| Subject | Russian | German |
| microel. | n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| microel. | n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| microel. | n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| microel. | n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MIS-Transistor |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MISFET |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Transistor vom Anreicherungstyp |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-IFET |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-MISFET |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungstyp |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps |
| microel. | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-FET |
| microel. | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| microel. | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| microel. | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| microel. | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| microel. | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
