| Russian | German |
| вертикальный полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-VFET |
| диод с р-i-n-структурой | pin-Diode PIN-Diode p-i-n-диод |
| запоминающая ячейка на МОП-транзисторе с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Speicherzelle |
| карман с проводимостью р-типа | p-Wanne |
| карман с электропроводностью р-типа | p-Wanne |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью р-типа | p-Siliziumplättchen |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью р-типа | gleitendes Siliziumplättchen |
| кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью р-типа | p-Halbleiterplättchen |
| кристалл ИС с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleiterplättchen |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| область с проводимостью р-типа | p-Zone |
| область с проводимостью р-типа | p-Gebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-Bereich |
| подложка с проводимостью р-типа | p-leitendes Substrat |
| полевой транзистор с гексагональными р-областями | HEXFET |
| полевой транзистор с гексагональными р-областями | Hexagonal FET |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-FET |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-JFET |
| р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором | p-Kanal-Si-Gate-FET |
| р-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-SFET |
| р-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| с проводимостью р-типа | p-leitend |
| с проводимостью р-типа | p-Typ |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-CMOS-Technologie |
| технология МОП БИС с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-LSI-Technik |
| технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie |
| технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами | p-Kanal-Metall-Gate-Technologie |
| технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Silicongate-Technologie |
| технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Si-Gate-Technik |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-Siliziumgate-Technik |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pSGT |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-SGT |
| технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-SG-MOS |
| тиристор с управляющим электродом р-типа | p-Gate-Thyristor |
| транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Transistor |
| фотодиод с гетероструктурой на основе арсенида галлия n-типа, легированного германием р-типа | n-GaAs-p-Ge-Fotodiode |
