| Russian | German |
| активный запоминающий элемент на биполярных транзисторах | aktives Speicherelement mit bipolaren Transistoren |
| арсенидгаллиевый биполярный транзистор на гетеропереходах | GaAs-HJBT |
| базовая БЯ на биполярных транзисторах | bipolares Basisflipflop |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
| биполярная большая интегральная схема | bipolarer integrierter Großschaltkreis |
| биполярная большая интегральная схема | bipolarer gruppenintegrierter Festkörperschaltkreis |
| биполярная большая интегральная схема | bipolarer LSTr-Schaltkreis |
| биполярная инжекция | Doppelinjektion |
| биполярная интегральная схема | bipolarer intergrierter Schaltkreis |
| биполярная интегральная схема | bipolare integrierte Schaltung |
| биполярная ИС | bipolare |
| биполярная ИС | integriertes Bipolarbauelement |
| биполярная ИС | integrierter Bipolarschaltkreis |
| биполярная ИС | Bipolarschaltkreis |
| биполярная ИС | Bipolarschaltung |
| биполярная ИС | Bipolarbaustein |
| биполярная ИС | bipolare IS |
| биполярная ИС | integrierte Bipolarschaltung |
| биполярная ИС | bipolares IC |
| биполярная ИС | bipolarer integrierter Schaltkreis |
| биполярная ИС | bipolare integrierte Schaltung |
| биполярная ИС | bipolares |
| биполярная ИС | Bipolar-IC |
| биполярная ИС со скрытым коллекторным слоем, изготовленная по базовой технологии | SBC-Schaltkreis |
| биполярная матричная ИС | bipolares Array |
| биполярная матричная ИС | bipolarer Array-Schaltkreis |
| биполярная постоянная память | bipolarer Festspeicher |
| биполярная технология | bipolare Technik |
| биполярная технология | Bipolartechnik |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bipolar inversion-channel FET |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bicfet |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bipolar inversionchannel FET |
| биполярное ЗУ | Bipolarspeicher |
| биполярное постоянное запоминающее устройство | bipolarer Festspeicher |
| биполярное постоянное запоминающее устройство | bipolarer Dauerspeicher |
| биполярный запоминающий элемент | bipolares Speicherelement |
| биполярный запоминающий элемент | bipolarer Speicher |
| биполярный квантово-туннельный транзистор | RTBT |
| биполярный ключ | bipolarer Transistorschalter |
| биполярный комплементарный транзистор | bipolarer komplementärer Transistor |
| биполярный комплементарный транзистор | bipolarer Komplementärtransistor |
| биполярный плоскостной транзистор | BJT |
| биполярный прибор | Bipolarbaustein |
| биполярный резонансный туннельный транзистор | RTBT |
| биполярный СВЧ-транзистор | bipolarer Mikrowellentransistor |
| биполярный СВЧ-транзистор | Bipolarmikrowellentransistor |
| биполярный текнетрон | bipolares Tecnetron |
| биполярный транзистор | bipolarer Sperrschichttransistor |
| биполярный транзистор | Bipolar Junction Transistor |
| биполярный транзистор на GaAs | GaAs-Bipolartransistor |
| биполярный транзистор на арсениде галлия | GaAs-Bipolartransistor |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | Hetero-junction Bipolar Transistor |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | HBT |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | HJBT |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | Heterojunction Bipolar Transistor |
| биполярный GaAs-транзистор на гетеропереходах | bipolarer GaAs-Heterostrukturtransistor |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | Heterojunction-Bipolartransistor |
| биполярный транзистор с диодом Шоттки | Schottky-Dioden-Transistor |
| биполярный транзистор с ограничением пространственного заряда | raumladungsbegrenzter Bipolartransistor |
| биполярный транзистор со скрытым коллекторным слоем, изготовленный по базовой технологии | SBC-Transistor |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltung |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltkreis |
| быстродействующие ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| вентильная матрица на биполярных и КМОП-транзисторах | Bipolar-CMOS-Gatter |
| гибридная биполярная интегральная схема | bipolarer integrierter Hybridschaltkreis |
| гибридная биполярная интегральная схема | bipolare integrierte Hybridschaltung |
| гибридные параметры эквивалентного четырёхполюсника биполярного транзистора | Hybridvierpolparameter |
| динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
| запоминающая ячейка на биполярных транзисторах | bipolare Speicherzelle |
| запоминающая ячейка на биполярных транзисторах | bipolare Flipflop-Speicherzelle |
| ЗЯ на биполярных транзисторах | bipolare Speicherzelle |
| изготовление биполярных БИС | Bipolargroßintegration |
| инвертор на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Inverter |
| интегральная структура на биполярных и МОП-транзисторах | Bipolar-MOS-Bauelementestruktur |
| интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar-IGFET-Bauelementestruktur |
| интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | BIGFET-Struktur |
| интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar-SFET-Bauelementestruktur |
| интегральный биполярный транзистор | integrierter Bipolartransistor |
| интегральный усилитель на биполярных и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Verstärker |
| комбинированная ИС на биполярных | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bi-CMOS-IC |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-IC |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar-IGFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | BIGFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar Insulated-Gate Field-Effect Transistor |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar-SFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar Junction Field-Effect Transistor |
| ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах | bipolarer Operationsverstärker |
| ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Operationsverstärker |
| ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Schaltung |
| логические ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Logik |
| ключ на биполярных транзисторах | bipolarer Transistorschalter |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| комбинированная технология ИС на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Mischtechnik |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| кремниевый биполярный транзистор | Silizium-Bipolartransistor |
| логическая матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Logikarray |
| логические схемы на насыщающихся биполярных ключах | Übersteuerungslogik |
| матрица биполярных транзисторов | bipolares Array |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Array |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bipolar-CMOS-Gatter |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BI-CMOS-Gate-Array |
| многоэмиттерный биполярный транзистор с вертикальной структурой | Multiemitter-Vertikalbipolartransistor |
| МОП ИС, усиленные биполярными элементами | BeMOS |
| насыщающийся биполярный ключ | Übersteuerungsschalter |
| включаемая на входе пара Дарлингтона на полевом и комплементарном биполярном транзисторах | JFET-Darlingtonpaar |
| постоянная времени биполярного ключа | Übersteuerungszeitkonstante |
| серия матричных БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BI-CMOS-Gate-Array-Familie |
| включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtontransistor |
| включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtonpaar |
| схема на биполярной микроматрице | bipolarer Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
| счетверённый операционный усилитель на биполярных и полевых транзисторах | Vierfach-BiFET-OPV |
| технология биполярных БИС | Bipolargroßintegration |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | BEST |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных ИС | Bipolartechnik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | selbstjustierte Basis-Emitter-Technik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Self-aligned Technology |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Selfaligned Technology |
| технология биполярных приборов на эффекте расширения базы | POB-Technik |
| технология изготовления биполярных приборов с горизонтальной структурой с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskenlateraltechnik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskentechnik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | TRIM-Prozess |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | TRIMASK-Technik |
| технология изготовления биполярных приборов с использованием трёх фотошаблонов | Dreimaskenprozess |
| технология биполярных транзисторов с диффузионной базой | DB-Technik |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | High-Speed Bipolar CMOS |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Technik |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| комбинированная технология ИС на биполярных | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Technik |
| комбинированная технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bi-CMOS-Technologie |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-Technik |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | SIGBIP |
| комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | Silicon Gate MOS Bipolar Technology |
| технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Technik |
| комбинированная технология линейных ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Linear Compatible CMOS |
| технология изготовления МДП-транзисторных или биполярных ИС с V-образными изолирующими канавками | VATE-Technik |
| технология изготовления МДП-транзисторных или биполярных ИС с V-образными изолирующими канавками | V-ATE-Verfahren |
| технология МОП ИС, усиленных биполярными элементами | Bipolar-enhanced MOS |
| усиленных биполярными элементами | BeMOS |
| усиленных биполярными элементами | Bipolar-enhanced MOS |
| эффект смещения рабочей точки биполярного транзистора синхронно с входным сигналом | Mitlaufeffekt |
