interface states of deposited films - II

[Peter Cantrop]

В той же статье соседняя фраза:
"At thermally grown Si-SiO2 interfaces the positive oxide charge is due to the Si dangling bond effect with three oxygen back bonds (Pox defect).
Мой перевод :
"В случае термовакуумного получения перехода Si-SiN положительный заряд в слое оксида возникает благодаря свободной связи Si с тройным дативным взаимодействием с атомами кислорода (дефект Pox).

- Что за «трехкислородная обратная связь». Подскажите, пожалуйста, как правильно-то.

[fttoa]

Dangling bond - ковалентная связь с некоторым количеством "поломаных" связующих, в данном случае, видимо, имеют ввиду "поломанные" связи идущие от О к Si (3 из 4-х). Так что положительный заряд возникает благодаря трем разорваным связям SiO2