| Russian | German |
| беспаечный контакт, полученный обжимом | Crimpkontakt |
| зона, полученная ионной имплантацией | implantierte Zone |
| изображение, полученное в просвечивающем электронном микроскопе | TEM-Bild |
| изображение, полученное в растровом электронном микроскопе | REM-Abbildung |
| изображение, полученное с помощью растрового электронного микроскопа | SEM-Bild |
| изображение, полученное с помощью растрового электронного микроскопа для контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом | EBIC-Bild |
| изображение, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа | SEM-Bild |
| изображение, полученное с помощью фотопостроителя | Fotoplot |
| КМОП ИС, полученная ионной имплантацией | implantierte |
| КМОП ИС, полученная ионной имплантацией | implantierte CMOS-IS |
| контакт, полученный методом накрутки | Wickelkontakt |
| контакт, полученный методом накрутки | Wire-Wrap-Auschluss |
| контакт, полученный методом накрутки | Wickelanschluss |
| контакт, полученный методом термокомпрессии | Thermokompressionskontakt |
| контакт, полученный накруткой | Wickelkontakt |
| контакт, полученный накруткой | Wire-Wrap-Auschluss |
| контакт, полученный накруткой | Wickelanschluss |
| контакт, полученный обжимом | Crimpanschluss |
| копия фотошаблона, полученная методом контактной фотолитографии | Kontaktkopie |
| кремний, полученный методом бестигельной зонной плавки | FZ-Silizium |
| кристалл, полученный методом бестигельной зонной плавки | FZ-Kristall |
| лазер со скрытой гетероструктурой, полученной методом массопередачи | MTBH-Laser |
| микрофотография, полученная с помощью растрового электронного микроскопа | SEM-Aufnahme |
| микрофотография, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа | SEM-Aufnahme |
| монокристалл кремния, полученный методом бестигельной зонной плавки | Floating-Zone-Silizium |
| монокристалл, полученный методом бестигельной зонной плавки | FZ-Kristall |
| МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования | DIMOS |
| МОП-структура, полученная методом ионной имплантации | Ion-Implanted MOS |
| МОП-структура, полученная методом ионной имплантации | IIMOS |
| МОП-транзистор с самосовмещённым затвором, полученный методом двойной диффузии | MOSFET mit Diffusionsselbsteinstellung |
| перемычка, полученная методом накрутки | Wickelbrücke |
| перемычка, полученная накруткой | Wickelbrücke |
| переход, полученный ионной имплантацией | ionenimplantierter Übergang |
| покрытие, полученное анодированием | anodischer Überzug |
| покрытие, полученное анодным окислением | anodischer Überzug |
| скрытая гетероструктура, полученная методом массопередачи | Mass-Transport Buried Heterostructure |
| слой, полученный ионной имплантацией | Ionenimplantationsschicht |
| слой, полученный ионной имплантацией | implantierte Schicht |
| соединение, полученное методом накрутки | Wire-Wrap-Auschluss |
| соединение, полученное методом накрутки | Wickelanschluss |
| соединение, полученное накруткой | Wire-Wrap-Auschluss |
| соединение, полученное накруткой | Wickelanschluss |
| спай, полученный методом ультразвуковой пайки | Ultraschallötstelle |
| толстоплёночная микросхема, полученная методом трафаретной печати | Siebdruckschaltung |
| транзистор, полученный методом послесплавной диффузии | PAD-Transistor |
