| Subject | Russian | German |
| microel. | Би-МОП ИС | MOSBi |
| microel. | Би-МОП ИС | BIMOS |
| microel. | Би-МОП ИС | BIMOS-IC |
| microel. | высоковольтная МОП ИС | integrierter Hochspannungs-MOS-Schaltkreis |
| microel. | высоковольтная МОП ИС | integrierte Hochspannungs-MOS-Schaltung |
| microel. | высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| el. | высококачественные МОП ИС | High-Performance MOS |
| microel. | высококачественные МОП ИС | HMOS-Technik |
| microel. | высококачественные МОП ИС | HMOS |
| microel. | ЗУ на МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Speicher |
| microel. | комплементарная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire Complementary Metal-Oxide-Semiconductor |
| el. | кремниевая МОП ИС | Silizium-MOS-Schaltung |
| el. | лавинно-инжекционная МОП ИС с многоуровневым затвором | Stacked gate Avalanche injection MOS |
| microel. | логические МОП ИС с углублёнными нагрузочными транзисторами | Buried-Load Logic MOS |
| microel. | логические МОП ИС с углублёнными нагрузочными транзисторами | BL2MOS |
| microel. | масштабированная МОП ИС | skalierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины | Scaled-down MOS |
| microel., BrE | масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины | Small MOS |
| microel. | масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины | SMOS |
| microel. | МОП ИС | MOS-Schaltung |
| microel. | МОП ИС | MOS-IG-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС | integrierte Schaltung in MOS-Technik |
| microel. | МОП ИС | integrierte Schaltung mit MOS-Strukturen |
| microel. | МОП ИС | integrierte MOS-Schaltung |
| microel. | МОП ИС | integrierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС | MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС | MOS-Baustein |
| microel. | МОП ИС | MOS-IC |
| microel. | МОП ИС | MOS-IS |
| microel. | МОП ИС | MOS-Bauelement |
| microel. | МОП ИС на сапфире | integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik |
| microel. | МОП ИС на сапфире | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфире | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке | integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затвором | Doppel-Poly-Si-Gate-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | Gate-Injection MOS |
| microel. | МОП ИС с комплементарными структурами | integrierter MOS-Schaltkreis mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС с комплементарными структурами | integrierte MOS-Schaltung mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | MOS-SGT-Schaltkreis |
| brit. | МОП ИС с самосовмещённым затвором | Self-Aligned Gate MOS |
| microel. | МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | HDMOS |
| microel. | МОП ИС, усиленные биполярными элементами | BeMOS |
| microel. | однотипные МОП ИС | Einkanal-MOS-Schaltkreise (с каналом или n-типа, или р-типа) |
| microel. | однотипные МОП ИС | Einkanal-MOS (с каналом или n-типа, или р-типа) |
| microel. | система разработки МОП ИС | MOS Implementation System |
| el. | специализированная МОП ИС | Metal-Oxide-Semiconductor-ASIC |
| microel. | специализированная МОП ИС | MOS-ASIC |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS-Technik |
| microel., BrE | технология высококачественных МОП ИС | High-Performance MOS |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technologie |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technik |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | HMOS |
| microel. | технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | Ion-Implanted MOS |
| microel. | технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | IIMOS |
| microel. | технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| microel. | технология p-канальных МОП ИС | PMOS-Technik |
| microel. | технология p-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС | n-MOS-Technik |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС | NMOS-Technik |
| microel. | технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silicongate-Technologie |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Si-Gate-Technik |
| el. | технология кремниевых МОП ИС | Silizium-MOS-Technik |
| el. | технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворами | SAMOS-Technik |
| el. | технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворами | Stacked gate Avalanche injection MOS |
| microel., BrE | технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Small MOS |
| microel. | технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Scaled-down MOS |
| microel., BrE | технология МОП ИС | Bipolar-enhanced MOS |
| microel. | технология МОП ИС | BeMOS |
| el. | технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами | Zweiebenen-Polysiliziumtechnik |
| microel., BrE | технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS |
| microel. | технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с молибденовыми затворами | Molybdäntortechnik |
| microel. | технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворами | Molybdan-Gate-SAG |
| el. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-MOS |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | E/D-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS |
| el. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-MOS |
| el. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-Graben-MOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technologie |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMIS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-groove MOS |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | Vertical MOS |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-Graben-MOS-Technologie |
| microel. | технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затвором | Single-Poly-Si-Gate-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Silicon-Gate-Technik |
| microel., BrE | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Silicon Gate Technology |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT-MOS |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Si-Gate-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumgatetechnologie |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT |
| microel. | технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Verfahren |
| microel. | технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | D-MOS |
| el. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | SAMOS-Technik |
| el. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | Self-Registered Gate-Technik |
| brit. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | Self-Aligned Gate MOS |
| microel. | технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем | SATO-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | Poly-Si-Gate-SAG |
| microel. | технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | Local Oxydation of Silicon |
| microel. | технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS-Verfahren |
| microel. | технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS |
| microel. | технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | High-performance Double-density MOS |
| microel. | технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | HDMOS |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS |
| brit. | технология МОП ИС со скрытым оксидом | Buried Oxide MOS |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | Buried Oxide MOS |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
| microel. | технология МОП ИС, усиленных биполярными элементами | Bipolar-enhanced MOS |
| microel. | технология мощных МОП ИС фирмы "Сименс" | SIPMOS |
| microel. | технология р-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| microel. | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie |
| microel. | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| microel. | технология усовершенствованных МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Technik |
| microel. | усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | Metal Oxide Silicon Advanced IC |
| microel. | усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Schaltung |
| microel. | усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | Advanced Polysilicon Self-Aligned |
| microel. | усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | APSA |
