микросхема памяти с использованием запоминающих элементов на МОП-структурах с плавающим затвором и электронов с высокой энергией для заряда этих элементов, заряды считываются прикладываемым электрическим полем – Englisch Übersetzung

Anmelden | German | Nutzungsvereinbarung

Google | Forvo | +

микросхема памяти с использованием запоминающих элементов на МОП-структурах с плавающим затвором и электронов с высокой энергией для заряда этих элементов, заряды считываются прикладываемым электрическим полем

Hinzufügen | Fehler melden | Kurzlink auf diese Seite | Hinweise