| Russian | English |
| биполярная МОП-структура | bi MOS |
| БИС на МОП структуре | MOS array |
| БИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large scale integration circuit |
| БИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large scale integration IC |
| БИС на МОП-структурах | large-scale integration circuit metal-oxide-semiconductor |
| блочно-ориентированная электрически программируемая постоянная память на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
| быстродействующая комплементарная МОП-структура | high-speed complementary metal-oxide semiconductor |
| быстродействующая комплементарная МОП-структура | HCMOS |
| быстродействующая логическая схема на комплементарных МОП-структурах | high-speed complementary metal-oxide semiconductor |
| быстродействующая логическая схема на комплементарных МОП-структурах | HCMOS |
| быстродействующая МОП-структура | high-speed MOS |
| вариант комплементарной МОП структуры с поликремниевым затвором и окисной изоляцией | isolated oxide polysilicon gate CMOS |
| двухдиффузионная МОП-структура | double-diffused mosfet |
| затвор МОП-структуры | MOS gate |
| затвор МОП-структуры | metal-oxide-semiconductor gate |
| ионная имплантация для изготовления МОП-структур | metal-oxide-semiconductor implantation |
| ионно-имплантированная ИС на МОП-структурах | ion-implanted MOS integrated circuit |
| ионно-имплантированная ИС на МОП-структурах | ion-implanted MOS IC |
| ионно-имплантированная схема на МОП-структурах | ion-implanted MOS circuit |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS IC |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | CMOS IC |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | CMOS integrated circuit |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary symmetry MOS integrated circuit |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | COSMOS circuit |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary symmetry MOS IC |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS integrated circuit |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS integrated-circuit device |
| ИС на МОП-структурах | metal-oxide-silicon integrated circuit |
| ИС на МОП-структурах | MOS circuit |
| ИС на МОП-структурах | MOS integrated circuit |
| ИС на МОП-структурах | MOS IC |
| ИС на МОП-структурах | metal-oxide-silicon IC |
| ИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor IC |
| ИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor integrated circuit |
| ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами | aluminum-gate MOS integrated circuit |
| ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами | aluminium-gate MOS integrated circuit |
| p-канальная МОП структура | p-channel MOS |
| n-канальная МОП структура | n-channel MOS |
| p-канальная МОП-структура | p MOS |
| n-канальная МОП-структура | n MOS |
| p-канальный прибор на МОП-структурах | pmos device |
| p-канальный прибор на МОП-структурах | p-channel metal-oxide-semiconductor device |
| p-канальный прибор на МОП-структуре | PMOS device |
| p-канальный прибор на МОП-структуре | p-channel MOS device |
| комплементарная дополняющая МОП-структура | complementary MOS |
| комплементарная МОП структура на сапфировой подложке | silicon-on- sapphire complementary MOS |
| комплементарная МОП-структура | complementary metal oxide semi conductor (ssn) |
| комплементарная МОП-структура | complementary metal oxide semi-conductor (ssn) |
| комплементарная МОП-структура | complementary metal-oxide-semiconductor structure (ssn) |
| кремниевый затвор n-канальной МОП-структуры | nmos silicon gate |
| кремниевый затвор p-канальной МОП-структуры | pmos silicon gate |
| кремниевый затвор p-канальной МОП-структуры | p-channel silicon gate |
| кремниевый затвор n-канальной МОП-структуры | n-channel silicon gate |
| кристалл с МОП-структурой | MOS chip |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | avalanche-injection stacked gate mos |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FA MOS |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | floating-gate avalanche-injection mos |
| логическая схема на комплементарных МОП-структурах | complementary metal-oxide semiconductor |
| логическая схема на комплементарных МОП-структурах | CMOS |
| логическая схема на низковольтных комплементарных МОП-структурах | LVCMOS |
| логическая схема на низковольтных комплементарных МОП-структурах | low-voltage complementary metal-oxide semiconductor |
| матрица на МОП-структурах | MOS array |
| метод изготовления МОП-структур, в котором длина канала регулируется с помощью процесса "дифференциальной диффузии" примесей | diffusion self-alignment |
| метод создания МОП структуры | selective oxidation |
| микропроцессор на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor microprocessor |
| многостоковые МОП структуры | multi-drain MOS |
| МОП структура | metal oxide semiconductor (ssn) |
| МОП структура, изготовленная методом двойной имплантации | double implanted MOS |
| МОП структура, изготовленная с применением локального окисления | local oxidation MOS |
| МОП структура лавинно-инжекционного типа с пакетным наборным затвором | stacked-gate avalanche-injection MOS |
| МОП структура, на которой регистрация и считывание информации осуществляется с помощью электронного луча | beam addressed MOS |
| МОП структура с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance MOS |
| МОП структура с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance metal oxide semiconductor (ssn) |
| МОП структура с изоляцией из SiO2 и Al2O3 | metal-alumina-oxide-semiconductor |
| МОП структура с канавками V-образного профиля | V-groove MOS |
| МОП структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned gate MOS |
| МОП структура с улучшенными характеристиками | high performance MOS |
| МОП структура с улучшенными характеристиками | high-performance metal oxide semiconductor (ssn) |
| МОП структура со скрытым окисным слоем | buried oxide MOS |
| МОП структура, формируемая двойной диффузией | double-diffused MOS |
| МОП транзистор с вертикальной структурой, изготовленный способом двойной диффузии | vertical double-diffused MOS |
| МОП-структура | metal-oxide-semiconductor configuration |
| МОП-структура | metal-oxide semiconductor |
| МОП-структура, в которой затвор располагается с обратной стороны кристалла | back-gate MOS |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffusion MOS |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffused metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | D MOS |
| МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения | enhancement/depletion mos |
| МОП-структура с биполярной инжекцией | dual-injection MOS |
| МОП-структура с биполярной инжекцией и плавающим затвором | dual-injection floating-gate MOS |
| МОП-структура с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с высокой плотностью упаковки | high-density MOS |
| МОП-структура с двойной диффузией | double-diffused MOS |
| МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric-isolated mos |
| МОП-структура с изолированным затвором | isolated-gate mos |
| МОП-структура с инжекционным затвором | gate-injection mos |
| МОП-структура с и-образной канавкой | v-groove MOS |
| МОП-структура с и-образной канавкой | v MOS |
| МОП-структура с каналом р-типа | p-channel MOS |
| МОП-структура с каналом n-типа | n-channel mos |
| МОП-структура с каналом p-типа | p-channel metal-oxide semiconductor (abbr. PMOS) |
| МОП-структура с каналом n-типа | NMOS (n-channel metal-oxide semiconductor; n-channel MOS) |
| МОП-структура с каналом n-типа | n-channel metal-oxide semiconductor (abbr. NMOS) |
| МОП-структура с каналом n-типа | n-channel MOS (abbr. NMOS) |
| МОП-структура с каналом p-типа | p-channel MOS (abbr. PMOS) |
| МОП-структура с каналом n-типа | n MOS |
| МОП-структура с каналом p-типа | p MOS |
| МОП-структура с каналом p-типа | PMOS (p-channel metal-oxide semiconductor; p-channel MOS) |
| МОП-структура с многоуровневыми затворами | composite-gate mos structure |
| МОП-структура с нижним затвором | back-gate mos |
| МОП-структура с V-образной канавкой | V-groove metal-oxide-semiconductor structure (ssn) |
| МОП-структура с плавающим затворам | floating-gate mos |
| МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией | floating-gate avalanche-injection MOS structure (FAMOS structure ssn) |
| МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией | FAMOS structure (= floating-gate avalanche-injection MOS structure ssn) |
| МОП-структура со скрытым каналом | buried-channel mos |
| МОП-структура сформированная двойной ионной имплантацией | double-implanted MOS |
| низковольтная комплементарная МОП-структура | LVCMOS |
| низковольтная комплементарная МОП-структура | low-voltage complementary metal-oxide semiconductor |
| полевой транзистор на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor field-effect device |
| прибор на комплементарных МОП-структурах | complementary MOS device |
| прибор на МОП-структурах | d-mos device |
| прибор на цепочках МОП структур | bucket-brigade device |
| процессор на МОП-структурах | MOS processor |
| разновидность МОП структуры, отличающаяся высокой нагревостойкостью | refractory gate MOS |
| разновидность МОП-структур с высоким пороговым напряжением | high-voltage technology |
| резистор на МОП-структуре | MOS resistor |
| структура МОП, в которой слой окисла постепенно наращивается разными методами | metal-graded oxide-semiconductor |
| структура МОП-структура с плавающим затвором и лавинной | float-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor structure |
| технология изготовления ИС "вертикальной" структуры, в котором один общий затвор управляет n-и p-канальными МОП транзисторами | joint metal-oxide-semiconductor |
| технология изготовления МОП структур методом двойной диффузии | double-diffusion MOS technology |
| технология изготовления схем на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor technology |
| тиристор с управляющей МОП-структурой | MOS-controlled thyristor |
| транзистор с МОП-структурой, изготовленный методом двойной диффузии | D-MOS transistor (ssn) |
| транзистор с МОП-структурой, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused MOS transistor (ssn) |
| триггер на МОП-структурах | MOS FF (ssn) |
| триггер на МОП-структурах | MOS flip flop (ssn) |
| триггер на МОП-структурах | MOS flipflop (ssn) |
| флэш-память на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
| электрически программируемая постоянная память на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
| электрически программируемое ПЗУ на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory |
| ячейка на МОП-структурах | MOS cell |
| ячейка на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor cell |
