Russian | German |
активный запоминающий элемент на биполярных транзисторах | aktives Speicherelement mit bipolaren Transistoren |
активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktiver MOS-Speicher |
активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktives Speicherelement mit MOS-Feldeffekttransistoren |
алмазно-абразивный круг для резки слитков на пластины или полупроводниковых пластин на кристаллы | Trennscheibe |
алмазный круг для резки слитков на пластины или полупроводниковых пластин на кристаллы | Trennscheibe |
анализатор на основе быстрого преобразования Фурье | FFT-Analysator |
арсенидгаллиевый биполярный транзистор на гетеропереходах | GaAs-HJBT |
ассоциативный процессор на СБИС-пластине | Wafer Scale Associative Processor |
базовая бистабильная ячейка на МОП-структурах | MOS-Basis-Flipflop |
базовая БЯ на биполярных транзисторах | bipolares Basisflipflop |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
БИС на КМОП-структурах | LSI-CMOS-Baustein |
БИС на V-МОП-транзисторах | VMOS-LSI-Schaltkreis |
БИС на МОП-транзисторах с V-образными изолирующими канавками | VMOS-LSI-Schaltkreis |
матричная БИС на основе БМК | Universalschaltkreis |
матричная БИС на основе БМК | Universalschaltkreischip |
матричная БИС на основе БМК | Master-Slice-Schaltkreis |
БИС на основе линейных макроэлементов | Linear-Makrozellen-Array |
БИС на переключателях тока | hochintegrierte Stromschaltschaltungen |
БИС на стандартных элементах | Standardzellen-IS |
БИС на стандартных элементах | Standardzellen-Schaltkreis |
БИС на стандартных элементах | Standardzellen-IC |
большая интегральная схема на МОП-структурах | gruppenintegrierter MOS-Schaltkreis |
большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI-Schaltkreis |
большая интегральная схема на МОП-структурах | integrierter MOS-Großschaltkreis |
большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI |
быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltung |
быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltkreis |
быстродействующие БИС на переключателях тока | schnelle hochintegrierte Stromschaltschaltungen |
быстродействующие ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
видео ЗУ на ПЗС | CCD-Bildspeicher |
4-входовый вентиль И НЕ на основе усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Vierfach-NAND-gatter |
4-входовый элемент И НЕ на основе усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Vierfach-NAND-gatter |
вывод изображений на разделённый на области экран | Split-Screen-Darstellung |
вывод на экран | Bildschirmanzeige |
выполнение операций "на лету" | On-The-Fly-Funktion |
выполненный на полупроводниковых приборах | mit Halbleiterbauelementen bestückt |
выполненный на полупроводниковых приборах | auf Halbleiterbasis |
выпрямитель на диоде Шоттки | Schottky-Gleichrichter |
выпрямление на запирающем слое | Gleichrichtung an der Sperrschicht |
высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
выходная проводимость при коротком замыкании на входе | negativer Ausgangskurzschlussleitwert |
выходная проводимость при коротком замыкании на входе | Kurzschlussausgangsleitwert |
выходная проводимость при холостом ходе на входе | negativer Ausgangsleitwert bei Leerlauf |
выходная проводимость при холостом ходе на входе | negativer Ausgangsleerlaufleitwert |
выходная проводимость при холостом ходе на входе | Leerlaufausgangsleitwert |
выходная проводимость при холостом ходе на входе | Ausgangsleitwert bei Leerlauf des Eingangs |
выходное сопротивление при холостом ходе на входе | negativer Ausgangsleerlaufwiderstand |
выходной каскад на ТТЛ-схемах | TTL-Ausgangsstufe |
гетероструктурный МЕП-транзистор на арсениде галлия | GaAs-Heterostruktur-FET |
гетероструктурный МЕП-транзистор на арсениде галлия | GaAs-HFET |
гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор на арсениде галлия | GaAs-Heterostruktur-FET |
гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор на арсениде галлия | GaAs-HFET |
граничная частота на входе | Eingangsgrenzfrequenz |
датчик изображения на ПЗИ | Ladungsinjektions-Bildwandler |
датчик изображения на ПЗС | ladungsgekoppelter Bildsensor |
датчик изображения на фоторезисторах | Bildsensor mit Widerstandselektroden |
датчик изображения на ПЗС с кадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
датчик изображения на ПЗС с покадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
датчик Холла на GaAs | GaAs-Hall-Sensor |
датчик Холла на арсениде галлия | GaAs-Hall-Sensor |
двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | Zweitransistor-FAMOS-Speicherelement |
двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
делитель на два | 1:2:Teiler |
делитель на десять | 1:10-Teiler |
делитель на десять | 1:10:Teiler |
делитель на схемах ТТЛ-Шоттки | Schottky-TTL-Teiler |
делитель на три | 1:3-Teiler |
делитель напряжения на два | Spannungsteiler von 2:1 |
динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
диод на GaAsP | GaAsP-Diode |
диод на арсениде галлия | Galliumarseniddiode |
диод на арсениде галлия | GaAs-Diode |
диод на арсениде-фосфиде галлия | GaAsP-Diode |
диод на галий-арсенид-фосфиде | GaAsP-Diode |
диод на гетеропереходе | Heterodiode |
диод на основе коллекторного перехода | Kollektordiode |
диод на фосфиде галлия | Galliumphosphiddiode |
диод на фосфиде галлия | GaP-Diode |
диод с монополярной инжекцией на основе тантала сульфида кадмия индия | Ta-CdS-In-Diode |
диод с монополярной инжекцией на основе тантала-сульфида кадмия-индия | Ta-CdS-In-Diode |
диод Шоттки на GaAs | GaAs-Schottky-Diode |
диод Шоттки на арсениде галлия | GaAs-Schottky-Diode |
дисплей на ЦМД | Magnetblasendisplay |
дисплей на ЦМД | Blasendisplay |
дисплей на ЭЛТ | CBT-Display |
дифференциальная логика на переключателях тока | Differenz-Stromachaltlogik |
ждущий мультивибратор на КМОП-транзисторах | monostabiler CMOS-Multivibrator |
запрос на прерывание | Unterbrechungsanforderung |
запрос на прерывание | Unterbrechungsforderung |
запрос на прерывание | Interruptanforderung |
заряд состояний на поверхности раздела | Zwischenschichtladung |
индикаторная матрица на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigematrix |
индикаторная панель на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigetableau |
индикаторный экран на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigeschirm |
индикаторный экран на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeige |
инжекционный лазер на pn-переходе | Injektionslaser mit pn-Übergang |
инжекционный лазер на pn-переходе | Halbleiterinjektionslaser |
кермет на основе неблагородных металлов | Trägermetallkermet |
комбинация сигналов на входе схемы | Schaltungsbelegung |
комбинированная структура на ПЗС и МОП БИС на одном кристалле | Charge-Coupled DeviceMetal-Oxide-Semiconductor Array Integrated Circuit |
комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
комбинированная технология ИС на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Mischtechnik |
комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
комбинированноеa ЗУ на гибких магнитных дисках и ЦМД | Flubble-Speicher |
комплементарная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire Complementary Metal-Oxide-Semiconductor |
комплементарные логические схемы на переключателях тока | komplementäre Konstantstromlogik |
комплементарные логические схемы на переключателях тока | C3L |
комплементарные логические схемы на переключателях тока | Complementary Constant Current Logic |
комплементарные логические схемы на переключателях тока | komplementare Konstantstromlogik |
контроллер ЗУ на магнитной ленте | Bandsteuerung |
контроллер на матричной БИС | Array-Controller |
контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Diskettenspeichersteuerung |
контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Floppy-Controller |
контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Steuereinheit |
контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Folienspeichersteuerung |
контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Folienspeichersteuereinheit |
контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Controller |
контроллер накопителя на гибком магнитном диске | Diskettenkontroller |
контроллер накопителя на жёстких магнитных дисках | Hard-Disk-Controller |
контроллер накопителя на жёстком магнитном диске | Festplatten-Controller |
контроллер накопителя на магнитной ленте | Bandsteuereinheit |
контроль качества позиционирования и монтажа компонентов на поверхность плат | SMD-Bestückungskontrolle |
кремниевый островок на сапфировой подложке | SOS-Insel |
линия задержки на ПАВ | Interdigitalleitung |
линия задержки на ПАВ | Oberflächenwellenverzögerungsleitung |
линия задержки на ПАВ | Oberflächenwellen-Verzögerungsleitung |
линия задержки на ПАВ | AOW-Verzögerungsleitung |
проекционная литография с переносом изображений непосредственно на полупроводниковые пластины | Wafer-Stepper-Lithografie |
логика на буферных полевых транзисторах | Buffered FET Logic |
логика на буферных полевых транзисторах | gepufferte FET-Logik |
логика на интегральных микросхемах | Mikrologik |
логика на КМОП-структурах | CMOS-Logik |
логика на комплементарных МОП-структурах | CMOS-Logik |
логика на переключателях с тока | Current Mode Logic |
логика на переключателях тока | Current Mode Logic |
логика на переключателях тока | stromgesteuerte Logik |
логика на полевых транзисторах | FET-Logik |
логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direkt gekoppelte FET-Logik |
логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | Direct-Coupled FET Logic |
логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direktgekoppelte FET-Logik |
логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL |
логика на токовых повторителях | CFL |
логика на трансфлюксорах | MAD-Logik |
логика на эмиттерных повторителях | Emitter-Follower Logic |
логика на эмиттерных повторителях | Emitterfolgerlogik |
малосигнальный высокочастотный режим работы транзистора при малых сигналах на высокой частоте | Kleinsignal-HF-Betrieb |
межсоединение на кристалле | On-Chip-Verbindung |
межсоединения на металлизационной системе "силицид на поликремнии" | Polycid-Leitbahnen |
меню, высвечиваемое на экране дисплея | Bildschirmmenü |
метод автоматизированной сборки ИС на гибком ленточном носителе | Filmbondingverfahren |
метод автоматизированной сборки ИС на гибком ленточном носителе | automatisches Folienbondverfahren |
метод автоматического совмещения электронного луча с реперными знаками на пластине | Elektronenstrahljustierverfahren (при электронно-лучевом экспонировании) |
метод локального оксидирования кремния на сапфире | Local Oxydation of Silicon on Sapphire process |
метод локального оксидирования кремния на сапфире | Local Oxydation of Silicon on Sapphire process KHC |
метод локального оксидирования кремния на сапфире | LOSOS |
метод локального оксидирования кремния на сапфире | LOSOS-Technik |
метод монтажа бескорпусных ИС на керамической подложке увеличенных размеров | COB |
метод монтажа бескорпусных ИС на керамической подложке увеличенных размеров | COB-Technik |
метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | COB |
метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | COB-Technik |
метод монтажа бескорпусных ИС непосредственно на плате | Chips On Board |
метод проектирования БИС на основе БМК | Universalschaltkreistechnik |
метод проектирования БИС на основе БМК | Master-Slice-Technik |
метод проектирования на основе библиотеки макроэлементов | Makrozellenentwurf (и макроячеек) |
метод экспонирования на микрозазоре | Proximity-Verfahren |
метод экспонирования на микрозазоре | Abstandsverfahren |
метод экспонирования на микрозазоре | Abstandsbelichtungsverfahren |
механизм рекомбинации на ловушках | Haftstellenmechanismus |
многослойная печатная плата на полиимидной плёнке | Polyimidmehrlagenleiterplatte |
моделирование на ЭВМ | Rechneranalyse |
моделирование на ЭВМ | Rechnersimulation |
моделирование на ЭВМ | Computersimulation |
модуляция на малой мощности | Vorstufenmodulation |
мозаика на полупроводнике | Halbleitermosaikelektrode |
мозаика на полупроводнике | Halbleitermosaik |
мостовая схема на тиристорах | Thyristorbrücke (напр., усилителя) |
мощность потерь на управляющем электроде | Steuerverlustleistung (тиристора) |
мощность, рассеиваемая на коллекторе | Kollektorverlustleistung |
мощность, рассеиваемая на переходе база эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
мощность, рассеиваемая на переходе база-эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
мощность, рассеиваемая на участке коллектор эмиттер | Kollektor-Emitter-Verlustleistung |
мощность, рассеиваемая на участке коллектор-эмиттер | Kollektor-Emitter-Verlustleistung |
мощность рассеяния на коллекторе | Kollektorverlustleistung |
мощность рассеяния на эмиттере | Emitterverlustleistung |
мощность рассеяния на эмиттерном переходе | Basis-Emitter-Verlustleistung |
мощный полевой транзистор Шоттки на GaAs | GaAs-Leistungs-FET |
мощный полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия | GaAs-Leistungs-FET |
накопитель магнитном диске на ГМД | Magnetfolienspeicher |
накопитель на бегущей магнитной ленте | Tape-Streamer |
накопитель на бегущей магнитной ленте | Streamer |
накопитель на гибком магнитном диске | Magnetfolienspeicher |
накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Drive |
накопитель на гибком магнитном диске | Diskettenspeicher |
накопитель на гибком магнитном диске | Diskettenstation |
накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Laufwerk |
накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Laufwerk |
накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Drive (НГМД) |
накопитель на гибком магнитном диске | Folienspeicher |
накопитель на гибком магнитном диске | Floppy-Disk-Speicher |
накопитель на гибком магнитном диске | Diskettenlaufwerk |
накопитель на гибком магнитном микродиске | Mikrofloppy-Laufwerk |
накопитель на гибком магнитном микродиске | Mikro-Floppy-Disk-Laufwerk |
накопитель на гибком магнитном минидиске | Minifloppy-Laufwerk |
накопитель на гибком магнитном минидиске | Mini-Floppy-Disk-Laufwerk |
накопитель на гибком магнитном мини-диске | Minifloppy-Laufwerk |
накопитель на гибком магнитном мини-диске | Mini-Floppy-Disk-Laufwerk |
накопитель на ГМД | Magnetfolienspeicher |
накопитель на ЖМД | Festplattenspeicher |
накопитель на жёстком магнитном диске | Festplattenlaufwerk |
накопитель на жёстком магнитном диске | Hard-Disk-Laufwerk |
накопитель на жёстком магнитном диске | Festplattenspeicher |
накопитель на жёстком магнитном диске | Festplatte |
накопитель на жёстком магнитном диске | Festplattenspeicher |
накопитель на жёстком магнитном диске | Magnetplattenspeicher |
накопитель на жёстком минидиске | Mini-Hard-Disk-Laufwerk |
накопитель на жёстком мини-диске | Mini-Hard-Disk-Laufwerk |
накопитель на компакт-диске | Compact-Disk ROM |
накопитель на компакт-диске | CD-ROM |
накопитель на магнитном диске с фиксированными головками | Festkopfplattenspeicher |
накопитель на микродиске | Mikrolaufwerk |
накопитель на микродискете | Mikrodiskettenlaufwerk |
накопитель на минидиске | Minilaufwerk |
накопитель на мини-диске | Minilaufwerk |
накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
наносить риски на поверхность пластины | einritzen |
наносить царапины на поверхность пластины | einritzen |
область формирования рисунка на подложке | Substratschreibfläche |
обратное напряжение на коллекторном переходе | Kollektorsperrspannung |
обратное напряжение на коллекторном переходе | Basis-Kollektor-Sperrspannung |
обратное напряжение на управляющем электроде | Rückwärtssteuerspannung (тиристора) |
обратный ток утечки через эмиттерный или коллекторный переход биполярного транзистора при холостом ходе на выходе или на входе | Leerlaufreststrom |
одновибратор на КМОП-транзисторах | monostabiler CMOS-Multivibrator |
однополюсный переключатель на два направления | SPDT-Schalter |
однополюсный переключатель на одно направление | SPST-Schalter |
операционный усилитель на КМОП-транзисторах | CMOS-Operationsverstärker |
операционный усилитель на КМОП-транзисторах | CMOS-OPV |
операционный усилитель на кремниевом кристалле | Si-Op-Amp |
организация памяти с разбиением на банки | Speicherbankaufteilung |
организация памяти с разбиением на банки | Bankeinteilung |
ориентированный на использование в составе автоматизированного рабочего места | arbeitsplatzorientiert |
отношение сигнал/шум на входе | Eingangsrauschabstand |
отношение сигнал/шум на выходе | Ausgangsrauschabstand |
отпирающее напряжение на управляющем электроде | Zündspannung (тиристора) |
отпирающее напряжение на управляющем электроде | Steuerspannung (тиристора) |
отпирающее напряжение на управляющем электроде | Einschaltspannung (тиристора) |
падение напряжения на обеднённом слое | Spannungsabfall über der Sperrschicht |
падение напряжения на области распределённого сопротивления | Bahnspannungsabfall |
падение напряжения на участке эмиттер-база | Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke |
падение напряжения на эмиттерном переходе | Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke |
переключательный элемент на основе эффекта сверхпроводимости | Supraleitungsschaltelement |
переходная плата SMD на DIP | SMD Adapterplatine SOT23/ SOP/ MSOP auf DIP (Olexi) |
ПЗУ на ЦМД | Festwert-Domänenspeicher |
подгонка номиналов резисторов непосредственно на кристалле ИС | On-Chip-Trimmen |
подложка со структурой типа "кремний на сапфире" | SOS-Substrat |
полировка на стальной плите | Polieren auf Stahlplatte |
полупроводник на основе полупроводникового соединения | Verbindungshalbleiter |
полупроводниковый прибор на сверхрешётке | Übergitterbaustein |
прибор Ганна на GaAs | Galliumarsenid-Gunnelement |
прибор Ганна на арсениде галлия | Galliumarsenid-Gunnelement |
прибор на GaAs | GaAs-Bauelement |
прибор на арсениде галлия | GaAs-Bauelement |
прибор на магнитостатических волнах | MSW-Bauelement |
прибор на многоквантовых ямах | MQW-Bauelement |
прибор на n-МОП-структуре | NMOS-Bauelement |
прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement |
прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement NMOS-Bauelement |
прибор на основе доменов сильного поля | Hochfelddomänenbauelement |
прибор на ПАВ | akustisches Oberflächenwellenbauelement |
прибор на ПАВ | SAW-Bauelement |
прибор на ПАВ | SAW-Element |
прибор на ПАВ | AOW-Bauelement |
прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Element |
прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Bauelement |
прибор на поверхностных акустических волнах | akustisches Oberflächenwellenbauelement |
прибор на поверхностных акустических волнах | SAW-Bauelement |
прибор на поверхностных акустических волнах | AOW-Bauelement |
прибор на поверхностных акустических волнах | SAW-Element |
прибор на стеклообразном полупроводнике | Glashalbleiterbauelement |
прибор на эффекте Ганна | Transfer-Element |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Transferred Electron Device |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferelement |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | TED |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferbauelement |
прибор на эффекте Холла | Hall-Element |
приборы на GaAs | GaAs-Technik |
приборы на арсениде галлия | GaAs-Technik |
присоединение кристаллов к паучковым выводам кристаллодержателя на гибком ленточном носителе | Spinnenbonden (микропайкой или ультразвуковой сваркой) |
пробивное напряжение на коллекторе | Kollektordurchbruchsspannung |
произведение ширины полосы на дальность действия | Bandbreite-Reichweite-Produkt (параметр световода) |
произведение ширины полосы на дальность действия | Bandbreite-Reichweite-Produkt Bandbreite-Länge-Produkt (параметр световода) |
произведение ширины полосы на дальность действия | Bandbreite-Länge-Produkt (параметр световода) |
протяжка бумаги на одну строку | Zeilenvorschub |
процессы рассеяния носителей заряда на акустических колебаниях решётки | Phononenprozesse (с поглощением фононов) |
процессы рассеяния носителей заряда на тепловых колебаниях решётки | Phononenprozesse (с поглощением фононов) |
прочность на излом | Bruchfestigkeit |
прочность контактного соединения на отрыв | Bondzugfestigkeit |
прочность на пробой | Durchbruchsfestigkeit |
прочность на пробой | Durchbruchfestigkeit |
прочный на пробой | spannungsfest |
прямое напряжение на управляющем электроде | Vorwärtssteuerspannung (тиристора) |
разбиение памяти на банки | Speicherbankaufteilung |
разбиение памяти на банки | Bankeinteilung |
разделение полупроводниковой пластины на кристаллы | Chipzerteilung |
разделение полупроводниковой пластины на кристаллы | Chipvereinzelung |
разряд на постоянном токе | Gleichstromentladung |
рассеяние на акустических фононах | Streuung an akustischen Phononen |
рассеяние на дислокациях | Streuung an Versetzungen |
рассеяние на ионизированных атомах легирующей примеси | Streuung durch ionisierte Dotieratome |
рассеяние на ионизированных примесных атомах | Streuung an ionisierten Störstellen |
рассеяние на ионизированных примесях | Streuung an ionisierten Störstellen |
рассеяние на ионизованных примесях | Streuung an ionisierten Störstellen |
рассеяние на колебаниях атомов решётки | Streuung an Gitterschwingungen |
рассеяние на колебаниях атомов решётки | Gitterstreuung |
рассеяние на примесных атомах | Streuung an Fremdatomen |
рассеяние на примесных центрах | Störstellenstreuung |
рассеяние на примесях | Störstellenstreuung |
рассеяние на примесях | Streuung an Störstellen |
рассеяние на решётке | Gitterstreuung |
рассеяние на тепловых колебаниях | Streuung an Wärmeschwingungen |
рассеяние на тепловых колебаниях | Streuung an Gitterschwingungen |
рассеяние на тепловых колебаниях решётки | Streuung an Phononen |
рассеяние на тепловых колебаниях решётки | Streuung an akustischen Phononen |
рассеяние на тепловых колебаниях решётки | Streuung an Gitterschwingungen |
рассеяние носителей заряда на акустических колебаниях решётки | Phononenstreuung |
рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях решётки | Phononenstreuung |
расщепление на подуровни | Aufspaltung in Unterniveaus |
реакция на дельта-воздействие | Stoßantwort (на входе) |
реакция на импульсное воздействие | Impulsantwort |
реакция на линейно нарастающее воздействие | Rampenantwort (на входе) |
реакция на линейно нарастающее воздействие | Anstiegsantwort (на входе) |
реакция на ступенчатое воздействие | Sprungantwort (на входе) |
режим захвата шины на один цикл | Vorrangmodus (одним из внешних устройств микропроцессорной системы для ввода-вывода данных в режиме прямого доступа к основной памяти) |
резист на основе плёнки Лэнгмюра Блодже | Langmuir-Blodgett-Resist |
резист на основе плёнки Лэнгмюра-Блодже | Langmuir-Blodgett-Resist |
рекомбинация на дефектах | Störstellenrekombination |
рекомбинация на дефектах | Rekombination an Defekten |
рекомбинация на ловушках | indirekte Rekombination |
рекомбинация на поверхностных состояниях | Oberflächenrekombination |
рекомбинация на поверхностных состояниях | Rekombination an Oberflächenzuständen |
СБИС, сформированная на целой полупроводниковой пластине | WSI-Schaltung |
СБИС, сформированная на целой полупроводниковой пластине | Ganzscheibenschaltkreis |
СБИС-компонент на КМОП-транзисторах | CMOS-VLSI-Baustein |
сборка и монтаж кристаллов в кристаллодержатели с паучковыми выводами на гибком ленточном носителе | Spinnenmontage |
сборка ИС на гибком ленточном носителе | Folienbonden |
сборка компонентов для поверхностного монтажа на плате | SMD-Montage |
сборка на компонентах поверхностного монтажа | Surface Mounted Assembly |
светоизлучающий диод на GaP | Galliumphosphid-LED |
светоизлучающий диод на GaAs | GaAs-Lumineszenzdiode |
светоизлучающий диод на арсениде галлия | GaAs-Lumineszenzdiode |
светоизлучающий диод на фосфиде галлия | Galliumphosphid-LED |
светоизлучающий светодиод на GaP | Galliumphosphid-LED |
светоизлучающий светодиод на GaAs | GaAs-Lumineszenzdiode |
светоизлучающий светодиод на арсениде галлия | GaAs-Lumineszenzdiode |
светоизлучающий светодиод на фосфиде галлия | Galliumphosphid-LED |
СИД на GaP | Galliumphosphid-LED |
СИД на GaAs | GaAs-Lumineszenzdiode |
система записи на видеокассете | VCR-System |
система на основе интегральных микросхем | integriertes System |
система на основе интегральных элементов | integriertes System |
система одновременной записи цифровых сигналов на параллельных дорожках | Stationary head DAT |
система, основанная на использовании знаний | wissensbasiertes System |
смеситель на полевых транзисторах | FET-Mischer |
смеситель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах с диодом Шоттки | Schottky-FET-Mischer |
смеситель на туннельном диоде | Tunneldiodenmischer |
совокупность интегральных структур, сформированных на полупроводниковой пластине | Waferverband |
состояние на поверхности раздела | Grenzflächenzustand |
состояния на границе | Grenzflächenzustände |
состояния на поверхности раздела | Grenzschichtzustände (двух полупроводниковых кристаллов) |
состояния на поверхностях раздела | Zwischenschichtzustände |
состояния на поверхностях раздела | Grenzflächenzustände |
спад коэффициента усиления 6 дБ на октаву | 6dB/Oktave-Abfall |
среднее время наработки на отказ | mittlere Zeit zwischen zwei Störungen |
средняя наработка на отказ | mittlerer Ausfallabstand |
средняя наработка на отказ | mittlerer Abstand zwischen zwei Ausfällen |
средняя наработка на отказ | MTBF-Wert |
средняя наработка на отказ | Mean Time Between Failures |
средняя наработка на отказ | mittlere Zeit zwischen zwei Störungen |
средняя наработка на отказ | mittlere Betriebsdauer |
статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базы | Spannungsübertragungskennlinie (в схеме с общим эмиттером) |
статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы | Spannungsübertragungskennlinie (в схеме с общим эмиттером) |
статическое ЗУПВ на ВПЭ-транзисторах | HEMT-SRAM |
статическое ЗУПВ на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-SRAM |
схема в базисе логики на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL-Schaltung |
включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtontransistor |
включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtonpaar |
схема на биполярной микроматрице | bipolarer Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
схема на дискретных элементах | Schaltung mit diskreten Bauelementen |
схема на криотронах | Kryotronschaltung |
схема на МОП-микроматрице | MOS-Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
схема на ПЗИ | Ladungsinjektionsschaltung |
схема на ПЗС | Ladungskopplungsschaltung |
схема на полосковых линиях | Streifenleiternetzwerk |
схема на ППЗ | Ladungstransferschaltung |
схема на ППЗ | Ladungsverschiebungsschaltung |
схема на ППЗ | Ladungssverschiebeschaltung |
схема на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
схема с многопетлевой обратной связью и замыканием всех петель на вход схемы | FLF-Schaltung |
схема сдвига на произвольное число битов | Barrel-Schifter |
схема сдвига на произвольное число позиций | Barrel-Schifter |
схема сдвига на произвольное число разрядов | Barrel-Schifter |
индикаторное табло на жидких кристаллах | Flüssigkristallanzeigetafel |
телевизионная передающая камера на ПЗС | CCD-Matrixkamera |
телевизионная передающая камера на ПЗС | CCD-Kamera |
телевизионная передающая камера с матричным формирователем видеосигналов на ПЗС | CCD-Matrixkamera |
терминал с выводом на печать | druckendes Terminal |
терминал с устройством отображения информации на ЭЛТ | CRT-Terminal |
технологический контроль непосредственно на линии | Online-Kontrolle |
трёхуровневый квантовый генератор на твёрдом теле | Drei-Niveau-Festkörpermaser |
усилитель на объёмных акустических волнах | akustoelektronischer Verstärker mit Volumenwellen |
усилитель на объёмных акустических волнах | Volumenwellenverstärker |
усилитель на ПАВ | akustoelektronischer Verstärker mit Oberflächenwellen |
усилитель на ПАВ | SAW-Verstärker |
усилитель на ПАВ | Oberflächenwellenverstärker |
усилитель на паре Дарлингтона | Darlington-Verstärker |
усилитель на паре Дарлингтона в цепи коллектора | Darlington-Kollektorverstärker |
усилитель на плате | Leiterplattenverstärker |
усилитель на поверхностных акустических волнах | akustoelektronischer Verstärker mit Oberflächenwellen |
усилитель на поверхностных акустических волнах | Oberflächenwellenverstärker |
усилитель на ППЗ | Ladungsverschiebeverstarker |
усилитель на приборе Ганна | Gunn-Verstärker |
усилитель на приборе Ганна | Elektronentransferverstärker |
усилитель на тонкоплёночных ИС | Dünnschichtverstärker |
усилитель на фотодиодах | Fotodiodenverstärker |
усилитель, расположенный на кристалле | On-Chip-Verstärker |
усилитель, расположенный на плате | Leiterplattenverstärker |
усилитель-формирователь на КМОП-транзисторах | CMOS-Treiber |
усилитель-формирователь на объединительной плате | Backplane-Treiber |
усилитель-формирователь, расположенный на объединительной плате | Backplane-Treiber |
установившийся ток короткого замыкания на выходе | Ausgangsdauerkurzschlussstrom |
формирование БИС на целой полупроводниковой пластине | Wafer Scale Integration |
формирование БИС на целой полупроводниковой пластине | Ganzscheibenintegration |
формирование изображений на фотошаблонах | Primärstrukturerzeugung |
формирование изображения с помощью сканирующего электронного луча непосредственно на пластине | Elektronenstrahldirektschreiben |
формирование изображения с помощью сканирующего электронного луча непосредственно на шаблоне | Elektronenstrahldirektschreiben |
формирование микрорельефа на поверхности полупроводниковой пластины | Waferstrukturierung |
формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | Wafer Scale Integration |
формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | WSI |
формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | Scheibenintegration |
формирование СБИС на целой полупроводниковой пластине | Ganzscheibenintegration |
формирователь видеосигналов на МОП-структуре | MOS-Bildsensor |
формирователь видеосигналов на ПЗИ | Ladungsinjektions-Bildwandler |
матричный формирователь видеосигналов на ПЗИ | CID-Bildsensor |
формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Bildwandler |
формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Sensor |
матричный формирователь видеосигналов на ПЗС | ladungsgekoppelter Bildsensor |
формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Bildsensor |
формирователь видеосигналов на ПЗС | CCD-Bildaufnehmer |
матричный формирователь видеосигналов на ПЗС с кадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
формирователь видеосигналов на ПЗС с МОП-структурой | CCD-MOS-Bildsensor |
матричный формирователь видеосигналов на ПЗС с покадровым переносом зарядов | FT-CCD-Sensor |
формирователь видеосигналов на фото-ПЗИ | Charge Image Device |
матричный формирователь видеосигналов на фото-ПЗИ | Charge Injection Device |
матричный формирователь видеосигналов на фото-ПЗИ | CID-Element |
формирователь видеосигналов на фото-ПЗС | Fotowandler |
формирователь видеосигналов на фото-ПЗС | Fotokonverter |
фотолитография на микрозазоре | Quasikontaktlithografie |
цифровая ИС на GaAs | digitale GaAs-Is |
цифровая ИС на арсениде галлия | digitale GaAs-Is |
цифровая ИС на арсениде галлия | digitale Galliumarsenid-IS |
шум на входе | Rauscheinströmung |
шум на входе при коротком замыкании на эмиттерном и коллекторном диодах | Kurzschlussrauscheinström-ung (биполярного транзистора) |
шум на входе при коротком замыкании на эмиттерном и коллекторном диодах | Kurzschlussrauscheinstromung (биполярного транзистора) |
ЭВМ на криогенных элементах | Kryorechner |
ЭВМ на основе клеточной логики | Zellenrechner |
ЭВМ на основе регулярной логики | Zellenrechner |
экран на супертвистнематических жидких кристаллах | Supertwist-LCD-Bildschirm |
экран на супертвистнематических жидких кристаллах | Supertwist-Flüssigkristall-Bildschirm |
экран, разделённый на области | geteilter Bildschirm |
экспонирование на микрозазоре | Proximity-Belichtung |
экспонирование непосредственно на пластине | Direktbelichtung |
экспонирование фоторезиста на полупроводниковой пластине | Waferbelichtung |
электроннолучевая установка для непосредственного формирования изображения на пластине | Elektronenstrahldirektschreiber |
электронно-лучевая установка для непосредственного формирования изображения на шаблоне | Elektronenstrahldirektschreiber |
электроннолучевая установка для непосредственного формирования изображения на шаблоне | Elektronenstrahldirektschreiber |
электронно-лучевое экспонирование с непосредственным формированием топологии на пластине | Elektronenstrahldirektbelichtung |
электронолитография с непосредственным формированием топологии на пластине | direktschreibende Elektronenstrahllithografie |
электронолитография с непосредственным формированием топологии на шаблоне | direktschreibende Elektronenstrahllithografie |
элемент И НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NAND-Gatter |
элемент ИЛИ НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NOR-Gatter |
элемент на ВПЭ-транзисторах | HEMT-Bauelement |
элемент на основе стеклообразного полупроводника | Glashalbleiterbauelement |
элемент на основе туннельного эффекта | Tunnelelement |
элемент на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-Bauelement |
элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Feldeffekttransistor mit dielektrischer Doppelschicht |
элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | DDC |
элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Dual Dielectric Charge storage |
эмиттерный повторитель на комплементарных транзисторах | Komplementär-Emitterfolger |
эмиттерный повторитель на паре Дарлингтона | Darlington-Emitterfolger |
запоминающая ячейка двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
ячейка на МОП-структурах | MOS-Zelle |