Terms containing МОП ИС

Subject	Russian	German
microel.	Би-МОП ИС	MOSBi
microel.	Би-МОП ИС	BIMOS
microel.	Би-МОП ИС	BIMOS-IC
microel.	высоковольтная МОП ИС	integrierter Hochspannungs-MOS-Schaltkreis
microel.	высоковольтная МОП ИС	integrierte Hochspannungs-MOS-Schaltung
microel.	высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой	Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor
microel.	высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой	Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor
microel.	высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире"	Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor
microel.	высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире"	Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor
microel.	высококачественные МОП ИС	HMOS-Technik
el.	высококачественные МОП ИС	High-Performance MOS
microel.	высококачественные МОП ИС	HMOS
microel.	ЗУ на МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	VMOS-Speicher
microel.	ИС на биполярных и МОП-транзисторах	MOSBi
microel.	ИС на биполярных и МОП-транзисторах	BIMOS-IC
microel.	ИС на биполярных и МОП-транзисторах	BIMOS
microel.	ИС на двухдиффузионных МОП-транзисторах	DMOS-Schaltkreis
microel.	ИС на комплементарных МОП-структурах	CMOS-IS
microel.	ИС на комплементарных МОП-транзисторах	komplementärer MOS-Schaltkreis
microel.	ИС на МОП-структуре со скрытым каналом	Buried Channel MOS
el.	ИС на p-МОП-транзисторах	p-MOS-Schaltkreis
el.	ИС на n-МОП-транзисторах	n-MOS-Schaltkreis
microel.	ИС на n-МОП-транзисторах	NMOS-Schaltung
microel.	ИС на n-МОП-транзисторах	NMOS-Schaltkreis
microel.	ИС на МОП-транзисторах с нижним затвором	BMOS-Schaltung
microel.	ИС на МОП-транзисторах с обогащением и обеднением канала	ED-MOSFET
microel.	ИС на МОП-транзисторе со скрытым каналом	BCMOS
microel.	ИС на р-канальных МОП-транзисторах	MOS-p-Kanal-Netzwerk
microel.	ИС на р-МОП-транзисторах	PMOS-Schaltung
microel.	ИС на р-МОП-транзисторах	PMOS-Schaltkreis
microel.	ИС составного прибора, объединяющего триак с МОП-транзистором	TRIMOS-Schaltkreis
microel.	комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах	Cache-Technik
microel.	комплементарная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире"	Silicon-on-Sapphire Complementary Metal-Oxide-Semiconductor
el.	кремниевая МОП ИС	Silizium-MOS-Schaltung
el.	кремниевая МОП-транзисторная ИС	Silizium-MOS-Schaltung
microel.	кремниевая МОП-транзисторная ИС	Silizium-MOS Schaltung
el.	лавинно-инжекционная МОП ИС с многоуровневым затвором	Stacked gate Avalanche injection MOS
microel.	логическая ИС на комплементарных МОП-транзисторах	CMOS-Logik-IS
microel.	логическая ИС на комплементарных МОП-транзисторах	CMOS-Logik-IC
microel.	логические МОП ИС с углублёнными нагрузочными транзисторами	Buried-Load Logic MOS
microel.	логические МОП ИС с углублёнными нагрузочными транзисторами	BL2MOS
microel.	масштабированная МОП ИС	skalierter MOS-Schaltkreis
microel.	масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины	Scaled-down MOS
microel., BrE	масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины	Small MOS
microel.	масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины	SMOS
microel.	МОП ИС	MOS-IC
microel.	МОП ИС	MOS-IS
microel.	МОП ИС	MOS-Schaltung
microel.	МОП ИС	integrierter MOS-Schaltkreis
microel.	МОП ИС	MOS-IG-Schaltkreis
microel.	МОП ИС	integrierte Schaltung in MOS-Technik
microel.	МОП ИС	integrierte Schaltung mit MOS-Strukturen
microel.	МОП ИС	integrierte MOS-Schaltung
microel.	МОП ИС	MOS-Schaltkreis
microel.	МОП ИС	MOS-Baustein
microel.	МОП ИС	MOS-Bauelement
microel.	МОП ИС на сапфире	integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat
microel.	МОП ИС на сапфире	integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik
microel.	МОП ИС на сапфире	integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat
microel.	МОП ИС на сапфировой подложке	integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat
microel.	МОП ИС на сапфировой подложке	integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik
microel.	МОП ИС на сапфировой подложке	integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat
microel.	МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами	integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen
microel.	МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами	integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen
microel.	МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затвором	Doppel-Poly-Si-Gate-Schaltkreis
microel.	МОП ИС с инжекционным плавающим затвором	Gate-Injection MOS
microel.	МОП ИС с комплементарными структурами	integrierter MOS-Schaltkreis mit Komplementärstrukturen
microel.	МОП ИС с комплементарными структурами	integrierte MOS-Schaltung mit Komplementärstrukturen
microel.	МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором	MOS-SGT-Schaltkreis
brit.	МОП ИС с самосовмещённым затвором	Self-Aligned Gate MOS
microel.	МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки	HDMOS
microel.	МОП ИС, усиленные биполярными элементами	BeMOS
microel.	МОП транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором	nMOS-SGT-Schaltkreis
microel.	МОП-транзисторная ИС	MOS-IS
microel.	МОП-транзисторная ИС	MOS-Schaltkreis
microel.	МОП-транзисторная ИС	MOS-Schaltung
microel.	n-МОП-транзисторная ИС	NMOS-Schaltkreis
microel.	n-МОП-транзисторная ИС	NMOS-Schaltung
el.	p-МОП-транзисторная ИС	p-MOS-Schaltkreis
el.	n-МОП-транзисторная ИС	n-MOS-Schaltkreis
microel.	МОП-транзисторная ИС	integrierter MOS-Schaltkreis
microel.	МОП-транзисторная ИС	MOS-IC
microel.	n-МОП-транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором	nMOS-SGT-Schaltkreis
microel.	однотипные МОП ИС	Einkanal-MOS-Schaltkreise (с каналом или n-типа, или р-типа)
microel.	однотипные МОП ИС	Einkanal-MOS (с каналом или n-типа, или р-типа)
microel.	р-МОП-транзисторная ИС	PMOS-Schaltung
microel.	р-МОП-транзисторная ИС	PMOS-Schaltkreis
microel.	система разработки МОП ИС	MOS Implementation System
el.	специализированная МОП ИС	Metal-Oxide-Semiconductor-ASIC
microel.	специализированная МОП ИС	MOS-ASIC
microel.	технология высококачественных МОП ИС	Hochleistungs-MOS
microel.	технология высококачественных МОП ИС	HMOS-Technik
microel.	технология высококачественных МОП ИС	HMOS-Technologie
microel.	технология высококачественных МОП ИС	Hochleistungs-MOS-Technik
microel., BrE	технология высококачественных МОП ИС	High-Performance MOS
microel.	технология высококачественных МОП ИС	HMOS
microel.	технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации	Ion-Implanted MOS
microel.	технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации	IIMOS
microel.	технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии	Doppeldiffusions-MOS-Technologie
microel.	технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах	BIMOS-Technik
microel.	технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах	MOSBi
microel.	технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах	BIMOS
microel.	комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами	SIGBIP
microel.	комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами	Silicon Gate MOS Bipolar Technology
microel.	технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором	SIMOS
el.	технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором	SIMOS-Technik
microel.	технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором	Stacked-gate Injection MOS
microel., BrE	технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным	Stacked-gate Injection MOS
microel.	технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором	SIMOS
microel.	технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором	Stacked-gate Injection MOS
microel.	технология p-канальных МОП ИС	PMOS-Technik
microel.	технология n-канальных МОП ИС	n-MOS-Technik
microel.	технология p-канальных МОП ИС	p-MOS-Technik
microel.	технология n-канальных МОП ИС	NMOS-Technik
microel.	технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами	p-Alg-MOS
microel.	технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	n-Kanal-Silicongate-Technologie
microel.	технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie
microel.	технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	n-Kanal-Si-Gate-Technik
microel.	технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-Kanal-Silicongate-Technologie
microel.	технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-Kanal-Si-Gate-Technik
el.	технология кремниевых МОП ИС	Silizium-MOS-Technik
el.	технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворами	SAMOS-Technik
el.	технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворами	Stacked gate Avalanche injection MOS
microel., BrE	технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины	Small MOS
microel.	технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины	Scaled-down MOS
microel., BrE	технология МОП ИС	Bipolar-enhanced MOS
microel.	технология МОП ИС	BeMOS
el.	технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами	Zweiebenen-Polysiliziumtechnik
microel., BrE	технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором	GIMOS
microel.	технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором	GIMOS-Technik
microel.	технология МОП ИС с молибденовыми затворами	Molybdäntortechnik
microel.	технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворами	Molybdan-Gate-SAG
microel.	технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок	ED-MOS-Technik
microel.	технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок	ED-Technik
el.	технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок	Enhancement-Depletion-MOS
microel.	технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок	Enhancement-Depletion-Technik
microel.	технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок	E/D-Technik
microel.	технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок	ED-MOS
microel.	технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок	Depletion-Load-Technik
el.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	V-Graben-MOS-Technik
el.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	V-MOS
microel.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	Vertical MOS
microel.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	VMOS
microel.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	VMOS-Technik
microel.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	VMOS-Technologie
microel.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	V-groove MOS
microel.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	VMIS-Technik
microel.	технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками	V-Graben-MOS-Technologie
microel.	технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затвором	Single-Poly-Si-Gate-Technik
microel.	технология МОП ИС с поликремниевыми затворами	Silicon-Gate-Technik
microel., BrE	технология МОП ИС с поликремниевыми затворами	Silicon Gate Technology
microel.	технология МОП ИС с поликремниевыми затворами	Siliziumgatetechnologie
microel.	технология МОП ИС с поликремниевыми затворами	SGT-MOS
microel.	технология МОП ИС с поликремниевыми затворами	Si-Gate-Technik
microel.	технология МОП ИС с поликремниевыми затворами	SGT
microel.	технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии	DMOS-Technik
microel.	технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии	DMOS-Verfahren
microel.	технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии	D-MOS
el.	технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами	SAMOS-Technik
el.	технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами	Self-Registered Gate-Technik
brit.	технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами	Self-Aligned Gate MOS
microel.	технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем	SATO-Technik
microel.	технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	Poly-Si-Gate-SAG
microel.	технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции	LOCOS-Verfahren
microel.	технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции	Local Oxydation of Silicon
microel.	технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции	LOCOS
microel.	технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки	High-performance Double-density MOS
microel.	технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки	HDMOS
microel.	технология МОП ИС со скрытым оксидом	BOMOS
microel.	технология МОП ИС со скрытым оксидом	BOMOS-Technik
brit.	технология МОП ИС со скрытым оксидом	Buried Oxide MOS
microel.	технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида	Buried Oxide MOS
microel.	технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида	BOMOS-Technik
microel.	технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида	BOMOS
microel.	технология МОП ИС, усиленных биполярными элементами	Bipolar-enhanced MOS
microel.	технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором	Metalltortechnik
microel.	технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором	Metall-Tor-Technologie
microel.	технология МОП-транзисторных ИС с плавающим затвором	Floating-Gate-Technik
microel.	технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами	Siliziumtortechnik
microel.	технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами	Siliziumtortechnologie
el.	технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	n-MOS-Silizium-Gate-Technik
el.	технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-MOS-Siliziumgate-Technik
el.	технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-MOS-SGT
microel.	технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	n-SG-MOS
microel.	технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	nMOS-SGT
microel.	технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	nSGT
microel.	технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	nMOS-Silizumgate-Technik
microel.	технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	nMOS-Siliziumgate-Technik nSGT
microel.	технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-SG-MOS
microel.	технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	pMOS-Siliziumgate-Technik pSGT
microel.	технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	NMOS-Siliziumgate-Technik
microel.	технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	pMOS-SGT
microel.	технология изготовления МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами	selbstjustierendes Verfahren
microel.	технология мощных МОП ИС фирмы "Сименс"	SIPMOS
microel.	технология р-канальных МОП ИС	p-MOS-Technik PMOS-Technik
microel.	технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами	p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie
microel.	технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами	p-Alg-MOS
microel.	технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-Kanal-Silicongate-Technologie
microel.	технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-Kanal-Si-Gate-Technik
microel.	технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	pSGT
microel.	технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	pMOS-SGT
microel.	технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	pMOS-Siliziumgate-Technik
microel.	технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами	p-SG-MOS
microel.	технология усовершенствованных МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле	MOSAIC-Technik
microel.	усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле	Metal Oxide Silicon Advanced IC
microel.	усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле	MOSAIC-Schaltung
microel.	усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором	Advanced Polysilicon Self-Aligned
microel.	усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором	APSA