 |
| Russian | German |
| модель поведения транзистора в режиме больших сигналов | Großsignalmodell |
| поведение транзистора в высокочастотном режиме | Hochfrequenzverhalten |
| поведение транзистора в режиме малых переменных сигналов | Wechselstromkleinsignalverhalten |
| поведение в режиме переключения | Schaltverhalten (напр., транзистора) |
| поведение насыщения | Sättigungsverhalten (Бадриддин Рахматов) |
| поведение полупроводникового прибора при включении | Ein-Schaltverhalten |
| поведение прибора при дрейфе | Drifverhalten (Driftverhalten leomikh) |
| поведение при наличии смещения | Offsetverhalten (напр., операционного усилителя) |
| поведение полупроводникового прибора при обратном смещении | Sperrverhalten |
| поведение полупроводникового прибора при прямом смещении | Durchlaßverhalten |
| поведение транзистора | Transistorverhalte (Бадриддин Рахматов) |
| поведение транзистора в режиме больших сигналов | Großsignalverhalten |
| поведение транзистора при малых сигналах | Kleinsignalverhalten |
| поведение транзистора при малых уровнях сигнала | Kleinsignalverhalten |