Terms for subject Microelectronics containing МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения

Russian	German
n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения	n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor
КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки	komplementärer Depletion-Load-Inverter
МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения	Deep-Depletion-MOS-Transistor
МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения	MOS-Transistor vom Verarmungstyp
МОП-транзистор во встроенным каналом, работающий в режиме обеднения	Verarmungs-MOSFET
МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения	MOSFET vom Verarmungstyp
МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения	Depletion-MOSFET
МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения	Depletion Load Transistor
МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения	p-Kanal-Verarmung-MOS-FET