| Russian | German |
| вертикальный МДП-транзистор | VMIS-Transistor |
| запоминающая ячейка на МДП-транзисторах | MIS-Flipflop-Speicherzelle |
| инвертор на МДП-транзисторах | MIS-Inverter |
| p-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| n-канальный МДП-транзистор | n-Kanal-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| комплементарный МДП-транзистор | CMIS-Transistor |
| V-МДП-транзистор | VMIS-Transistor |
| МДП-транзистор | Insulated Gate Field-Effect Transistor |
| МДП-транзистор | IFET |
| МДП-транзистор | Metal Insulator Silicon Field-Effect Transistor |
| МДП-транзистор | integrierter MIS-Transistor |
| МДП-транзистор | MISFET |
| МДП-транзистор | Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode |
| МДП-транзистор | IGFET |
| МДП-транзистор | Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор | Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate |
| МДП-транзистор | Isolierschicht-Feldeffekttransistor |
| МДП-транзистор | EFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungstyp-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Transistor vom Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Feldeffekttransistor des Verarmungstyps |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-FET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Transistor vom Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-IFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с изолирующим подзатворным слоем А12О3 | Metal Alumina Silicon FET |
| МДП-транзистор с изолирующим подзатворным слоем Al2О3 | MASFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Anreicherungs-IFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с каналом p-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с нижним затвором | Backgate-MISFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Transistor vom Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Verarmungstyp-IFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Feldeffekttransistor des Verarmungstyps |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Depletion-FET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Transistor vom Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungs-IFET |
| МДП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMIS-Transistor |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MIS-FET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-FET |
| нагрузочный МДП-транзистор | IGFET-Lastwiderstand |
| нагрузочный МДП-транзистор | IFET-Lastwiderstand |
| р-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-MISFET |
| р-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| технология ИС на однотипных МДП-транзисторах | Einkanaltechnik (с каналом или n-типа, или р-типа) |
| технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | R/MIS-Verfahren |
| технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | RMIS-Verfahren |
| технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов | RMIS-Technik |
| тонкоплёночный МДП-транзистор | Dünnschicht-MISFET |
