| micr. |
транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения; транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки; МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения; МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки; транзистор с обеднённой нагрузкой; транзистор с обеднённой нагрузочной областью |
