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| align to 0.1μm at each exposure field | mit einer Geschwindigkeit von 0,1 μm in jedem Bildfeld justieren |
| bow up to 15 μm in the free state | sich im freien Zustand bis zu 15 μm durchbiegen |
| bubble diameter down to 1 μm | Blasendurchmesser bis zu 1 μm |
| centrifuge at 10,000 r.p.m. | schleudern bei 10 000 U/min |
| circuit line of 0.2 μm width | Schaltkreiselement von 0,2 μm Breite |
| circuit with least dimensions of 1 μm | Schaltkreis mit kleinsten Abmessungen von 1 μm |
| cross the barrier of 1 μm | die 1-μm-Barriere durchbrechen |
| define minimum geometries of 0.5 μm | kleinste Strukturen von 0,5 μm schreiben (mit Elektronenstrahl) |
| deflect the electron beam in a raster over a 64μm square field | den Elektronenstrahl rasterförmig über ein Feld von 64 μm × 64 μm ablenken |
| delineate 1 μm features | 1-pm-Strukturelemente schreiben |
| device geometries in the 1 μm feature region | Bauelementstrukturen im 1-μm-Bereich |
| draw lines much smaller than 1 μm | Linien von weitaus weniger als 1 μm Breite schreiben (Elektronenstrahllithografie) |
| feature contral to ± 0.1 μm | Einhaltung der Elementbreite bis auf ± 0,1 μm |
| feature smaller than 4.0 μm | Strukturbreite unter 4 μm |
| features ranging from as small as 1.5 μm to as large as 3.0 | μm Strukturbreiten in einem großen Variationsbereich von 1,5 μm bis 3,0 μm |
| formation of features in the 1 μm range | Bildung von Strukturelementen im 1-pm-Bereich |
| geometry in the 0.5-to-1 μm range | Strukturen im Bereich von 0,5 bis 1 μm |
| least dimensions in the 1 to 2 μm range | kleinste Abmessungen im 1 bis 2-Mikrometerbereich |
| level to-level registration tolerance of 0.1 μm | Überdeckungstoleranz von 0,1 μm zwischen den Ebenen |
| 1 μm line-space array | Linienstruktur mit dem Tastverhältnis 1:1 (μm) |
| 1-μm pattern | Struktur mit Linienbreiten von 1 μm |
| 1 μm-stripe | Steg von 1 μm Breite |
| 1-μm-wide line and space pattern | Linienrasterstruktur mit einem Rastermaß von 1 μm |
| 2.5-p.m lithography | Lithografie für Strukturbreiten von 2,5 μm |
| position the X-Y stage with an accuracy of 0.01 μm | den Koordinatentisch mit einer Genauigkeit von 0,01 μm positionieren (einstellen) |
| produce integrated circuits with 2 μm design rules | integrierte Schaltkreise mit Strukturbreiten von 2 μm herstellen |
| push geometries down to 1 μm area | die Entwicklung der Strukturen bis in den 1-μm-Bereich vorantreiben |
| r.m.s. best fitting of seven points on the wafer to the ideal focal plane | bester Ausgleich von sieben Punkten auf dem Wafer in bezug auf die ideale Fokusebene |
| r.m.s. noise | effektives Rauschen |
| rectangles of varying size up to 5 μm square | Rechtecke unterschiedlicher Größe bis zu 5 μm Kantenlänge |
| require geometries of 1.0 μm or greater | Strukturen von 1,0 μm oder mehr erfordern |
| resolvable feature size of 1 μm | auflösbare Linienbreite von 1 μm |
| resolve 1 μm lines and spaces | Linien und Abstände von 1 μm auflösen |
| scaling of channel lengths down to 2 μm | Verkleinerung der Kanallängen bis zu 2 μm |
| shrink gate lengths from 1 μm to a few tenths of a micrometre | die Gatelängen von 1 μm auf einige zehntel Mikrometer reduzieren |
| spin films of 0.5 μm thickness | Schichten von 0,5 μm Dicke aufschleudern |
| square mesa measuring 40 μm on a side | quadratische Mesa mit 40 μm Kantenlänge |
| step the electron beam by 0.5 μm in the x-direction | den Elektronenstrahl schrittweise um 0,5 μm in x-Richtung führen |
| sub-0.1 μm periodicity | Gitterkonstante unter 0,1 μm |
| superposition on a substrate of patterns from several masks to a precision of 0.1 μm | Überdeckung von Strukturen verschiedener Masken auf einem Substrat mit einer Genauigkeit von 0,1 μm |
| thermal e.m.f. | Thermokraft |
| thermal e.m.f. | Thermo-EMK |
| thermal e.m.f. | thermoelektromotorische Kraft |
| uncertainty of no more than 0.05 μm | Unsicherheit von höchstens 0,05 μm |
| vary the rectangular cross section between 0.1 and 12 μm on a side | den rechteckigen Querschnitt des Elekronenstrahls zwischen 0,1 und 12 μm Kantenlänge variieren |
