| Russian | English |
| аппаратура для полевых испытаний | field-test facilities |
| арсенид-галлиевый полевой транзистор | GASFET (ssn) |
| биполярный полевой транзистор с отрицательным сопротивлением | nesistor |
| буферизованные логические схемы на полевых транзисторах | bufferized field logic |
| буферный полевой транзистор | buffered FET (ssn) |
| восстановление постоянной составляющей с управлением полевыми синхроимпульсами | vertical clamping |
| вход полевого транзистора | field effect transistor input (ssn) |
| вход полевого транзистора | FET input (ssn) |
| входной полевой транзистор | fet input |
| выключатель на полевом транзисторе | FET switch (buraks) |
| выходной каскад блока полевой развёртки | vertical amplifier |
| выходной каскад блока полевой развёртки | deflection amplifier |
| выходной усилительный каскад блока полевой развёртки | deflection amplifier |
| выходной каскад блока строчной или полевой развёртки | deflection amplifier |
| выходной усилительный каскад блока полевой | deflection amplifier |
| выходной усилительный каскад блока полевой развёртки | vertical amplifier |
| выходной усилительный каскад блока строчной или полевой | deflection amplifier |
| гашение обратного хода луча при полевой развёртке | vertical suppression (ssn) |
| гашение обратного хода луча при полевой развёртке | vertical blanking |
| гашение обратного хода полевой развёртки | vertical blanking |
| гашение обратного хода полевой развёртки | frame blanking |
| генератор полевой развёртки | vertical time base |
| генератор полевой развёртки | field time base |
| датчик ИК-излучения на полевом транзисторе | infrared FET |
| двухзатворный полевой МОП-транзистор | dual-gate MOSFET |
| двухзатворный полевой транзистор | dual-gate field-effect transistor |
| двухзатворный полевой транзистор | double-gate FET |
| двухзатворный полевой транзистор | two-gate FET |
| двухзатворный полевой транзистор | double-gate field-effect transistor |
| Джозефсоновский полевой транзистор | Josephson FET |
| жидкий кристалл с полевым эффектом | field effect mode liquid crystal |
| жидкокристаллический управляемый транспарант на полевом эффекте | LC field-effect SLM |
| зарядовый полевой транзистор | charge field-effect transistor (в нем большая часть металла затвора заменена тонкой полимерной плёнкой со сравнительно высоким сопротивлением) |
| интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах | bipolar-fet integrated circuit |
| интегральная схема усилителя на биполярных и полевых транзисторах | bi-fet amplifier |
| ионно-имплантированный полевой транзистор | ion-implanted fet |
| ионно-селективный полевой транзистор | ion-sensitive field-effect transistor |
| ИС на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами | bipolar-insulated gate fet ic |
| ИС на комплементарных полевых МОП транзисторах с изолированным затвором | complementary insulated gate FET |
| ИС на полевых транзисторах | unipolar IC |
| ИС на полевых транзисторах работающих в режиме обеднения | depletion-mode integrated circuit |
| ИС на полевых транзисторах, работающих в режиме обогащения | enhancement-mode integrated circuit |
| испытание почвы в полевых условиях | in-situ soil test |
| канал полевого транзистора | field-effect transistor channel |
| канал полевого транзистора | fet channel |
| канал полевых данных | field data link (Yerkwantai) |
| n-канальный полевой транзистор | n-channel junction fet |
| комбинация полевого транзистора и биполярного фототранзистора | field effect modified transistor |
| комбинированная п / п структура на ПЗС и полевых транзисторах | charge-coupled fet |
| коммутация в полевом интервале | vertical interval switching (Видеосигнал коммутируется в определенные моменты во время межкадрового гашения обратного хода, также называемого полевым интервалом. october) |
| комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором | complementary insulated-gate fet |
| линия полевой связи | communication axis (ssn) |
| логика на полевых транзисторах | FET logic (ssn) |
| логика на полевых транзисторах с диодами Шоттки | Schottky-diode FET logic |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direct-coupled FET logic |
| логическая ИС на полевых транзисторах из GaAs с барьером Шоттки, связанных между собой также барьерами Шоттки | Schottky-barrier-coupled Schottky-barrier-gate GaAs field-effect-transistor logic |
| логическая схема на полевом МОП транзисторе со "скрытыми" слоями | buried load logic MOS |
| логические схемы на полевых транзисторах | FET logic (ssn) |
| логические схемы на полевых транзисторах | field-effect transistor logic |
| логические схемы на полевых транзисторах, работающие в режиме обеднения | depletion-mode FET logic |
| логические схемы на полевых транзисторах, работающие в режиме обеднения | buffered-FET logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с барьерами Шотки | Schottky |
| логические схемы на полевых транзисторах с диодами Шоттки | Schottky-diode FET logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с непосредственными | direct-coupled field-effect transistor logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с непосредственными связями | direct-coupled field-effect-transistor logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с ёмкостной связью | capacitor-coupled fet logic |
| логические схемы с буферными полевыми транзисторами | buffered FET logic (ssn) |
| "магнитный" полевой транзистор | magnetic FET |
| матрица полевых транзисторов | fet array |
| модель полевого транзистора с изолированным затвором и коротким каналом, разработанная Университетом Беркли | Berkeley short-channel IGFET model |
| монолитный полевой транзистор | monolithic FET |
| мощный полевой транзистор, имеющий планарную структуру и гексагональную геометрию | hexagonal field-effect transistor |
| однозатворный полевой МОП-транзистор | single-gate MOSFET |
| одноканальный полевой транзистор | single-channel field-effect transistor |
| операционный усилитель на биполярных и полевых транзисторах | bipolar-field-effect transistor operational amplifier |
| операционный усилитель на биполярных и полевых транзисторах | bi-FET operational amplifier |
| память на полевых транзисторах с p-n переходом и вертикальным каналом | static induction transistor memory (ssn) |
| пара полевой транзистор – биполярный составной транзистор | FETlington |
| ПЗС типа пожарная цепочка на полевых транзисторах | insulated-gale field-effect transistor bucket brigade |
| планарный многоканальный полевой транзистор | planar multichannel field-effect transistor |
| планарный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | planar-junction field-effect transistor |
| плоскостной полевой транзистор | junction gate field effect transistor |
| полевая измерительная аппаратура | field instrumentation |
| полевая инспекция | field inspection |
| полевая лаборатория | on-job laboratory |
| полевая отклоняющая катушка | frame-deflection coil |
| полевая пила | field tilt |
| полевая пила | field sawtooth signal |
| полевая разведка | field reconnaissance |
| полевая развёртка | frame scanning |
| полевая развёртка | vertical scanning |
| полевая развёртка | vertical sweep |
| полевая развёртка | vertical time base |
| полевая развёртка | vertical field scan |
| полевая развёртка | field time base |
| полевая РЛС обзора воздушного пространства | battlefield surveillance radar |
| полевая связь | field communication |
| полевая синхронизация | V sync |
| полевая синхронизация | vertical sync |
| полевая синхронизация | vertical synchronism |
| полевая трапеция | field keystone waveform |
| полевая эрозия | field erosion |
| полевая ёмкость | field capacity (полевого транзистора) |
| полевой аппарат | field apparatus |
| полевой диод | field effect diode |
| полевой журнал | field note |
| полевой кабель | field cable |
| полевой конденсатор | field-effect capacitor |
| полевой МДП транзистор с изолированным затвором | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой мдп-транзистор | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor |
| полевой мдп-транзистор | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой множитель | field factor |
| полевой МОП транзистор, в котором изолирующий окисел затвора получен методом анодирования | anodized MOS field effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-silicon FET |
| полевой МОП-транзистор | MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) |
| полевой МОП-транзистор | MOSFET |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide semiconductor field-effect transistor (abbr. MOSFET) |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor FET |
| полевой МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS insulated-gate field-effect transistor |
| полевой осмотр | field inspection |
| полевой пентод | pentode field-effect transistor |
| полевой работающий транзистор в режиме обеднения | depletion-type field-effect transistor |
| полевой растр | field raster |
| полевой синхроимпульс | vertical sync |
| полевой синхроимпульс | V sync |
| полевой синхроимпульс | field sync |
| полевой синхронизирующий импульс | V sync |
| полевой синхронизирующий импульс | vertical sync |
| полевой синхронизирующий импульс | field sync |
| полевой синхронизирующий сигнал | vertical sync signal |
| полевой синхронизирующий сигнал | frame sync signal |
| полевой синхросигнал | vertical sync signal |
| полевой синхросигнал | frame sync signal |
| полевой тетрод | field-effect tetrode |
| полевой тетрод с изолированным затвором | insulated-gate tetrode |
| полевой транзистор | gate-triggered diode |
| полевой транзистор | gate-controlled diode |
| полевой транзистор | fieldistor |
| полевой транзистор в корпусе с ламповым цоколем | fetron |
| полевой транзистор, в котором металлическое покрытие затвора играет роль "химической мембраны" | chemical FET |
| полевой транзистор, в котором электрод затвора заменен жидкостью | ion sensitive FET |
| полевой канальный транзистор в режиме обогащения | enchancement-type field-effect transistor |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим затвором | grounded-gate FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим затвором | common-gate FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим истоком | grounded-source FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим истоком | common-source FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим стоком | grounded-drain FET |
| полевой транзистор, включённый по схеме с общим стоком | common-drain FET |
| полевой транзистор, изготовленный методом анодирования | anodized FET |
| полевой транзистор на гетеропереходе | heterojunction FET |
| полевой транзистор на гетероструктуре с селективным легированием | selectively doped heterojunction transistor |
| полевой транзистор на гетероструктуре с селективным легированием | modulation-doped field-effect transistor |
| полевой транзистор на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor field-effect device |
| полевой транзистор на нитриде галлия | gallium-nitride FET |
| полевой транзистор на основе поликристаллического кремния | polysilicon FET |
| полевой транзистор работающий в режиме обеднения | depletion-mode fet |
| полевой транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode fet |
| полевой транзистор, работающий в режиме смыкания базового | pinched-base FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | Schottky-barrier FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | Schottky-gate FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | Schottky |
| полевой транзистор с барьером Шотки | metal-Schottky FET |
| полевой транзистор с барьером Шотки | barrier-gate fet |
| полевой транзистор с барьером Шотки работающий в режиме обеднения | depletion metal-schottky fet |
| полевой транзистор с барьером Шоттки | Schottky-barrier field-effect transistor |
| полевой транзистор с барьером Шоттки | metal-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор с барьером Шоттки | metallized semiconductor FET |
| полевой транзистор с вертикальной геометрией | vertical field-effect transistor |
| полевой транзистор с встроенным каналом | internal-channel FET |
| полевой транзистор с встроенным каналом | internal-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с двумя управляющими p-n-переходами | two-junction FET |
| полевой транзистор с длинным затвором | long gate length field-effect transistor (ssn) |
| полевой транзистор с длинным затвором | long gate length field effect transistor (ssn) |
| полевой транзистор с длинным затвором | long gate length FET (ssn) |
| полевой транзистор с запирающим слоем и накоплением зарядов | charge storage junction FET |
| полевой транзистор с затвором в виде V-образной канавки | V-groove FET |
| полевой транзистор с затвором на гетеропереходе | heterojunction-gate FET |
| полевой транзистор с затвором, образованным барьером Шоттки | metallized semiconductor FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | metal-Schottky gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | Schottky |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | Schottky-gate FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | Schottky-barrier FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | metal-Schottky FET |
| полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки | barrier-gate FET |
| полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения | enhancement metal schottky gate fet |
| полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения | enhancement metal schottky fet |
| полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения | enhancement-type schottky-barrier gate fet |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-oxide-silicon FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором | metal-oxide-semiconductor FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором | isolated-gate fet |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | p-channel depletion insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | p-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | n-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и каналом | n-channel depletion insulated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором и нитридным изолирующим слоем | metal-nitride-semiconductor/insulated gate FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором, работающий | enhancement-type field-effect insulated-gate transistor |
| полевой транзистор с изолированным затвором в виде барьера Шотки | Schottky-barrier isolated-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором | silicon insulated gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с индуцированным каналом | induced-channel FET |
| полевой транзистор с индуцированным каналом | induced-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом на эпитаксиальном коллекторном | collector field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом на эпитаксиальном коллекторном слое | collector FET |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом p-типа | p-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом n-типа | electron-conducting field-effect transistor |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-channel fet |
| полевой транзистор с каналом n-типа | electron-conducting FET |
| полевой транзистор с каналом p-типа | hole-conducting field-effect transistor |
| полевой транзистор с канальной инжекцией | channel-injection FET |
| полевой транзистор с коротким затвором | short-gate FET |
| полевой транзистор с коротким затвором | short-gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с коротким каналом | short-channel FET |
| полевой транзистор с металлическим затвором | metal-gate transistor |
| полевой транзистор с многослойным затвором | multilayer-gate FET |
| полевой транзистор с многослойным затвором | multilayer-gate transistor |
| полевой транзистор с модулированным легированием | modulation doped FET |
| полевой транзистор с модулированным легированием | MOD FET |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk FET |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk-channel FET |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с объёмным каналом | bulk field-effect transistor |
| полевой транзистор с однородным каналом | uniform-channel FET |
| полевой транзистор с однородным каналом | uniform-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с p-n переходом | junction gate FET |
| полевой транзистор с p-n переходом, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode junction fet |
| полевой транзистор с поверхностным каналом | surface-channel field-effect transistor |
| полевой транзистор с поверхностным каналом | unipolar surface transistor |
| полевой транзистор с проницаемой базой | punch-through FET |
| полевой транзистор с проницаемой базой | pinched-base FET |
| полевой транзистор с резистивным затвором | resistive-gated FET |
| полевой транзистор с резонансным затвором | resonant-gate FET |
| полевой транзистор с резонансным затвором | resonant-gate transistor |
| полевой транзистор с самовыравнивающимся затвором | self-aligned gate field-effect transistor |
| полевой транзистор с субмикронным затвором | submicron gate FET |
| полевой транзистор с удалённой отсечкой | remote-cutoff FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction unipolar transistor |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | junction-gate FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | JG FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | p-n-junction FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n переходом | junction-gate fet |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и вертикальным каналом | static-induction transistor |
| полевой транзистор со смыканием | punch-through FET |
| полевой транзистор со смыканием | pinched-base FET |
| полевой транзистор со смыканием | punch-through field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник | metal-insulator-semiconductor FET |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник | metal-silicon nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник | metal- nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид -полупроводник | metal-silicon nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-нитрид -полупроводник | metal- nitride-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-окисел-кремний | metal-oxide-silicon FET |
| полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | metal-oxide semiconductor field-effect transistor (abbr. MOSFET) |
| полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник | MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) |
| полевой транзистор со структурой металл-полупроводник | metal-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор со структурой металл-полупроводник, работающий в режиме обеднения | D-MESFET (ssn) |
| полевой транзистор со структурой металл-полупроводник, работающий в режиме обеднения | depletion metal-semiconductor field-effect transistor (ssn) |
| полевой фототранзистор | photo FET |
| полевой фототранзистор | photosensitive field-effect transistor |
| полевой фототранзистор | photoconductive field-effect transistor |
| полевой фототранзистор | photoconductive FET |
| полевой шпат | felspar |
| полевой электрод | field plate (Mitsuki) |
| полевые данные | field-effect triode |
| полевые измерения | field instrumentation |
| полевые испытания | trial field |
| полевые испытания | field examination |
| полевые испытания | test fields |
| полевые испытания | field check |
| полевые сельскохозяйственные работы | field work |
| потолок полевого тока | field current ceiling |
| прибор на биполярных и полевых транзисторах | BIFET |
| прибор на основе комбинации биполярного и полевого | bifet |
| прибор на основе комбинации биполярного и полевого транзистора | bi-FET |
| прибор на основе комбинации биполярного транзистора и полевого транзистора с изолированным затвором | bipolar insulated-gate field-effect transistor |
| прибор на полевых транзисторах | field-effect transistor device |
| прибор на полевых транзисторах | FET device |
| прибор на полевых транзисторах | field-effect device |
| прибор, представляющий собой комбинацию стандартного n-p-n транзистора и полевого транзистора с р-n переходом | gate underlaid transistor |
| провод полевого телефона | assault wire |
| работающими на гармониках частот строчной и полевой | time pattern |
| резистор на основе полевого транзистора | pinch-resistor |
| резистор на полевом транзисторе | FET resistor |
| сегнетоэлектрический полевой транзистор | ferroelectric field-effect transistor |
| сегнетоэлектрический полевой транзистор | ferroelectric FET |
| селективно-легированный полевой транзистор | selectively doped heterojunction transistor |
| селективно-легированный полевой транзистор | modulation-doped field-effect transistor |
| структура, состоящая из прибора с зарядовой связью ПЗС и полевого транзистора | charge coupled FET |
| схема полевой развёртки | frame-scanning circuit |
| схема полевой развёртки | vertical sync circuit |
| схема полевой развёртки | vertical-deflection circuit |
| схема полевой развёртки | vertical scanning circuit |
| схема полевой развёртки | vertical deflection circuit |
| схема фиксации по уровню полевых синхроимпульсов | vertical clamping |
| технология изготовления аналоговых ИС, которая заключается в комбинации p-канального полевого транзистора, созданного ионной имплантацией, на одном кристалле со стандартным биполярным транзистором | bipolar-FET |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах | BIFET |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах | bi-FET |
| технология изготовления n-канальных полевых МОП транзисторов, использующая два избыточных этапа маскирования | n-channel enhancement depletion technology |
| технология ИС на биполярных и полевых транзисторах | bipolar-junction fet technology |
| технология ИС на биполярных и полевых транзисторах | bi-fet technology |
| тип полевого транзистора | FET Type (Maxim Sh) |
| усилительный каскад блока полевой развёртки | field amplifier |
| усовершенствованные логические схемы с малым энергопотреблением на полевых транзисторах с барьерами Шотки, логические схемы на полевых транзисторах с барьерами Шотки серии ALS | advanced low-power Schottky (ssn) |
| фирменное название ИС, содержащей биполярные транзисторы на выходе и полевые транзисторы с изолированным затвором | bipolar insulated gate field-effect transistor |
| электроды для органических полевых транзисторов | OFET (Himera) |
| эпитаксиально-диффузионный полевой транзистор | epitaxial-diffused FET |
