | HDMOS |
| технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS-Technik |
| технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS-Technik |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | Buried Oxide MOS |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
| технология МОП ИС, усиленных биполярными элементами | Bipolar-enhanced MOS |
| технология изготовления МОП СБИС | MOS-VLSI-Technik |
| технология МОП-структур с кремниевым затвором | Silicon Gate Oxide Semiconductor |
| технология МОП-структур с кремниевым затвором | SGOS |
| технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами | SRG-Technik |
| технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами | Self-Aligned Gate MOS |
| технология получения МОП-структур с самосовмещёнными затворами | SAMOS |
| технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами | SAGMOS |
| технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором | Metalltortechnik |
| технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором | Metall-Tor-Technologie |
| технология МОП-транзисторных ИС с плавающим затвором | Floating-Gate-Technik |
| технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nSGT |
| технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nMOS-Silizumgate-Technik |
| технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nMOS-Siliziumgate-Technik nSGT |
| технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-SG-MOS |
| технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nMOS-SGT |
| технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-Siliziumgate-Technik pSGT |
| технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnik |
| технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-SG-MOS |
| технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnologie |
| технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | NMOS-Siliziumgate-Technik |
| технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-SGT |
| технология изготовления МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами | selbstjustierendes Verfahren |
| технология МОП-транзисторов с | selbstjustierende Siliziumtortechnik |
| технология изготовления МОП-транзисторов с коротким каналом | Kurzkanaltechnik |
| технология изготовления МОП-транзисторов с металлическим затвором | Metall-Gate-Technik |
| технология изготовления МОП-транзисторов с металлическим затвором | MGT |
| технология МОП-транзисторов с плавающим затвором | Floating-Gate-Technik |
| технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами | Siliumtortechnologie |
| технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnologie |
| технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnik |
| технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | selbstjustierende Siliziumtortechnik |
| технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | selbstjustierende Siliziumtor |
| технология изготовления МОП-транзисторов с укороченным каналом | Kurzkanaltechnik |
| технология мощных МОП ИС фирмы "Сименс" | SIPMOS |
| технология изготовления однокристальных БИС | Einchiptechnik |
| технология однокристальных ИС | Monochiptechnik |
| технология печатных плат с особо высокой плотностью соединений | Feinstleitertechnik |
| технология плазменного травления | Plasmaätzverfahren |
| технология плазменного травления | Plasmaätztechnik |
| технология плёночных ГИС | Schichthybridtechnik |
| технология поверхностного монтажа | Surface Mounting Technology |
| технология поверхностного монтажа | Aufsetztechnologie |
| технология поверхностного монтажа | Oberflächenmontagetechnik |
| технология поверхностного монтажа | SMD-Technologie |
| технология поверхностного монтажа | Surface-Mount-Technologie |
| технология поверхностного монтажа | Surface-Mount-Technik |
| технология поверхностного монтажа | SMD-Technik |
| технология поверхностного монтажа | Aufsetztechnik |
| технология поверхностного монтажа на поверхность | Aufsetztechnologie |
| технология поверхностного монтажа на поверхность | Aufsetztechnik |
| технология полевых транзисторов | Unipolartechnologie |
| технология полевых транзисторов | Unipolartechnik |
| технология изготовления полевых транзисторов с затвором Шоттки | MESFET-Technik |
| технология полосковых ИС | Streifenleitungstechnik |
| технология полосковых устройств | Streifenleitungstechnik |
| технология полупроводниковых ИС | monolithische Technik |
| технология полупроводниковых ИС | monolithische Technologie |
| технология изготовления полупроводниковых ИС | Festkörperschaltkreis-technik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС | Monolithtechnik |
| технология полупроводниковых ИС | Halbleiterblocktechnik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС | Festkörperschaltkreistechnik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС с изолирующим оксидным слоем | OXIM-Technik |
| технология изготовления полупроводниковых ИС с оксидной изоляцией | OXIM-Technik |
| технология изготовления полупроводниковых логических ИС с высокой плотностью упаковки | SLD-Technik |
| технология полупроводниковых приборов с барьером Шоттки | Schottky-Barrieren-Technik |
| технология получения КМДП-структур | CMIS |
| технология получения КМДП-структур | CMIS-Technik |
| технология получения КМОП-структур с самосовмещёнными затворами | SACMOS-Verfahren |
| технология получения КМОП-структур с самосовмещёнными затворами | SAC~MOS-Verfahren |
| технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с плавающим затвором | FAMOS-Technik |
| технология получения МАОП-структур | MAOS-Technik |
| технология получения МДМ-структур | MIM-Technik |
| технология получения МНОП-структур | MNOS-Technik |
| технология получения МНОП-структур с самосовмещёнными затворами | Self-Aligned Gate MNOS |
| технология получения МНП-структур | MNS-Technik |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии | Double-Diffused MOS |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | Diffusion Self-Aligned MOS |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA-MOS-Technik |
| технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA MOS |
| технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | Diffusion Self-Aligned MOS |
| технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | DSA-MOS-Technik |
| технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | DSA MOS |
| технология получения МОП-структур с диффундированной платиной | Platinum-Diffused MOS |
| технология получения МОП-структур с диффундированной платиной | platindiffundierte MOS-Struktur |
| технология получения МОП-структур с диффундированной платиной | PLATMOS |
| технология получения МОП-структур с плавающим затвором | MOS-Floating-Gate-Technik |
| технология получения МОП-структур с четырёхкратным самосовмещением | Quadrupled Self-Aligned MOS |
| технология получения МОП-структур с четырёхкратным самосовмещением | QSAMOS |
| технология получения однослойных поликремниевых структур | SLP |
| технология получения однослойных поликремниевых структур | Single Layer Polysilicon |
| технология получения поверхностных интегральных элементов | oberflächenintegrierte Technik |
| технология получения структур типа "кремний на диэлектрике кремний на аморфной подложке" | SOI-SOAS-Technologie |
| технология получения структур типа "кремний на диэлектрике-кремний на аморфной подложке" | SOI-SOAS-Technologie |
| технология получения фоторезистов | Resisttechnik |
| технология помехоустойчивых логических ИС с низким быстродействием | LSL-Technik |
| технология приборов на МПЛ длиной l/4 | l/4-Stripline-Technik |
| технология приборов на МПЛ длиной λ/4 | λ/4-Stripline-Technik |
| технология приборов на основе GaAs | GaAs-Technologie |
| технология приборов на основе GaAs | GaAs-Technik |
| технология приборов на основе арсенида галлия | GaAs-Technologie |
| технология приборов на основе арсенида галлия | GaAs-Technik |
| технология приборов с зарядовой связью | CCD-Technik |
| технология приборов с многоуровневой структурой | Mehrebenenintegration |
| технология приборов с переносом заряда | Ladungstransfertechnik |
| технология приборов с переносом заряда | CTD-Technik |
| технология приборов типа "пожарная цепочка" | BBD-Technik |
| технология присоединения кристаллов к паучковым выводам кристаллодержателя на гибком ленточном носителе | Spinnenbondtechnik |
| технология производства дисплейных устройств на основе СБИС | Large Scale Display Integration |
| технология производства дисплейных устройств на основе СБИС | LSDI |
| технология реактивного ионно-плазменного нанесения тонких плёнок | reaktive Sputtertechnik |
| технология изготовления резисторно-диодно-транзисторных схем | Widerstands-Dioden-Transistor-Technik |
| технология р-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie |
| технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| технология р-канальных МОП-приборов | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| технология р-канальных МОП-приборов | p-Kanal-Technik |
| технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами | p-Kanal-Metall-Gate-Technologie |
| технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Silicongate-Technologie |
| технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Si-Gate-Technik |
| технология р-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-Technik |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-Siliziumgate-Technik |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pSGT |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-SGT |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-SG-MOS |
| технология РТЛ ИС | RTL-Technik |
| технология СБИС | VLSI-Technologie |
| технология СБИС | VLSI-Technik |
| технология СБИС на одной полупроводниковой пластине | Full-Slice-Technik |
| технология сверхбыстродействующих ИС | Very High Speed Integration |
| технология сверхбыстродействующих ИС | VHSI |
| технология сверхскоростных ИС | Very High Speed Integration |
| технология ССИС | Very High Speed Integration |
| технология ССИС | VHSI |
| технология ССИС | VHSIC-Technik |
| технология стандартных ИС | Standardchiptechnik |
| технология изготовления стандартных КМОП ИС | Standard-CMOC-Technik |
| технология толстоплёночных логических ГИС | Solid Logic Technology |
| технология толстоплёночных логических ГИС | SLT |
| технология толстоплёночных логических ГИС | Siebdruckkeramiktechnik |
| технология толстоплёночных ГИС | Dickschicht-Hybridtechnik |
| технология транзисторных ИС с выступающими электродами | SET-Technik |
| технология ТТЛ ИС | T2L-Technik |
| технология ТТЛ ИС | TTL-Technik |
| технология ТТЛ-схем с высоким пороговым напряжением | High-Threshold MOS |
| технология ТТЛ-схем с высоким пороговым напряжением | HT-MOS |
| технология изготовления ТТЛ-схем среднего уровня интеграции | TTL-MSI-Technik |
| технология УБИС | ULSI-Technik |
| технология ультрабольших ИС | ULSI-Technik |
| технология усовершенствованных Би-КМОП ИС | Advanced Bipolar CMOS |
| технология усовершенствованных Би-КМОП ИС | ABC-Technologie |
| технология усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС | Advanced High-speed CMOS |
| технология усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС | AHC |
| технология усовершенствованных быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | Advanced High-speed CMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Technologie |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | Advanced CMOS-Technologie |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | Advanced CMOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС | ABC-Technologie |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Twinwell-CMOS-Prozess |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с двойными карманами | Twin-Tub-CMOS |
| технология усовершенствованных КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | AHCT |
| технология усовершенствованных КМОП ИС фирмы "Фэйрчайлд" | Fairchild Advanced CMOS Technology |
| технология усовершенствованных КМОП ИС фирмы "Фэйрчайлд" | FACT-Technologie |
| технология усовершенствованных 1-мкм КМОП ИС с двойными карманами | 1-μm-Twinwell-CMOS-Prozess |
| технология усовершенствованных МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Technik |
| технология устройств на контактах Джозефсона | Josephson-Technik |
| технология устройств на малых ИС | Kleinintegrationstechnik |
| технология ЭСЛ ИС | ECL-Technologie |
| технология ЭСЛ ИС | ECL-Technik |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | Advanced Standard Buried-Collector |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC-Technik |
| усовершенствованная технология быстродействующих ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | AHCT |
| усовершенствованная технология быстродействующих КМОП ИС | Advanced High-speed CMOS |
| усовершенствованная технология быстродействующих КМОП ИС | AHC |
| усовершенствованная технология быстродействующих КМОП ИС с ТТЛ-совместимыми затворами | Advanced High-speed CMOS mit TTL-kompatiblen Eingangsstrukturen |
| усовершенствованная технология изготовления полупроводниковых логических ИС | ASLT |
| усовершенствованная технология изготовления полупроводниковых логических ИС | Advanced Solid Logic Technology |
| усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | Advanced Polysilicon Self-Aligned |
| усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | APSA |
