| Russian | English |
| обнаружительная способность излучения с длиной волны 5,3 мкм, частотой модуляции 800 Гц и шириной полосы 1 Гц | detectivity (5,3 μm, 800, 1) |
| 500 °К, 800, 1 обнаружительная способность излучения чёрного тела с температурой 500 °К, частотой модуляции 800 Гц и шириной полосы 1 Гц | detectivity |
| полупроводник с изменяемой шириной запрещённой зоны | adjustable-bandgap semiconductor |
| полупроводник с изменяющейся шириной запрещённой зоны | graded-gap semiconductor |
| полупроводниковый лазер с изменяющейся в поперечном направлении шириной запрещённой зоны | transversely adjusted gap laser |
| с ограниченной шириной полосы | bandwidth-limited (частот) |
| с переменной шириной запрещённой зоны | graded-gap |
| система с ограниченной шириной полосы | bandlimited system |
| 500 ° К, 800, 1 чувствительность к излучению абсолютно чёрного тела с температурой 500° К, промодулированному с частотой 800 Гц, и с шириной полосы 1 Гц | responsivity |
| чувствительность к излучению с длиной волны 5, 3 мкм, промодулированному с частотой 800 Гц, и с шириной полосы 1 Гц | responsivity (5,3 μm, 800, 1) |
